【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，更具体的公开了一种sic vdmosfet功率器件及其制备方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)vdmosfet是一种基于碳化硅半导体材料的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。作为第三代半导体材料的代表，碳化硅(sic)具有优良的物理和电学特性。相比硅材料，具有更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子迁移率，非常适合电力电子、电动车辆和航空航天等使用。sic vdmosfet是在对硅材料的局限性有所认识的基础上发展起来的。由于碳化硅材料的独特性能，sic vdmosfet在提高功率密度、降低功耗等方面具有巨大的潜力，因此得到了在一系列高性能电子应用中的广泛关注和采用。
2、尽管碳化硅(sic)vdmosfet具有许多优越的性能特点，但仍然存在一些局限性和不足之处，sic材料相对硅材料更昂贵，制造sic vdmosfet的工艺要求更高，另外，在一些特定应用中，硅器件的性能可能更为优越。这使得在某些场景中，sic vdmosfet在选择上受到局限，因此设计一种sic vdmosfet功率器件及
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1.一种SiC VDMOSFET功率器件，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上表面铺设一层N+衬底(2)，所述N+衬底(2)的上方具有N-漂移区(3)，所述N-漂移区(3)的内部嵌设多个P+型区(4)，在两个所述P+型区(4)之间有P型半导体(5)，所述P型半导体(5)和P+型区(4)的上方水平横跨有N+型区(6)，所述N+型区(6)、所述P型半导体(5)以及所述P+型区(4)之间有绝缘层，所述绝缘层内安装有栅极(7)，所述栅极(7)的底部增加P+屏蔽层(12)，在通电状态下所述栅极(7)周围导电通道(11)打开，所述栅极(7)的上方平铺导热层(8)，所述导...
【技术特征摘要】
1.一种sic vdmosfet功率器件，包括漏极(1)，其特征在于：所述漏极(1)的上表面铺设一层n+衬底(2)，所述n+衬底(2)的上方具有n-漂移区(3)，所述n-漂移区(3)的内部嵌设多个p+型区(4)，在两个所述p+型区(4)之间有p型半导体(5)，所述p型半导体(5)和p+型区(4)的上方水平横跨有n+型区(6)，所述n+型区(6)、所述p型半导体(5)以及所述p+型区(4)之间有绝缘层，所述绝缘层内安装有栅极(7)，所述栅极(7)的底部增加p+屏蔽层(12)，在通电状态下所述栅极(7)周围导电通道(11)打开，所述栅极(7)的上方平铺导热层(8)，所述导热层(8)的材质为铜铝合金构成，铜占40％。铝占50％，所述导热层(8)的两侧有氧化层(9)，所述氧化层(9)为氧化铝材质，所述氧化层(9)和所述导热层(8)的上方具有源极(10)。
2.根据权利要求1所述的一种sic vdmosfet功率器件，其特征在于：所述氧化层(9)的下表面将所述p+型区(4)和所述n+型区(6)的上方封闭。
3.根据权利要求1所述的一种sic vdmosfet功率器件，其特征在于：所述p型半导体(5)的材质...
【专利技术属性】
技术研发人员：许一力，
申请(专利权)人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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