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本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种SiC VDMOSFET功率器件，包括漏极，所述漏极的上表面铺设一层N+衬底，所述N+衬底的上方具有N‑漂移区，所述N‑漂移区的内部嵌设多个P+型区，在两个所述P+型区之间有P型半导体，所述P型半导...
该专利属于杭州谱析光晶半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州谱析光晶半导体科技有限公司授权不得商用。

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