一种进气结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种进气结构，其包括：炉管；进气管，环绕设置在炉管的炉口处的内侧，进气管上开设有若干个出气口，出气口用于使进气管内的气体均匀流出到炉管内。本实用新型专利技术通过采用环形进气方式来替代传统的Y型进气方式，使气体可以从多方位进入，对气体进行分流，能够有效的降低气流对基体表面的冲击，改善基体表面非晶硅沉积的均匀性，并且进气管上均匀分布着若干个出气口，利用若干个出气口均匀分布来提高气体在炉管内分布的均匀性，同时也可以改善基体表面非晶硅沉积的均匀性，保证了基体的沉积效率以及基体的良品率。体的沉积效率以及基体的良品率。体的沉积效率以及基体的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种进气结构


[0001]本技术涉及进气
，特别是涉及一种进气结构。

技术介绍

[0002]在传统晶体硅太阳能电池中，金属－半导体接触区域存在严重的复合，成为制约晶体硅太阳能电池效率发展的重要因素，而钝化接触技术作为一种减少接触接触符合的可行方案，对晶硅电池效率提升明显。
[0003]钝化接触技术核心之一为本征非晶硅沉积，目前应用较为广泛的主要有常压化学气相沉积APCVD，等离子体增强型化学气相沉积PECVD以及低压化学气相沉积LPCVD，由于管式镀膜设备沉积速率快；成膜质量好，针孔较少，不易龟裂，被广泛使用。
[0004]常规管式镀膜设备使用炉口进气，炉尾抽气的方式，衬底温度通常保持在350℃左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，由于炉内进气方式为单一Y型接头，出气口较集中，导致气体在炉内不均匀，易造成所述基体沉积非晶硅不均匀的情况，影响电池外观及电性能效率。

技术实现思路

[0005]本申请的一些实施例中，提供了一种进气结构，本申请为了解决了现有的进气结构进气不均匀造成所述基体沉积非晶硅薄膜不均匀的问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种进气结构，其特征在于，包括：炉管；硅片，设置在所述炉管内的中心处；进气管，为一环形状结构，环绕设置在所述炉管的炉口处的内侧，所述进气管用于使气体流入到所述炉管内对所述硅片进行镀膜；所述进气管上开设有若干个出气孔，所述出气孔用于使所述进气管内的气体均匀流出到所述炉管内；所有所述出气孔的开口的延长线汇聚于所述炉管的中轴线上的一点。2.根据权利要求1所述的一种进气结构，其特征在于，所述出气孔以所述炉管的圆心为圆心并以环形阵列排布的方式分布在所述进气管上。3.根据权利要求1所述的一种进气结构，其特征在于，所述出气孔的数量大于两组。4.根据权利要求1所述的一种进气结构，其特征在于，所述进气管...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐少洪，朱太荣，林佳继，张武，刘群，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：