一种喷气结构及半导体设备制造技术

本发明专利技术提供了一种喷气结构及半导体设备，涉及镀膜技术领域。该喷气结构包括喷淋板，喷淋板设有第一喷气孔和第二喷气孔，第一喷气孔和第二喷气孔间隔设置，第一喷气孔用于喷出自由基，第二喷气孔用于喷出前驱物；第二喷气孔包括限流孔段和出口孔段，限流孔段和出口孔段连通，且出口孔段的孔径大于限流孔段的孔径，使得前驱物扩散出出口孔段。该喷气结构在使用时，前驱物经由限流孔段进入出口孔段，由于出口孔段的孔径大于限流孔段的孔径，因此进入出口孔段的前驱物能够快速扩散，并与自由基进行反应，前驱物和自由基快速进行反应能够减少自由基的损失，确保各种气体反应的更加均匀，从而确保能够形成均匀的薄膜。而确保能够形成均匀的薄膜。而确保能够形成均匀的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种喷气结构及半导体设备


[0001]本专利技术涉及镀膜
，具体而言，涉及一种喷气结构及半导体设备。

技术介绍

[0002]半导体的镀膜设备在进行硬质膜沉积反应时，需要少量掺杂一种气体或多种气体进入腔室进行薄膜沉积，且各种气体进入腔室后需要均匀扩散到晶圆的表面。
[0003]现有技术中的半导体设备存在各种气体反应沉积不均匀导致形成的薄膜不均匀的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种喷气结构及半导体设备，其能够确保各种气体反应的更加均匀，从而确保能够形成均匀的薄膜。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0006]本专利技术的实施例提供了一种喷气结构，其包括：
[0007]喷淋板，所述喷淋板设有第一喷气孔和第二喷气孔，所述第一喷气孔和所述第二喷气孔间隔设置，所述第一喷气孔用于喷出自由基，所述第二喷气孔用于喷出前驱物；
[0008]所述第二喷气孔包括限流孔段和出口孔段，所述限流孔段和所述出口孔段连通，且所述出口孔段的孔径大于所述限流孔段的孔径，使得前驱物扩散出所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种喷气结构，其特征在于，包括：喷淋板，所述喷淋板设有第一喷气孔和第二喷气孔，所述第一喷气孔和所述第二喷气孔间隔设置，所述第一喷气孔用于喷出自由基，所述第二喷气孔用于喷出前驱物；所述第二喷气孔包括限流孔段和出口孔段，所述限流孔段和所述出口孔段连通，且所述出口孔段的孔径大于所述限流孔段的孔径，使得前驱物扩散出所述出口孔段。2.根据权利要求1所述的喷气结构，其特征在于，所述第一喷气孔和所述第二喷气孔之间的间距的范围为3mm
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8mm。3.根据权利要求1所述的喷气结构，其特征在于，所述限流孔段的孔径范围为0.2mm
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0.6mm。4.根据权利要求1所述的喷气结构，其特征在于，所述出口孔段呈喇叭状。5.根据权利要求4所述的喷气结构，其特征在于，所述出口孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹艳超，谭华强，李洪昊，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：