半导体器件制造技术

半导体器件包括第一半导体元件、第二半导体元件、电位相互不同的第一电路和第二电路。所述第二半导体元件与所述第一半导体元件导通，并对所述第一电路和所述第二电路之间的相互信号进行中継且将所述第一电路和第二电路相互绝缘。另外，该半导体器件具有：与所述第一半导体元件导通的第一端子引线；与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件连接的第一导线；与所述第一半导体元件和所述第一端子引线连接的第二导线。所述第一导线含有第一金属。所述第二导线包含含有第二金属的第一芯材部和含有第三金属且覆盖所述第一芯材部的第一表层部。所述第二金属的原子序数比所述第一金属的原子序数小。所述第三金属与所述第一端子引线的接合强度比所述第二金属与所述第一端子引线的接合强度高。子引线的接合强度高。子引线的接合强度高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件，尤其是涉及在与搭载于一个封装体内的多个半导体元件之间经由绝缘元件进行信号传递的半导体器件。

技术介绍

[0002]现有技术中，电动汽车(包含混合动力汽车)或者家用电器等中使用了逆变器装置。另外，在逆变器装置中使用了各种半导体器件。例如，逆变器装置包括控制/驱动用的半导体器件、开关用的半导体器件(IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极晶体管)或MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等的开关元件)。前者的半导体器件具有控制器和栅极驱动器。在逆变器装置中，从ECU(Engine Control Unit：发动机控制单元)输出的控制信号被输入到该半导体器件的控制器。控制器将控制信号转换为PWM(Pulse Width Modulation：脉冲宽度调制)控制信号，传送到栅极驱动器。栅极驱动器基于PWM控制信号，在所希望的时刻使多个(例如6个)开关元件驱动。由此，从车载用蓄电池的直流电力生成电动机驱动用的三相交流电力。例如，在专利文献1中，公开有在电动机驱动装置中利用的半导体器件(驱动电路)的一例。
[0003]在上述现有的半导体器件中，存在控制器要求的电源电压和栅极驱动器要求的电源电压不同的情况。在这样的情况下，在将多个半导体元件搭载在1个封装体内的半导体器件中，在向控制器的导电路径与向栅极驱动器的导电路径这2个导电路径之间，被施加的电源电压产生差异。因此，有时搭载将这些导电路径之间进行中继的绝缘元件。但是，存在连接于绝缘元件的导线接近该绝缘元件时绝缘耐压显著降低的问题。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2014
‑
30049号公报。

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的问题
[0008]鉴于上述的情况，本专利技术的问题之一在于，提供能够确保所要求的绝缘耐压且实现装置的成本缩减的半导体器件。
[0009]用于解决问题的技术手段
[0010]本专利技术提供的半导体器件，包括：第一半导体元件；电位相互不同的第一电路和第二电路；第二半导体元件，其与所述第一半导体元件导通，并且对所述第一电路和所述第二电路之间的相互信号进行中继且将所述第一电路和第二电路相互绝缘；与所述第一半导体元件导通的第一端子引线；与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件连接的第一导线；和与所述第一半导体元件和所述第一端子引线连接的第二导线。所述第一导线含有第一金属。所述第二导线包含含有第二金属的第一芯材部和含有第三金属且覆盖所述第一芯
材部的第一表层部。所述第二金属的原子序数比所述第一金属的原子序数小。所述第三金属与所述第一端子引线的接合强度比所述第二金属与所述第一端子引线的接合强度高。
[0011]专利技术效果
[0012]依据上述的结构，关于半导体器件，能够确保所要求的绝缘耐压，并且实现装置的成本缩减。
[0013]本专利技术的其他的特征和优点，基于附图在以下进行详细的说明，由此能够更加明确。
附图说明
[0014]图1是本专利技术的第一实施方式的半导体器件的俯视图。
[0015]图2是与图1对应的俯视图，透视了密封树脂。
[0016]图3是图1所示的半导体器件的主视图。
[0017]图4是图1所示的半导体器件的左视图。
[0018]图5是图1所示的半导体器件的右视图。
[0019]图6是沿着图2的VI
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VI线的剖视图。
[0020]图7是沿着图2的VII
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VII线的剖视图。
[0021]图8是图6的部分放大剖视图。
[0022]图9是图6的部分放大剖视图。
[0023]图10是图6的部分放大剖视图。
[0024]图11是图6的部分放大剖视图。
[0025]图12是本专利技术的第二实施方式的半导体器件的俯视图，透视了密封树脂。
[0026]图13是图12所示的半导体器件的部分放大剖视图。
[0027]图14的图12所示的半导体器件的部分放大剖视图。
[0028]图15是本专利技术的第三实施方式的半导体器件的俯视图，透视了密封树脂。
[0029]图16是图15的沿着XVI
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XVI线的剖视图。
具体实施方式
[0030]关于用于实施本专利技术的方式，基于附图进行说明。
[0031]基于图1～图11，对本专利技术的第一实施方式的半导体器件A1进行说明。半导体器件A1包括第一半导体元件11、第二半导体元件12、第三半导体元件13、第一岛引线21、第二岛引线22、多个第一端子引线31、多个第二端子引线32和密封树脂50。并且半导体器件A1具有多个第一导线41、多个第二导线42、多个第三导线43、多个第四导线44、多个第五导线45和多个第六导线46。半导体器件A1例如是在电动汽车(包含混合动力汽车)等的逆变器装置的配线基板表面安装的装置。半导体器件A1的封装体形式为SOP(Small Outline Package：小引出线封装)。但是，半导体器件A1的封装形式不限于SOP。图2中将密封树脂50透视，用假想线(两点划线)表示。
[0032]在半导体器件A1的说明中，第一半导体元件11、第二半导体元件12、第三半导体元件13、第一岛引线21、第二岛引线22、多个第一端子引线31和多个第二端子引线32各自的厚度方向称为“厚度方向z”。相对于厚度方向z正交且相互正交的2个方向称为第一方向和第
二方向。在附图中，例如x方向为第一方向的一例，y方向为第二方向的一例，但本专利技术不限定于此。
[0033]第一半导体元件11、第二半导体元件12和第三半导体元件13是成为半导体器件A1的功能中枢的元件。在半导体器件A1中，第一半导体元件11、第二半导体元件12和第三半导体元件13均由独立的元件构成。在第一方向x上，第三半导体元件13相对于第二半导体元件12位于与第一半导体元件11相反侧。在厚度方向z上看，第一半导体元件11、第二半导体元件12和第三半导体元件13分别是以第二方向y为长边的矩形形状。
[0034]第一半导体元件11是驱动IGBT或MOSFET等开关元件的栅极驱动器的控制器(控制元件)。第一半导体元件11具有：将从ECU等输入的控制信号转变为PWM控制信号的电路；用于将该PWM控制信号向第三半导体元件13传送的发送电路；和接收来自第三半导体元件13的电信号的接收电路。
[0035]第三半导体元件13是用于驱动开关元件的栅极驱动器(驱动元件)。第三半导体元件13具有：接收PWM控制信号的接收电路；用于基于该PWM控制信号来驱动开关元件的电路；用于将电信号向第一半导体元件11传送的发送电路。该电信号例如能够举例来自配置在电动机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体元件；电位相互不同的第一电路和第二电路；第二半导体元件，其与所述第一半导体元件导通，并且对所述第一电路和所述第二电路之间的相互信号进行中继且将所述第一电路和第二电路相互绝缘；与所述第一半导体元件导通的第一端子引线；与所述第一半导体元件和所述第二半导体元件连接的第一导线；和与所述第一半导体元件和所述第一端子引线连接的第二导线，所述第一导线含有第一金属，所述第二导线包含含有第二金属的第一芯材部和含有第三金属且覆盖所述第一芯材部的第一表层部，所述第二金属的原子序数比所述第一金属的原子序数小，所述第三金属与所述第一端子引线的接合强度比所述第二金属与所述第一端子引线的接合强度高。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：与所述第二半导体元件导通的第三半导体元件；与所述第三半导体元件导通的第二端子引线；与所述第二半导体元件和所述第三半导体元件连接的第三导线；和与所述第三半导体元件和所述第二端子引线连接的第四导线，所述第三导线含有第四金属，所述第四导线包含含有第五金属的第二芯材部和含有第六金属并且覆盖所述第二芯材部的第二表层部，所述第五金属的原子序数比所述第四金属的原子序数小，所述第六金属与所述第二端子引线的接合强度比所述第五金属与所述第二端子引线的接合强度高。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：还包括第一岛引线，所述第一电路包含所述第一半导体元件，所述第二电路包含所述第三半导体元件，所述第一岛引线包含于所述第一电路中，所述第一半导体元件搭载于所述第一岛引线。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：还包括第二岛引线，其位于与所述第一岛引线相隔开的位置，且包含于所述第二电路中，所述第三半导体元件搭载于所述第二岛引线。5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述第二半导体元件搭载于所述第一岛引线。6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于：所述第二半导体元件搭载于所述第二岛引线。7.如权利要求3～6中任一项所述的半导体器件，其特征在于：
在第一方向上，所述第三半导体元件相对于所述第二半导体元件位于与所述第一半导体元件相反侧。8.如权利要求3～7中任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第二电路的电位比所述第一电路的电位高。9.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：松原弘招，西冈太郎，大角嘉藏，菊地登茂平，山口萌，梅野辽平，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：