半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的形成方法包括，将目标结构置于反应腔中；在目标结构上形成第一氧化层，第一氧化层具有第一厚度；在第一氧化层下方形成第二氧化层，第二氧化层具有第二厚度，第一厚度小于第二厚度。使用本公开中的半导体结构的形成方法形成的半导体结构，目标结构的表面依次设置有第二氧化层和第一氧化层，第二氧化层和第一氧化层为目标结构提供良好的掩蔽效果，保证半导体结构具有良好的电性能。构具有良好的电性能。构具有良好的电性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]半导体掺杂工艺是半导体制造领域的常用工艺，其原理是通过向半导体材料中注入掺杂离子以改变半导体材料的电性能。向半导体材料中注入掺杂离子后，需要对半导体材料进行热退火处理以激活掺杂离子，以使掺杂离子能够在半导体材料中提供载流子，但对半导体材料进行热退火处理时，部分掺杂离子受热从半导体材料中逸出，影响半导体材料性能，且污染工艺环境。

技术实现思路

[0003]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0004]本公开提供了一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
[0005]本公开的第一方面提供了一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法，包括：
[0006]将目标结构置于反应腔中；
[0007]在所述目标结构上形成第一氧化层，所述第一氧化层具有第一厚度；在所述第一氧化层下方形成第二氧化层，所述第二氧化层具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。
[0008]根据本公开的一些实施例，在所述目标结构上形成第一氧化层，包括：
[0009]调节所述反应腔内的压力至第一压力；
[0010]在所述第一压力下，对所述目标结构持续加热第一时长，将所述目标结构加热至第一温度，在所述目标结构的表面形成第一氧化层。
[0011]根据本公开的一些实施例，在所述第一氧化层下方形成第二氧化层，包括：
[0012]调节所述反应腔内的压力至第二压力；
[0013]在所述第二压力下，将所述目标结构加热至第二温度，并保持第二温度持续预设时长，在所述第一氧化层下方形成第二氧化层，其中，将所述目标结构加热至所述第二温度并保持所述第二温度的总时长为第二时长。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述第一压力大于所述第二压力，所述第一压力为3atm～20atm；所述第二压力为0.5atm～2atm。
[0015]根据本公开的一些实施例，所述第一压力和所述第二压力均为3atm～20atm。
[0016]根据本公开的一些实施例，所述第一压力小于所述第二压力，所述第一压力为0.5atm～2atm；所述第二压力为3atm～20atm。
[0017]根据本公开的一些实施例，所述第一厚度大于0.1nm，所述第一厚度和所述第二厚
度之和小于3nm。
[0018]根据本公开的一些实施例，所述第一温度的值小于或等于所述第二温度的值的1/2，所述第一温度为450℃～550℃，所述第二温度为950℃～1100℃。
[0019]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的形成方法，还包括：
[0020]以第一流量速率向所述反应腔通入含氧气体；
[0021]以第二流量速率向所述反应腔通入催化剂，所述催化剂为气体，所述催化剂包括卤素单质或卤素化合物。
[0022]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的形成方法还包括：
[0023]对所述目标结构进行热处理，控制所述第二流量速率与所述热处理的时长呈正相关，由所述第一氧化层的顶面至所述第二氧化层的底面，所述第一氧化层和所述第二氧化层的致密度逐渐增大；
[0024]或者，
[0025]对所述目标结构进行热处理，控制所述第二流量速率与所述热处理的时长呈负相关，由所述第一氧化层的顶面至所述第二氧化层的底面，所述第一氧化层和所述第二氧化层的致密度逐渐减小。
[0026]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的形成方法还包括：
[0027]在所述第一时长中，向所述反应腔中通入所述含氧气体和所述催化剂；在所述第一时长的结束时，停止向所述反应腔中通入所述催化剂，以使所述第一氧化层的致密度大于所述第二氧化层的致密度。
[0028]根据本公开的一些实施例，所述半导体结构的形成方法还包括：
[0029]在所述第一时长中以及所述第二时长中，向所述反应腔中通入所述含氧气体；自所述第二时长的开始时，向所述反应腔中通入所述催化剂，以使所述第二氧化层的致密度大于所述第一氧化层的致密度。
[0030]根据本公开的一些实施例，所述第一流量速率与所述第二流量速率的比值大于10:1。
[0031]根据本公开的一些实施例，所述第一流量速率为200sccm～500sccm；所述第二流量速率为10sccm～50sccm。
[0032]根据本公开的一些实施例，向所述反应腔中通入包括所述含氧气体和所述催化剂的混合气体；
[0033]或者，
[0034]向所述反应腔中以脉冲交替方式通入所述含氧气体和所述催化剂。
[0035]根据本公开的一些实施例，所述目标结构包括掺杂区域，所述掺杂区域中注入有掺杂离子，所述掺杂离子被激活而从所述目标结构中逸出的温度大于所述第一温度。
[0036]本公开的第二方面提供了一种半导体结构，所述半导体结构包括：
[0037]掺杂区域，所述掺杂区域包括掺杂离子；
[0038]第一氧化层，所述第一氧化层覆盖在所述半导体结构的表面，所述第一氧化层具有第一厚度；
[0039]第二氧化层，所述第二氧化层位于所述第一氧化层下方，所述第二氧化层具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。
[0040]根据本公开的一些实施例，所述第一厚度大于0.1nm，所述第一厚度和所述第二厚度之和小于3nm。
[0041]根据本公开的一些实施例，所述第一氧化层的致密度大于所述第二氧化层的致密度；
[0042]或者，
[0043]所述第一氧化层的致密度小于所述第二氧化层的致密度。
[0044]根据本公开的一些实施例，由所述第一氧化层的顶面至所述第二氧化层的底面，所述第一氧化层和所述第二氧化层的致密度逐渐增大；
[0045]或者，
[0046]由所述第一氧化层的顶面至所述第二氧化层底面，所述第一氧化层和所述第二氧化层的致密度逐渐减小。
[0047]本公开实施例所提供的半导体结构的形成方法及半导体结构中，在目标结构的表面依次设置有第二氧化层和第一氧化层，第二氧化层和第一氧化层为目标结构提供良好的掩蔽效果，保证半导体结构具有良好的电性能。
[0048]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0049]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0050]图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构的形成方法的流程图。
[0051]图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的形成方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法，包括：将目标结构置于反应腔中；在所述目标结构上形成第一氧化层，所述第一氧化层具有第一厚度；在所述第一氧化层下方形成第二氧化层，所述第二氧化层具有第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述目标结构上形成第一氧化层，包括：调节所述反应腔内的压力至第一压力；在所述第一压力下，对所述目标结构持续加热第一时长，将所述目标结构加热至第一温度，在所述目标结构的表面形成第一氧化层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一氧化层下方形成第二氧化层，包括：调节所述反应腔内的压力至第二压力；在所述第二压力下，将所述目标结构加热至第二温度，并保持第二温度持续预设时长，在所述第一氧化层下方形成第二氧化层，其中，将所述目标结构加热至所述第二温度并保持所述第二温度的总时长为第二时长。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一压力大于所述第二压力，所述第一压力为3atm～20atm；所述第二压力为0.5atm～2atm。5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一压力和所述第二压力均为3atm～20atm。6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一压力小于所述第二压力，所述第一压力为0.5atm～2atm；所述第二压力为3atm～20atm。7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一厚度大于0.1nm，所述第一厚度和所述第二厚度之和小于3nm。8.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一温度的值小于或等于所述第二温度的值的1/2，所述第一温度为450℃～550℃，所述第二温度为950℃～1100℃。9.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法，还包括：以第一流量速率向所述反应腔通入含氧气体；以第二流量速率向所述反应腔通入催化剂，所述催化剂为气体，所述催化剂包括卤素单质或卤素化合物。10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述半导体结构的形成方法还包括：对所述目标结构进行热处理，控制所述第二流量速率与所述热处理的时长呈正相关，由所述第一氧化层的顶面至所述第二氧化层的底面，所述第一氧化层和所述第二氧化层的致密度逐渐增大；或者，对所述目标结构进行热处理，控制所述第二流量速率与所述热处...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐慧文，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：