一种图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器至少包括：逻辑基板；像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；氧化层，设置在所述像素层上；以及防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。本发明专利技术提供了一种图像传感器及其制造方法，能够提升图像传感器的成像效果。够提升图像传感器的成像效果。够提升图像传感器的成像效果。

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种图像传感器及其制造方法。

技术介绍

[0002]在图像传感器中，感光二极管在逻辑电路的后方，光线首先通过逻辑电路层，才能达到感光二极管。在感光二极管获取光效信号的过程中，逻辑电路层的金属布线对光线的反射作用，以及硅基底和介电层等对光线的反射作用，还有光线自然传播中的漫反射损耗，都会造成图像传感器的感光量减小，从而影响图像传感器的成像效果。尤其是在低光照条件下，这样的图像传感器的成像效果很差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种图像传感器及其制造方法，提升了图像传感器的成像效果。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种图像传感器，至少包括：逻辑基板；像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；氧化层，设置在所述像素层上；以及防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括：逻辑基板；像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；氧化层，设置在所述像素层上；以及防反射结构，覆盖在所述氧化层上，所述防反射结构分布在相邻的所述深沟槽隔离结构之间，且所述防反射结构覆盖所述光电反应区，其中，所述防反射结构、所述氧化层和所述光电反应区沿着光线的入射方向依次排布。2.根据权利要求1所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构的折射率和所述氧化层的折射率的乘积等于所述像素层的折射率的平方。3.根据权利要求2所述的一种图像传感器，其特征在于，所述防反射结构上设置有介质层，且所述介质层连接于所述深沟槽隔离结构和所述氧化层。4.根据权利要求3所述的一种图像传感器，其特征在于，所述介质层中设置有遮光结构，所述遮光结构与所述光电反应区间隔分布，且所述遮光结构覆盖所述深沟槽隔离结构。5.根据权利要求4所述的一种图像传感器，其特征在于，所述介质层上设置有多个滤光片，所述滤光片覆盖所述防反射结构。6.根据权利要求5所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙国元，李海洋，郭哲劭，林豫立，刘哲儒，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：