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本发明公开了一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器至少包括：逻辑基板；像素层，连接于所述逻辑基板，所述像素层中设置有多个深沟槽隔离结构；多个光电反应区，阵列分布在所述像素层中，且所述光电反应区设置在相邻的所述深沟槽隔离结构之间；氧化层，...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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