集成电路芯片内部信号增强电路及集成电路芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种集成电路芯片内部信号增强电路及集成电路芯片，该集成电路芯片内部信号增强电路包括控制模块，包括时钟模块、逻辑运算模块，以及子转换模块，所述子转换模块基于所述内部转换控制信号和时钟信号，将所述待转换信号转换为内部传输信号；至少两个负载模块；内部信号转换模块，设置于所述负载模块内和/或两个负载模块之间，所述内部信号转换模块在所述内部转换控制信号触发下，将所述待转换信号转换为内部传输信号。本发明专利技术通过在负载模块之间设置内部信号增强模块，在不增加原有集成电路版图面积的条件下，通过重新生成内部传输信号，以达到增强内部传输信号强度的目的，从而起到降低IRDrop的作用。从而起到降低IRDrop的作用。从而起到降低IRDrop的作用。

【技术实现步骤摘要】
集成电路芯片内部信号增强电路及集成电路芯片


[0001]本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种集成电路芯片内部信号增强电路及集成电路芯片。

技术介绍

[0002]对于任何集成电路IP，其外部供给的电源和地信号都会随着电路中的各类负载(如晶体管、逻辑门等)有不同程度的电压下降或上升，即IRDrop。IR Drop越大，对芯片的供电能力也越不足，会影响芯片的运行速度。对于芯片中的某些关键的逻辑门，若是没有足够的供电，可能会导致芯片的部分或全部功能失效。
[0003]参图1所示，对一个需要内部信号转换的集成电路IP，由于其原有金属线的排列方式及走向，使得内部转换信号需要在PW_CELL模块生成后，除了一开始相连的负载模块(LOAD_bot)，不得不经过长金属线，再供给到负载模块(LOAD_top)，如此，便会让内部转换信号越来越弱，甚至在传输到最远端负载模块(LOAD_top)时，无法正常工作，例如，无法让内部转换信号为输入的逻辑门达到翻转电压。
[0004]现有技术中，一般通过在原有版图设计基础上添加额外的金属线、增宽原有金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路芯片内部信号增强电路，其特征在于，包括：控制模块，包括时钟模块、逻辑运算模块，以及子转换模块，所述时钟模块用于产生时钟信号，所述逻辑运算模块用于将外部功能控制信号生成内部转换控制信号，所述子转换模块用于接收集成电路芯片供给的待转换信号，并基于所述内部转换控制信号和时钟信号，将所述待转换信号转换为内部传输信号；至少两个负载模块，所述内部传输信号供给于所述负载模块；内部信号转换模块，设置于所述负载模块内和/或两个负载模块之间，所述内部信号转换模块在所述内部转换控制信号触发下，将所述待转换信号转换为内部传输信号。2.如权利要求1所述的集成电路芯片内部信号增强电路，其特征在于，所述内部信号转换模块设置于两个负载模块之间。3.如权利要求1所述的集成电路芯片内部信号增强电路，其特征在于，所述内部信号转换模块设置于至少一个负载模块内。4.如权利要求1所述的集成电路芯片内部信号增强电路，其特征在于，所述内部信号转换模块设置于至少一个负载模块内，以及两个负载模块之间。5.如权利要求1所述的集成电路芯片内部信号增强电路，其特征在于，所述内部信号转换模块在若干个内部转换控制信号触发下，将若干个待转换信号转换为若干个内部传输信号。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：程晓杭，黒木孝一，戚宇韬，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：