一种IGBT驱动模块EMI建模方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT驱动模块EMI建模方法，包括以下步骤：定位IGBT集电极

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT驱动模块EMI建模方法


[0001]本专利技术涉及IGBT建模方法
，更具体地，涉及一种IGBT驱动模块EMI建模方法。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)为绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]IGBT作为开关管，伴随着快速变化的电压和电流，极容易产生电磁干扰。同时，IGBT往往通过大电流以及高电压，在工作时伴随着发热现象。造成IGBT驱动系统温度较高，为了IGBT的正常工作以及提高使用寿命，需要给IGBT增加散热板以保持IGBT工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IGBT驱动模块EMI建模方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、定位一个桥臂上的IGBT集电极
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散热板、IGBT发射极
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散热板和IGBT栅极
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散热板阻抗测试位置并进行阻抗分析，分别得到每个电极散热板的阻抗参数；S2、根据阻抗参数计算所述IGBT集电极
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散热板、IGBT发射极
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散热板和IGBT栅极
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散热板的寄生参数；S3、根据所得寄生参数构建所述IGBT的集电极、发射极和栅极中选择任一极对散热片的阻抗仿真电路；S4、通过阻抗测试获得步骤S3所选电极的对地阻抗测试结果，根据阻抗测试结果对所述阻抗仿真电路进行仿真验证，验证通过则进行下一步，验证不通过则重新执行步骤S3；S5、重复步骤S3和S4直至完成该桥臂上所有寄生参数计算并验证完毕；S6、重复步骤S1
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S5，完成所有桥臂的寄生参数计算，将所有桥臂的寄生参数输入电路仿真软件，建立IGBT驱动模块EMI模型。2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动模块EMI建模方法，其特征在于，所述定位一个桥臂上的IGBT集电极
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散热板、IGBT发射极
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散热板和IGBT栅极
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散热板阻抗测试位置具体为：根据IGBT数据手册定位一个桥臂上的IGBT集电极
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散热板、IGBT发射极
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散热板和IGBT栅极
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散热板阻抗测试位置。3.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动模块EMI建模方法，其特征在于，所述IGBT驱动模块EMI模型包括三个桥臂，每个所述桥臂包括两个IGBT模块，共六个IGBT模块；所述IGBT驱动模块EMI模型将6路IGBT驱动信号分配到每个IGBT模块的栅极。4.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动模块EMI建模方法，其特征在于，步骤S1中所述阻抗分析具体为：利用阻抗分析仪测试所述IGBT集电极
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散热板、IGBT发射极
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散热板和IGBT栅极
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散热板的阻抗参数；校准阻抗分析仪的开路、短路和高频特性，设置阻抗测试扫描参数，将阻抗分析仪的探测端设置在目标端口，得到阻抗幅频特性曲线F
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|Z|和相频特性曲线F
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Phase。5.根据权利要求4所述的一种IGBT驱动模块EMI建模方法，其特征在于，所述设置阻抗测试扫描参数包括有：设置扫频范围为20Hz...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘恩博，吴伟，张宗兵，张磊，
申请(专利权)人：广电计量检测成都有限公司广电计量检测集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：