一种低功耗的熔丝修调电路制造技术

一种极低功耗的熔丝修调电路，其主要包括配置模块、熔丝模块、输出模块和锁存模块等，还包括5个输入输出管脚，即电源VCC输入端、配置电流ib输入端、输出端Fout、enb使能信号输入端和接地端GND。因此，本发明专利技术中的低功耗的熔丝修调电路，当enb使能信号升高后，整个电路功耗几乎为零，并且，此熔丝修调电路的输出为数字信号并自锁，抗干扰能力强。抗干扰能力强。抗干扰能力强。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗的熔丝修调电路


[0001]本专利技术属于集成电路
，涉及一种低功耗的熔丝修调电路。

技术介绍

[0002]在集成电路设计中，经常会用到熔丝修调的设计；集成电路设计中Fuse的是可烧断的poly或者metal熔丝，通常以大电流烧断的金属熔线(Metal Fuse)和多晶硅熔线(Poly Fuse)，或是以激光烧断之金属熔线(Laser Fuse)，通过烧断poly或者metal熔丝可以实现功能和性能的修调。
[0003]请查阅图1和图2，图1所示为现有技术中的熔丝修调电路模块示意图，图2所示为现有技术中的熔丝修调电路的具体结构示意图。如图1所示，该熔丝修调电路模块包括配置模块、熔丝模块和输出模块。如图2所示，该熔丝修调电路模块包括PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、PMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M5、电阻R0、电阻R1、fuse和一个反相器，还包括4个输入输出管脚，即电源VCC输入端、配置电流ib输入端、输出端Fout和接地端GND。
[0004]PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的熔丝修调电路，其特征在于，包括配置模块、熔丝模块、输出模块和锁存模块；还包括5个输入输出管脚，即电源VCC输入端、配置电流ib输入端、输出端Fout、enb使能信号输入端和接地端GND；所述配置模块包括PMOS晶体管M0、PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M6、电阻R0；所述熔丝模块包括PMOS晶体管M3、NMOS晶体管M5、NMOS晶体管M7、电阻R1和fuse；所述输出模块包括输出缓存器I1；所述锁存模块包括第一反向器I2、第二反向器I3、第三反向器I4、PMOS晶体管M8、NMOS晶体管M9、PMOS晶体管M10和NMOS晶体管M11；其中，PMOS晶体管M1、PMOS晶体管M2、PMOS晶体管M3的源极接电源VCC输入端；PMOS晶体管M1的栅极、PMOS晶体管M2的栅极、PMOS晶体管M3的栅极、PMOS晶体管M1的漏极和PMOS晶体管M0的源极相连，所述PMOS晶体管M0的栅极、第四三反向器I4的输入端，NMOS晶体管M11、PMOS晶体管M8的栅极、NMOS晶体管M4的栅极和NMOS晶体管M5的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海，
申请(专利权)人：无锡裕芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：