【技术实现步骤摘要】
ESD器件设计方法、Pcell、工艺设计包及ESD保护电路设计方法
[0001]本专利技术涉及集成电路设计
,特别涉及一种ESD器件设计方法、Pcell、工艺设计包及ESD保护电路设计方法。
技术介绍
[0002]静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)是造成大多数电子元件或电子系统受到破坏的主要因素,因此实际电路设计中通常需要设计各种ESD保护电路,其中ESD器件是组成这些保护电路的基本单元,熟悉基本ESD器件的最大承压性能是设计好ESD保护电路的前提。
[0003]然而目前ESD器件的最大承压性能一般都是在器件生产完成后从测量结果中获得的,这导致以下两个问题:(1)需要收集ESD器件的性能信息,并从中获取集ESD器件的最大承压性能,费时费力,效率低;(2)ESD保护电路设计人员无法准确评估其设计的ESD保护电路的承压性能,影响了电路开发效率和准确率。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种ESD器件设计方法、工艺设计包及ESD保护电路设计方法、可读存 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种ESD器件设计方法,其特征在于,包括以下步骤:建立至少一种类型的ESD器件的承压值与其至少一个物理参数之间的映射关系;在PCell中复现每一类型的ESD器件的所述映射关系,以建立相应的可视化界面,以显示相应类型的ESD器件的承压值随着其至少一个物理参数的变化而变化的情况;确定待设计的ESD器件的所需类型,并在所述可视化界面中输入和调整所需类型的ESD器件的物理参数的值,同步读取对应的承压值;在所述承压值符合需求时,输出相应的物理参数的值所对应的ESD器件的版图。2.如权利要求1所述的ESD器件设计方法,其特征在于,针对不同类型的ESD器件分别获取和分析所述类型的ESD器件性能的工业标准测试数据,以建立各个类型的ESD器件的承压值与其相应的物理参数之间的映射关系,且不同类型的ESD器件的映射关系不同。3.如权利要求1所述的ESD器件设计方法,其特征在于,所述ESD器件的类型包括ESD二极管、ESD MOS晶体管和ESD BJT晶体管中的至少一种。4.如权利要求1
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3中任一项所述的设计方法,其特征在于,所述物理参数包括所述ESD器件的至少一种物理尺寸。5.如权利要求4所述的ESD器件设计方法,其特征在于,当所述ESD器件为ESD二极管时,所述物理参数包括ESD二极管器件区域的长度和宽度;当所述ESD器件为ESD MOS晶体管时,所述物理参数包括ESD MOS晶体管的沟道长度和沟道宽度;当所述ESD器件为ESD BJT晶体管时,所述物理参数包括ESD BJT晶...
【专利技术属性】
技术研发人员:于静,陈芳,
申请(专利权)人:绍兴中芯集成电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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