一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路制造技术

一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路，适用于驱动电流较大时主动关闭输出功能的直流电机驱动芯片过流保护模块；过流保护电路包括电流检测电路、基准电压产生电路、电压比较电路、快速开关电路等结构；本发明专利技术利用延迟使能信号，提高了开启瞬间的过流保护阈值，使得电机能够顺利开启；并且采用了快速开关电路，使得电流较大时能够迅速关断，避免了过流烧毁的风险；本发明专利技术具有结构简单，应用兼容性强、实用性强、抗干扰能力强等优势特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路，涉及一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路。

技术介绍

1、电机驱动芯片是集成有互补金属氧化物半导体(缩写为cmos)控制电路和双扩散(double-diffusion mosfet，简称dmos)功率器件的芯片，利用它可以与主处理器和电机和增量型编码器构成一个完整的运动控制系统。电机驱动芯片可以用于驱动直流电机、步进电机和继电器等感性负载。

2、电机驱动芯片在驱动电机工作时，由于种种原因会产生较大的电流，例如短路、堵转和电压过大等情况，为了确保在大电流情况下电机或芯片不被烧毁，必须及时关断。因此，在电机驱动芯片中往往会设计过流保护电路。

3、电机中的过流保护电路设计一般通过对电流进行采样，将采样电流转换为电压，再将采样电压与预设的偏置电压进行对比，判断是否需要关断电机。

4、请参阅图1，图1所示为现有技术中直流电机驱动芯片内的过流保护电路的示意图。如图1所示，在该过流保护电路中，晶体管pmos1、晶体管pmos2、晶体管pmos3的源极接在电源电压；所述晶体管pmos1、晶体管pmos2、晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路，包括晶体管PMOS1、晶体管PMOS2、晶体管PMOS3、晶体管NMOS1、晶体管NMOS2、晶体管NMOS3、晶体管NMOS4、晶体管NMOS5、晶体管NMOS6、晶体管NMOS7和电阻R1；

2.一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路，其特征在于，包括晶体管PMOS1、晶体管PMOS2、晶体管PMOS3、晶体管PMOS4、晶体管PMOS5、晶体管PMOS6、晶体管PMOS7、晶体管NMOS1、晶体管NMOS2、晶体管NMOS3、晶体管NMOS4、晶体管NMOS5、晶体管NMOS6、晶体管NMOS7、晶体管NMOS8、晶体...

【技术特征摘要】

1.一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路，包括晶体管pmos1、晶体管pmos2、晶体管pmos3、晶体管nmos1、晶体管nmos2、晶体管nmos3、晶体管nmos4、晶体管nmos5、晶体管nmos6、晶体管nmos7和电阻r1；

2.一种应用于直流电机驱动芯片内的过流保护电路，其特征在于，包括晶体管pmos1、晶体管pmos2、晶体管pmos3、晶体管pmos4、晶体管pmos5、晶体管pmos6、晶体管pmos7、晶体管nmos1、晶体管nmos2、晶体管nmos3、晶体管nmos4、晶体管nmos5、晶体管nmos6、晶体管nmos7...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海，冷玉晨，
申请(专利权)人：无锡裕芯电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：