一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材及制备方法技术

本发明专利技术属于靶材制备技术领域，公开了一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材及制备方法。所述靶材由摩尔比为97～99.5:3～0.5的氧化锡和氧化钼或氧化钨组成。其制备方法为：将氧化钼粉或氧化钨粉和分散剂加入到水中搅拌分散研磨得到浆料一；然后加入氧化锡粉、水和分散剂搅拌分散研磨得到浆料二；再加入粘结剂搅拌分散研磨，喷雾造粒，混料和筛分，得到混合粉；将所得混合粉进行模压以及冷等静压，然后在400～600℃温度及空气下进行脱脂热处理，升温至1300～1600℃在氧气气氛下进行烧结，得到靶材。本发明专利技术采用原子半径与锡接近的氧化钼或氧化钨进行掺杂，在合适掺杂比例的情况下可显著提高靶材密度并降低靶材电阻。提高靶材密度并降低靶材电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材及制备方法


[0001]本专利技术属于靶材制备
，具体涉及一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材及制备方法。

技术介绍

[0002]靶材是磁控溅射过程中的基本耗材，不仅使用量大，而且靶材质量的好坏对薄膜的性能起着至关重要的决定作用。靶材应用领域比较广泛，主要包括光学靶材、显示薄膜用靶材、半导体领域用靶材、记录介质用靶材、超导靶材等。其中半导体领域用靶材、显示用靶材和记录介质用靶材是当前使用最为广泛的三大靶材。为提升薄膜制备速率和保证薄膜的生长质量，溅射靶材要达到一定的指标要求。近年来，液晶显示、有源有机发光二极管显示以及柔性显示等平板显示技术迅猛发展，作为核心部件的薄膜晶体管(TFT)的重要性不言而喻。其中，基于氧化物半导体的TFT以其较高的迁移率、良好的电学均匀性、高的可见光透过性、较低的制备温度以及较低的成本等优势受到广泛的关注。
[0003]二氧化锡(SnO2)是一种金红石结构的n型半导体材料，其晶体结构比较稳定，耐腐蚀性良好，具有较高的熔点，并且在掺杂后有较低的电阻率和良好烧结性能等优点，在光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材，其特征在于，由摩尔比为97～99.5:3～0.5的氧化锡和氧化钼或氧化钨组成。2.根据权利要求1所述的一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材，其特征在于，所述低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材的相对密度＞97.5％，电阻＜5mΩ.cm。3.根据权利要求1所述的一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材，其特征在于，所述靶材由摩尔比为98:2的氧化锡和氧化钼组成；靶材的相对密度＞99％，电阻＜4mΩ.cm。4.权利要求1～3任一项所述的一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材的制备方法，其特征在于，包括如下制备步骤：(1)将称取好的氧化钼粉末或氧化钨粉末和第一分散剂加入到水中搅拌分散均匀，经过湿法研磨得到浆料一；(2)向步骤(1)所得浆料一中加入称取好的氧化锡粉末、水和第二分散剂，搅拌分散均匀后经过湿法研磨得到浆料二；(3)向步骤(2)所得的浆料二中加入粘结剂，搅拌分散均匀后经过湿法研磨得到浆料三；(4)将步骤(3)中得到的浆料三通过喷雾造粒，再进行混料和筛分，得到氧化锡掺杂氧化钼或氧化锡掺杂氧化钨混合粉；(5)将步骤(4)中所得混合粉进行模压以及冷等静压，得到氧化锡掺杂氧化钼或氧化锡掺杂氧化钨靶胚；(6)将步骤(5)中所得靶胚在400～600℃温度及空气下进行脱脂热处理，然后升高温度至1300～1600℃在氧气气氛下进行烧结，得到所述低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材。5.根据权利要求4所述的一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材的制备方法，其特征在于，所述氧化钼粉末、氧化钨粉末和氧化锡粉末的纯度不低于4N。6.根据权利要求4所述的一种低电阻氧化锡掺杂氧化钼或钨靶材的制备方法，其特征在于，步骤(1)～(3)中所述搅拌分散均匀的转速为6...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗斯诗，李开杰，邵学亮，顾德盛，张兴宇，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：