衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置制造方法及图纸

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜质。其具有：(a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向衬底供给具有N

【技术实现步骤摘要】
衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置


[0001]本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

技术介绍

[0002]作为具有三维结构的3DNAND型闪存、DRAM的字线，例如使用低电阻的金属膜。另外，有时在该金属膜与绝缘膜之间形成阻挡膜(例如参见专利文献1及专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
‑
252221号公报
[0006]专利文献2：日本特开2017
‑
069407号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本公开文本提供能够提高形成于衬底上的膜的膜质的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本公开文本的一个方式，提供一种技术，其进行下述工序：
[0011](a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向衬底供给具有N
‑
N键和N
‑
H键的第二处理气体的工序；和(c)在将衬底加热至250℃以下的温度的状态下，将(a)与(b)进行X(X为自然数)次，形成包含第一元素的第一膜的工序。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开文本，能够提高形成于衬底上的膜的膜质。
附图说明
[0014][图1]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理装置的立式处理炉的概略的纵向剖视图。
[0015][图2]为图1中的A
‑
A线概略横截面图。
[0016][图3]为本公开文本的一个实施方式中的衬底处理装置的控制器的概略构成图，且是以框图来示出控制器的控制系统的图。
[0017][图4]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理顺序的图。
[0018][图5]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理顺序的图。
[0019][图6]为示出本公开文本的一个实施方式中的衬底处理顺序的图。
[0020]附图标记说明
[0021]10衬底处理装置121控制器200晶片(衬底)201处理室
具体实施方式
[0022]以下，参考图1～6进行说明。需要说明的是，以下的说明中使用的附图均为示意性的图，附图中示出的各要素的尺寸关系、各要素的比率等并非必然与实际一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸关系、各要素的比率等也并非必然一致。
[0023](1)衬底处理装置的构成
[0024]衬底处理装置10具备处理炉202，该处理炉202设有作为加热单元(加热机构、加热系统)的加热器207。加热器207为圆筒形状，通过被支承于作为保持板的加热器基座(未图示)而被垂直地安装。
[0025]在加热器207的内侧，与加热器207呈同心圆状地配设有构成处理容器的外管203。外管203由例如石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端闭塞、下端开口的圆筒形状。在外管203的下方，与外管203呈同心圆状地配设有歧管(入口凸缘)209。歧管209由例如不锈钢(SUS)等金属构成，形成为上端及下端开口的圆筒形状。在歧管209的上端部与外管203之间设有作为密封部件的O型圈220a。通过将歧管209支承在加热器基座上，由此外管203成为被垂直地安装的状态。
[0026]在外管203的内侧配设有构成处理容器的内管204。内管204由例如石英(SiO2)、碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端闭塞、下端开口的圆筒形状。主要由外管203、内管204和歧管209构成处理容器。处理容器的筒中空部(内管204的内侧)形成有处理室201。
[0027]处理室201以能够利用后述的晶舟217将作为衬底的晶片200在以水平姿态沿铅垂方向多层地排列的状态下收容的方式构成。
[0028]在处理室201内，以贯通歧管209的侧壁及内管204的方式设有喷嘴410、420、430、440。在喷嘴410、420、430、440上，分别连接有气体供给管310、320、330、340。但是，本实施方式的处理炉202不限于上述的形态。
[0029]在气体供给管310、320、330、340上，从上游侧起依次分别设有作为流量控制器(流量控制部)的质量流量控制器(MFC)312、322、332、342。另外，在气体供给管310、320、330、340上，分别设有作为开闭阀的阀314、324、334、344。在气体供给管310、320、330、340的阀314、324、334、344的下游侧分别连接有供给非活性气体的气体供给管510、520、530、540。在气体供给管510、520、530、540上，从上游侧起依次分别设有作为流量控制器(流量控制部)的MFC512、522、532、542及作为开闭阀的阀514、524、534、544。
[0030]在气体供给管310、320、330、340的前端部分别连结连接有喷嘴410、420、430、440。喷嘴410、420、430、440以L字型的喷嘴的形式构成，其水平部以贯通歧管209的侧壁及内管204的方式设置。喷嘴410、420、430、440的垂直部设在通道形状(槽形)的预备室201a的内部，在预备室201a内沿着内管204的内壁朝向上方(晶片200的排列方向上方)设置，其中，预备室201a以在内管204的径向向外突出且在铅垂方向上延伸的方式形成。
[0031]喷嘴410、420、430、440以从处理室201的下部区域延伸至处理室201的上部区域的方式设置，在与晶片200对置的位置分别设有多个气体供给孔410a、420a、430a、440a。由此，从喷嘴410、420、430、440的气体供给孔410a、420a、430a、440a分别向晶片200供给处理气体。该气体供给孔410a、420a、430a、440a在从内管204的下部至上部的范围内设有多个，各自具有相同的开口面积，并且以相同的开口间距设置。但是，气体供给孔410a、420a、430a、440a不限于上述形态。例如，也可以使开口面积从内管204的下部朝上部逐渐增大。由此，能
够使气体供给孔410a、420a、430a、440a供给的气体的流量更均匀化。
[0032]喷嘴410、420、430、440的气体供给孔410a、420a、430a、440a在从后述的晶舟217的下部至上部的高度的位置设置有多个。因此，从喷嘴410、420、430、440的气体供给孔410a、420a、430a、440a向处理室201内供给的处理气体被供给至收容于晶舟217的下部至上部的晶片200的整个区域。喷嘴410、420、430、440以从处理室201的下部区域延伸至上部区域的方式设置即可，优选以延伸至晶舟217的顶部附近的方式设置。
[0033]从气体供给管310经由MFC312、阀31本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其具有：(a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向所述衬底供给具有N
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N键和N
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H键的第二处理气体的工序；和(c)在将所述衬底加热至250℃以下的温度的状态下，将(a)与(b)进行X(X为自然数)次，形成包含所述第一元素的第一膜的工序。2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(c)于180℃以上、220℃以下的温度进行。3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其具有：(d)向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体的工序；和(e)在(c)之后，将(a)与(d)进行Y(Y为自然数)次，在所述第一膜上形成包含所述第一元素的第二膜的工序。4.如权利要求2所述的衬底处理方法，其具有：(d)向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体的工序；和(e)在(c)之后，将(a)与(d)进行Y(Y为自然数)次，在所述第一膜上形成包含所述第一元素的第二膜的工序。5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其具有(f)在(c)之后，于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序。6.如权利要求2所述的衬底处理方法，其具有(f)在(c)之后，于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序。7.如权利要求3所述的衬底处理方法，其具有(f)在(c)之后，于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序。8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(f)中，具有在(c)之后于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序，在向该高的温度升温的期间向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体。9.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，(f)中，具有在(c)之后于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序，在向该高的温度升温的期间向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体。10.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，(f)中，具有在(c)之后于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序，在向该高的温度升温的期间向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体。11.如权利要求1所述的衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：清野笃郎，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：