衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置制造方法及图纸

本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜质。其具有：(a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向衬底供给具有N

【技术实现步骤摘要】
衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置


[0001]本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。

技术介绍

[0002]作为具有三维结构的3DNAND型闪存、DRAM的字线，例如使用低电阻的金属膜。另外，有时在该金属膜与绝缘膜之间形成阻挡膜(例如参见专利文献1及专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2011
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252221号公报
[0006]专利文献2：日本特开2017
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069407号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]本公开文本提供能够提高形成于衬底上的膜的膜质的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]根据本公开文本的一个方式，提供一种技术，其进行下述工序：
[0011](a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向衬底供给具有N
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N键和N本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.衬底处理方法，其具有：(a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向所述衬底供给具有N
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N键和N
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H键的第二处理气体的工序；和(c)在将所述衬底加热至250℃以下的温度的状态下，将(a)与(b)进行X(X为自然数)次，形成包含所述第一元素的第一膜的工序。2.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(c)于180℃以上、220℃以下的温度进行。3.如权利要求1所述的衬底处理方法，其具有：(d)向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体的工序；和(e)在(c)之后，将(a)与(d)进行Y(Y为自然数)次，在所述第一膜上形成包含所述第一元素的第二膜的工序。4.如权利要求2所述的衬底处理方法，其具有：(d)向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体的工序；和(e)在(c)之后，将(a)与(d)进行Y(Y为自然数)次，在所述第一膜上形成包含所述第一元素的第二膜的工序。5.如权利要求1所述的衬底处理方法，其具有(f)在(c)之后，于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序。6.如权利要求2所述的衬底处理方法，其具有(f)在(c)之后，于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序。7.如权利要求3所述的衬底处理方法，其具有(f)在(c)之后，于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序。8.如权利要求1所述的衬底处理方法，其中，(f)中，具有在(c)之后于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序，在向该高的温度升温的期间向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体。9.如权利要求2所述的衬底处理方法，其中，(f)中，具有在(c)之后于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序，在向该高的温度升温的期间向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体。10.如权利要求3所述的衬底处理方法，其中，(f)中，具有在(c)之后于比(c)的温度高的温度对所述衬底进行热处理的工序，在向该高的温度升温的期间向所述衬底供给具有所述N
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H键、且组成与所述第二处理气体不同的第三处理气体。11.如权利要求1所述的衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：清野笃郎，小川有人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：