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本公开文本涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜质。其具有：(a)向衬底供给包含第一元素和卤素的第一处理气体的工序；(b)向衬底供给具有N
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该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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