具有贯穿衬底过孔的结构及其形成方法技术

公开了一种微电子结构。微电子结构可以包括体半导体部分，该体半导体部分具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。微电子结构可以包括过孔结构，该过孔结构沿着不平行于第一表面的方向至少部分延伸穿过体半导体部分。微电子结构可以包括第一电介质阻挡层，该第一电介质阻挡层设置在体半导体部分的第一表面上并且延伸到过孔结构。微电子结构可以包括第二电介质层，该第二电介质层设置在第一电介质阻挡层上并且延伸到过孔结构。层上并且延伸到过孔结构。层上并且延伸到过孔结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有贯穿衬底过孔的结构及其形成方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月28日提交的题为“STRUCTURES WITH THROUGH
‑
SUBSTRATE VIAS AND METHODS FOR FORMING THE SAME”的美国临时专利申请第63/131,226号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]该领域涉及具有贯穿衬底过孔的结构及其形成方法。

技术介绍

[0004]诸如集成器件裸片或芯片等半导体元件可以安装或堆叠在其他元件上。例如，半导体元件可以安装到载体，诸如封装衬底、中介层、重构的晶片或元件等。作为另一示例，半导体元件可以堆叠在另一半导体元件之上，例如，第一集成器件裸片可以堆叠在第二集成器件裸片上。在一些布置中，贯穿衬底过孔(TSV)可以垂直延伸穿过半导体元件的厚度，以通过半导体元件传输电信号，例如，从半导体元件的第一表面传输到半导体元件的相对的第二表面。仍然需要用于形成TSV的改进的方法。
附图说明
[0005]现在将参考本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种微电子结构，包括：体半导体部分，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；过孔结构，沿着不平行于所述第一表面的方向至少部分地延伸穿过所述体半导体部分；第一电介质阻挡层，设置在所述体半导体部分的所述第一表面上并且延伸到所述过孔结构；以及第二电介质层，设置在所述第一电介质阻挡层上并且延伸到所述过孔结构。2.根据权利要求1所述的微电子结构，其中所述过孔结构包括导电过孔和设置在所述导电过孔周围的电介质衬垫，所述第二电介质层延伸到所述电介质衬垫。3.根据权利要求2所述的微电子结构，其中所述过孔结构包括第二阻挡层，所述第二阻挡层在所述导电过孔与所述电介质衬垫之间沿着所述导电过孔延伸。4.根据权利要求1至3中任一项所述的微电子结构，其中所述第二电介质层包括电介质层，所述电介质层包括氮氧化硅。5.根据权利要求1至3中任一项所述的微电子结构，其中所述第二电介质层包括高温氧化硅层。6.根据权利要求1至3中任一项所述的微电子结构，其中所述第二电介质层包括电介质层，所述电介质层包括碳氮氧化硅。7.根据权利要求1至6中任一项所述的微电子结构，其中所述体半导体部分的与所述过孔结构相邻的第一侧壁具有第一伪影，所述第一伪影指示第一蚀刻工艺，并且所述电介质层的与所述过孔结构相邻的第二侧壁具有第二伪影，所述第二伪影指示不同于所述第一蚀刻工艺的第二蚀刻工艺。8.根据权利要求7所述的微电子结构，其中所述第一伪影和所述第二伪影沿着所述第一侧壁和所述第二侧壁具有不同表面粗糙度轮廓。9.根据权利要求8所述的微电子结构，其中所述第一伪影包括指示Bosch蚀刻工艺的脊。10.根据权利要求1至9中任一项所述的微电子结构，其中所述第一电介质阻挡层包括氮化硅。11.根据权利要求1至10中任一项所述的微电子结构，其中所述过孔结构完全延伸穿过所述体半导体部分、所述第一电介质阻挡层和所述第二电介质层。12.根据权利要求1至11中任一项所述的微电子结构，其中所述过孔结构具有相对于所述第二电介质层的与所述体半导体部分相对的表面而凹陷的端表面。13.根据权利要求12所述的微电子结构，其中所述过孔结构的所述端表面和所述电介质层的所述表面包括平坦化表面。14.根据权利要求1至13中任一项所述的微电子结构，其中所述第二电介质层和所述过孔结构在没有沿着接合界面的介入粘合剂的情况下直接接合到另一元件。15.根据权利要求1至14中任一项所述的微电子结构，其中所述体半导体部分的所述第二表面包括：包括有源电路系统的有源表面、在所述有源表面之上的一个或多个绝缘层、以及在所述一个或多个绝缘层之上的一个或多个线路后端层。16.一种微电子结构，包括：
体半导体部分，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；电介质层，设置在所述体半导体部分的所述第一表面之上；以及过孔结构，沿着不平行于所述第一表面的方向至少部分地延伸穿过所述体半导体部分和所述电介质层，其中所述体半导体部分的与所述过孔结构相邻的第一侧壁具有第一伪影，所述第一伪影指示第一蚀刻工艺，并且所述电介质层的与所述过孔结构相邻的第二侧壁具有第二伪影，所述第二伪影指示不同于所述第一蚀刻工艺的第二蚀刻工艺。17.根据权利要求16所述的微电子结构，其中阻挡电介质层介于所述电介质层与所述体半导体部分之间，但不介于所述电介质层与所述过孔结构之间。18.根据权利要求17所述的微电子结构，其中所述过孔结构包括导电过孔和设置在所述导电过孔周围的电介质衬垫，所述电介质层延伸到所述电介质衬垫。19.根据权利要求18所述的微电子结构，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：美商艾德亚半导体接合科技有限公司，
类型：发明
国别省市：