半导体器件的制备方法技术

本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成多个位线结构，每两相邻的位线结构之间通过第一接触孔隔开，第一接触孔延伸入部分衬底中；形成填充第一接触孔并覆盖位线结构的接触层；在接触层上沉积阻挡层；对阻挡层以及接触层进行退火处理；去除阻挡层。在本申请中，采用此方法制备半导体器件，可以降低接触层中的离子出现溢出的风险，进而提高半导体器件的性能。进而提高半导体器件的性能。进而提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，半导体器件在制备完成位线结构之后，通常会在两相邻的位线结构之间设置一层导电层作为接触层，之后，通常需要对接触层进行退火处理，从而保证接触层的性能的稳定性，进而提高半导体器件的性能，但是这样处理接触层，会存在一个弊端，在对接触层进行退火处理，会导致接触层中离子出现溢出的风险，从而导致接触层中离子浓度降低，进而影响半导体器件的性能。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体器件的制备方法，以降低接触层中的离子出现溢出的风险。
[0004]本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括：
[0005]提供一衬底；
[0006]在所述衬底上形成多个位线结构，每两相邻的所述位线结构之间通过第一接触孔隔开，所述第一接触孔延伸入部分所述衬底中；
[0007]形成填充所述第一接触孔并覆盖所述位线结构的接触层；
[0008]在所述接触层上沉积阻挡层；<br/>[0009]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个位线结构，每两相邻的所述位线结构之间通过第一接触孔隔开，所述第一接触孔延伸入部分所述衬底中；形成填充所述第一接触孔并覆盖所述位线结构的接触层；在所述接触层上沉积阻挡层；对所述阻挡层以及所述接触层进行退火处理；以及去除所述阻挡层。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述接触层上沉积阻挡层之后；在对所述阻挡层以及所述接触层进行退火处理之前，包括：在所述阻挡层上形成牺牲层；在去除所述阻挡层中，包括：去除所述牺牲层以及所述阻挡层。3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述接触层和所述牺牲层的材料包括多晶硅和非晶硅中的至少一种。4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述牺牲层和所述接触层中掺杂有离子，所述接触层的掺杂浓度大于所述牺牲层的掺杂浓度。5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在去除所述阻挡层中，包括：对所述阻挡层以及所述接触层进行第一次蚀刻处理，以去除所述阻挡层以及部分所述接触层，以使得所述接触层形成间隔设置的接触部，所述接触部远离所述衬底的一面低于所述位线结构远离所述衬底的一面。6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述阻挡层的材料包括SiO、SiN、SiON和SiCN中的一种或几种组合。7.根据权利要求1
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6任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄鑫，吴家伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：