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本申请提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成多个位线结构，每两相邻的位线结构之间通过第一接触孔隔开，第一接触孔延伸入部分衬底中；形成填充第一接触孔并覆盖位线结构的接触层；在接触层上沉积阻挡层；对阻挡层以及接触层进行退火...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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