用于IGBT测试的温度控制方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种用于IGBT测试的温度控制方法。包括获取IGBT芯片的理论温度Tj1和NTC的理论温度T41；计算出IGBT模块进行加热和测试时加热装置的目标功率P2和NTC的目标温度T42；比对NTC的理论温度T41和所述NTC的目标温度T42；当所述NTC的理论温度T41与所述NTC的目标温度T42之差超出允许范围时，调整所述目标功率P2，使IGBT芯片保持所需的目标温度Tj2。通过NTC的温度表征IGBT芯片的实际温度，使测试IGBT模块时，IGBT芯片始终保持所需的目标温度Tj2，实现了IGBT模块结温的准确有效控制。温的准确有效控制。温的准确有效控制。

【技术实现步骤摘要】
用于IGBT测试的温度控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种用于IGBT测试的温度控制方法。

技术介绍

[0002]目前，IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)已得到广泛应用。其作为典型功率半导体器件，具有驱动电路简单，稳态损耗和开关损耗平衡良好等优点。为提高封装阶段的成品率，需对芯片的高温漏电特性进行测试。然而，针对IGBT的高温测试，如何准确控制测试温度一直是行业内的一大难题。若无法准确的判断IGBT模块的温度，就无法保证测试温度的一致性，而测试温度不一致会导致各个产品的质量无法保持一致。
[0003]现有IGBT模块的测温方案多为热电偶线直接接触式测温，测量温度受加热工装影响、热电偶接触点温度散热的影响及热电偶接触点接触不良产生的影响，无法准确有效的测量IGBT模块的温度，并且IGBT模块在测试中有热量产生，影响其内部结温，存在测试数值无法表征实际情况的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种用于IGBT测试的温度控制方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于IGBT测试的温度控制方法，其特征在于，包括以下步骤：测量获取IGBT高温测试系统未装载IGBT模块的第一状态下的用于表征系统工作参数的第一数据组；获取IGBT芯片的理论温度Tj1和NTC的理论温度T41；基于所述第一数据组、IGBT芯片的理论温度Tj1和NTC的理论温度T41，计算出所述IGBT高温测试系统在装载有IGBT模块且进行加热的第二状态下的用于表征系统热阻的第二数据组；基于设定的测试IGBT模块时需要的IGBT芯片的目标温度Tj2，结合所述第二数据组，计算出所述IGBT高温测试系统在装载有IGBT模块，且进行加热和测试的第三状态下的所述加热装置的目标功率P2和NTC的目标温度T42；在所述第三状态下，控制所述加热装置以所述目标功率P2加热IGBT模块；比对所述NTC的理论温度T41和所述NTC的目标温度T42；当所述NTC的理论温度T41与所述NTC的目标温度T42之差超出允许范围时，调整所述目标功率P2，使测试所述IGBT模块时，所述IGBT芯片保持所需的目标温度Tj2。2.如权利要求1所述的用于IGBT测试的温度控制方法，其特征在于，所述第一数据组包括：环境温度Ta、加热装置的温度T1、加热工装的温度T2、IGBT模块外壳的温度T3、NTC的电阻R
NTC
、电压V
C
、电流I
C
以及加热装置的理论功率P1。3.如权利要求2所述的用于IGBT测试的温度控制方法，其特征在于，所述获取IGBT芯片的理论温度Tj1的步骤包括：利用所述IGBT高温测试系统测出对应最小电流I
C
的电压V
C
，基于公式V
C
＝K
×
Tj1，计算出所述IGBT芯片的理论温度Tj1；上述式中，K为已知常数。4.如权利要求3所述的用于IGBT测试的温度控制方法，其特征在于，所述NTC的理论温度T41的获取步骤包括：基于所述NTC的电阻R
NTC
，结合已知的RT转换公式，计算出所述NTC的理论温度T41。5.如权利要求4所述的用于IGBT测试的温度控制方法，其特征在于，所述第二数据组包括加热装置至加热工装的热阻R1、加热工装至IGBT模块外壳的热阻R2、IGBT模块外壳至NTC的热阻R3、NT...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洛宁，余辰将，张鲲，
申请(专利权)人：智新半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：