一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具制造技术

本发明专利技术提供了一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，涉及半导体检测技术领域。本发明专利技术的一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具包括依次设置的第一绝缘板、第一电路板和第二绝缘板；第一电路板与第二绝缘板之间设置有目标物；第一电路板的一侧还设置探针座，且探针座处安装有探针；第一电路板通过探针与目标物连接以在第一电路板处施加高压电信号时，通过探针将所述高压电信号传递至目标物以进行高压性能测试，并且通过第一绝缘板和第二绝缘板将高压电信号与外界隔绝。本发明专利技术在目标物与第一电路板的两侧设置第一绝缘板和第二绝缘板，防止目标物在进行高压测试时的高压打火，进而在对目标物进行高压测试的同时保证测试的安全。试的安全。试的安全。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具


[0001]本专利技术涉及半导体检测
，特别是涉及一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具。

技术介绍

[0002]高压Mosfet作为开关器件应用在新能源汽车中越来越多。高压mosfet的可靠性验证只能在晶圆切割和封装成器件以后才能进行，这样会浪费大量的人力物力。目前没有可用的办法进行晶圆级别的mosfet的高压可靠验证，所以急需一种可靠性验证设备来对晶圆级别的mofet进行GB和RB的可靠性验证。市面上可用的WLR设备都只能进行GB的验证，没有高压RB的验证。但是高压性能作为第三代半导体的sic的主要性能，必须进行高压RB的可靠性验证。

技术实现思路

[0003]本专利技术的第一方面的一个目的是要提供一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，解决现有技术中的无法对半导体的高压性能进行验证的问题。
[0004]本专利技术的第一方面的另一个目的是解决的探针在目标物上形成划痕的问题。
[0005]特别地，本专利技术提供一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，包括：
[0006]依次设置的第一绝缘板、第一电路板和第二绝缘板；所述第一电路板与所述第二绝缘板之间设置有目标物；所述第一电路板面向所述目标物的一侧还设置探针座，且所述探针座处安装有探针；所述第一电路板通过所述探针与所述目标物连接以在所述第一电路板处施加高压电信号时，通过所述探针将所述高压电信号传递至所述目标物以进行高压性能测试，并且通过所述第一绝缘板和所述第二绝缘板将所述高压电信号与外界隔绝，所述探针还配置成在所述第一电路板处施加测试电信号时将所述测试电信号传递至所述目标物并传递反馈信号至所述第一电路板。
[0007]可选地，所述第一绝缘板与所述第二绝缘板均选自塑料板或陶瓷板中的一种。
[0008]可选地，所述塑料板的尺寸为10
‑
20mm。
[0009]可选地，还包括：
[0010]第一加热片，所述第一加热片设置在所述第二绝缘板的远离所述目标物的一侧；
[0011]第二电路板，其用于将加热电信号传递给所述第一加热片；所述第二电路板设置在所述第一绝缘板的远离所述第一电路板的一侧；和
[0012]设置在所述目标物位置处的绝缘块，所述绝缘块设置多个第一通孔，所述第一通孔内设置导电柱，所述第二绝缘板处设置有供所述导电柱穿过的第二通孔，以使得所述导电柱一端与所述探针连接，另一端穿过所述第一通孔和所述第二通孔后与所述第一加热片连接，所述加热电信号通过所述第一绝缘板、所述第一电路板后通过所述探针和所述导电柱后传递给所述第一加热片。
[0013]可选地，还包括第二加热片，其设置在所述第一电路板的与所述探针座相反的一
侧位置处，且其形状与所述探针座相适应，所述第二加热片与所述第二电路板电连接使得所述第二电路板的加热电信号传递给所述第一加热片的同时传递给所述第二加热片，进而使得所述第二加热片与所述第一加热片同时进行加热。
[0014]可选地，还包括热沉，其上设置所述目标物，并且所述热沉设置在所述目标物与所述第一加热片之间，所述探针还与所述热沉连接以将所述高压电信号传输给所述热沉后再传递给所述目标物，同时所述第一加热片处的热量通过所述热沉传递给所述目标物。
[0015]可选地，所述热沉包括：
[0016]至少一个真空孔，设置在靠近所述目标物的一侧面处，所述真空孔用于将所述目标物紧贴所述热沉；和
[0017]凹槽，其开口设置在所述热沉的周缘处，用于设置所述绝缘块。
[0018]可选地，
[0019]还包括保温板，所述保温板设置在所述第一加热片的远离所述第二绝缘板的一侧处。
[0020]可选地，还包括密封组件，所述密封组件包括：
[0021]密封框，形成一具有开口的框型结构，所述开口与所述第一电路板的设置有所述探针座的一侧连接形成密封腔，所述密封腔用于容纳所述探针座、所述目标物、所述热沉、所述第一加热片、所述第二绝缘板、所述保温板；和
[0022]密封圈，设置在所述密封框的开口位置处以在所述密封框与所述第一电路板连接时对连接处进行密封。
[0023]可选地，还包括金属饰板，其设置在所述第一绝缘板的远离所述第一电路板一侧，所述金属饰板处设置第三通孔，所述第二电路板设置在所述第三通孔位置处。
[0024]本方案的目标物与第一电路板之间设置探针座，该探针座处设置探针，可以将第一电路板处的高压电信号传递至目标物处以对目标物进行高压测试，而在目标物与第一电路板的两侧设置第一绝缘板和第二绝缘板，通过第一绝缘板和第二绝缘板防止目标物在进行高压测试时的高压打火，进而在对目标物进行高压测试的同时保证测试的安全。
[0025]本实施例中的第二加热片与第一加热片分别设置在探针座及目标物的两侧面，在第一加热片对目标物进行加热的同时，第二加热片也会进行升温，如此可以有效避免因探针两侧升温速度不同导致探针在目标物上有划痕。
[0026]本方案中利用密封组件与盖板整体之间形成密封空间，可以在对目标物在进行加热是避免外界空气氧化，同时做到高压隔绝。此外，密封组件的设置还可以保证密封腔体内的压力达到0.6mPa，进而可以充入高压灭弧气体，进一步防止高压打火。
[0027]根据下文结合附图对本专利技术具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本专利技术的上述以及其他目的、优点和特征。
附图说明
[0028]后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本专利技术的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：
[0029]图1是根据本专利技术一个实施例的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具的示意性
结构图；
[0030]图2是根据本专利技术一个实施例的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具的示意性爆炸图；
[0031]图3是根据本专利技术一个实施例的盖板的示意性结构图；
[0032]图4是根据本专利技术一个实施例的盖板的背面的示意性结构图；
[0033]图5是根据本专利技术一个实施例的盖板的背面的另一个角度的示意性结构图；
[0034]图6是根据本专利技术一个实施例的第二电路板的示意性结构图；
[0035]图7是根据本专利技术一个实施例的热沉的示意性结构图；
[0036]图8是根据本专利技术一个实施例的密封组件的示意性结构图；
[0037]图9是根据本专利技术一个实施例的密封组件的示意性爆炸图；
[0038]图10是根据本专利技术一个实施例的密封组件的另一个角度的示意性结构图；
[0039]图11是根据本专利技术一个实施例的密封组件的局部放大示意性截面图。
具体实施方式
[0040]作为本专利技术一个具体的实施例，本实施例的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具100用于对晶圆级别的半导体尤其是高压Mosfet的GB(Gate bias：栅偏置)和RB(re本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，其特征在于，包括：依次设置的第一绝缘板、第一电路板和第二绝缘板；所述第一电路板与所述第二绝缘板之间设置有目标物；所述第一电路板面向所述目标物的一侧还设置探针座，且所述探针座处安装有探针；所述第一电路板通过所述探针与所述目标物连接以在所述第一电路板处施加高压电信号时，通过所述探针将所述高压电信号传递至所述目标物以进行高压性能测试，并且通过所述第一绝缘板和所述第二绝缘板将所述高压电信号与外界隔绝，所述探针还配置成在所述第一电路板处施加测试电信号时将所述测试电信号传递至所述目标物并传递反馈信号至所述第一电路板。2.根据权利要求1所述的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，其特征在于，所述第一绝缘板与所述第二绝缘板均选自塑料板或陶瓷板中的一种。3.根据权利要求2所述的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，其特征在于，所述塑料板的尺寸为10
‑
20mm。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，其特征在于，还包括：第一加热片，所述第一加热片设置在所述第二绝缘板的远离所述目标物的一侧；第二电路板，其用于将加热电信号传递给所述第一加热片；所述第二电路板设置在所述第一绝缘板的远离所述第一电路板的一侧；和设置在所述目标物位置处的绝缘块，所述绝缘块设置多个第一通孔，所述第一通孔内设置导电柱，所述第二绝缘板处设置有供所述导电柱穿过的第二通孔，以使得所述导电柱一端与所述探针连接，另一端穿过所述第一通孔和所述第二通孔后与所述第一加热片连接，所述加热电信号通过所述第一绝缘板、所述第一电路板后通过所述探针和所述导电柱后传递给所述第一加热片。5.根据权利要求4所述的晶圆级别的半导体高压可靠性测试夹具，其特征在于，还包括第二加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：廉哲，徐鹏嵩，黄建军，胡海洋，
申请(专利权)人：苏州联讯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：