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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种用于IGBT测试的温度控制方法。包括获取IGBT芯片的理论温度Tj1和NTC的理论温度T41；计算出IGBT模块进行加热和测试时加热装置的目标功率P2和NTC的目标温度T42；比对NTC的理论温度T41和...
该专利属于智新半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过智新半导体有限公司授权不得商用。

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