一种多晶硅还原炉电极防护装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉电极防护装置，包括外护筒、内护筒和硅棒承接件；其中，所述的外护筒放置在多晶硅还原炉底盘上，所述的内护筒放置在多晶硅还原炉紧固电极的法兰上，且在所述内护筒上端设置有所述硅棒承接件。该实施方式能够解决多晶硅还原炉电极都处于裸露、无防护状态的技术问题。无防护状态的技术问题。无防护状态的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉电极防护装置


[0001]本技术涉及机械领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉电极防护装置。

技术介绍

[0002]目前，多晶硅还原炉电极采用银或铜作为导体组件部分，银或铜都属于易损、易形变的材料。并且，多晶硅还原炉电极采用陶瓷或石英作为电极绝缘组件部分，电极绝缘组件都属于易破损，不可修复材料。
[0003]在实现本技术过程中，发现现有的多晶硅还原炉电极大都处于裸露、无防护状态；多晶硅还原炉电极所使用的导体组件属于易损组件，且该组件制造成本较高，修复难度大；多晶硅还原炉电极所使用的绝缘组件属于易破损组件，破损后无法修复。针对于多晶硅还原炉电极完整体来说当电极绝缘组件出现破损后无法单独更换电极绝缘组件，只能更换整体电极。目前行业内在保护多晶硅还原炉电极处于空白阶段，没有专用于多晶硅还原炉电极保护的装置或设备。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术实施例提供一种多晶硅还原炉电极防护装置，能够解决多晶硅还原炉电极都处于裸露、无防护状态的技术问题，实现对多晶硅还原炉内电极的保护。
[0005]为实现上述目的，根据本技术实施例提供了一种多晶硅还原炉电极防护装置，包括外护筒、内护筒和硅棒承接件；其中，所述的外护筒放置在多晶硅还原炉底盘上，所述的内护筒放置在多晶硅还原炉紧固电极的法兰上，且在所述内护筒上端设置有所述硅棒承接件。
[0006]可选地，包括：所述内护筒的高度高于多晶硅还原炉电极的电极导体组件的最高处。
[0007]可选地，包括：所述多晶硅还原炉电极防护装置的材质等级采用与多晶硅还原炉基座材质等级相同。
[0008]可选地，包括：设置于所述外护筒侧壁上的连接件，且通过所述连接件将两个多晶硅还原炉电极防护装置安装在一起。
[0009]可选地，包括：所述连接件至少包括两个。
[0010]可选地，包括：所述连接件为开合部件。
[0011]可选地，包括：所述内护筒固定到所述外护筒的内壁上。
[0012]可选地，包括：所述硅棒承接件固定在所述内护筒顶部的内上。
[0013]可选地，包括：所述内护筒和所述外护筒之间利用不锈钢板填充，且将不锈钢板内外边缘固定在所述内护筒的外壁和所述外护筒的内壁上。
[0014]上述技术中的一个实施例具有如下优点或有益效果：本技术在多晶硅还原炉停机多晶硅棒待收割状态下，通过给多晶硅还原炉电极加装防护装置，防止在多晶硅棒收割过程中出现断裂造成电极不可修复的损伤，即在不影响多晶硅棒产品质量的前提下
对多晶硅还原炉电极起到保护作用，且降低生产成本，提高设备完好率。
[0015]上述的非惯用的可选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。
附图说明
[0016]附图用于更好地理解本技术，不构成对本技术的不当限定。其中：
[0017]图1是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极防护装置的俯视图；
[0018]图2是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极防护装置的剖面图；
[0019]图3是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极防护装置的侧面图；
[0020]图4是现有多晶硅还原炉电极简图。
具体实施方式
[0021]以下结合附图对本技术的示范性实施例做出说明，其中包括本技术实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本技术的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
[0022]本技术的至少一个实施例提供了一种多晶硅还原炉电极防护装置，如图1、图2和图4所示，所述多晶硅还原炉电极防护装置可以包括外护筒1、内护筒2和硅棒承接件3。在实施例中，所述的外护筒1放置在多晶硅还原炉底盘上，所述的内护筒2放置在多晶硅还原炉紧固电极的法兰7上，且在所述内护筒2上端设置有所述的硅棒承接件3。
[0023]可以看出，多晶硅还原炉电极防护装置的内护筒2将保护所述多晶硅还原炉电极的电极绝缘组件6(例如：陶瓷或石英套筒)不受硅棒倒炉时撞击破损，外护筒1起到稳定支撑的作用。而多晶硅还原炉电极防护装置的硅棒承接件3是主要受力部分，承担多晶硅棒倒炉后来自硅棒撞击和硅棒本身重量的全部力。硅棒倒炉后直接掉落在硅棒承接件3，防止硅棒撞击电极导体组件，产生不可修复的形变、破损。硅棒承接件3受到的力将通过外护筒1、内护筒2间接传递到还原炉底座上，不会造成多晶硅还原炉电极和多晶硅还原炉电极防护装置自身的损坏，此外多晶硅还原炉电极防护装置可以向还原炉底盘一样，清洗后重复使用，有效避免生产成本的过多投入。
[0024]综上所述，本技术所述的多晶硅还原炉电极防护装置明显克服了现行业内多晶硅还原炉电极本身抗撞击强度低、修复难度大、制造成本高的技术问题，同时实现了降低生产成本，提高多晶硅还原炉关键备件的完好率的技术效果。
[0025]在一些较佳的实施例中，所述内护筒2的高度可以高于多晶硅还原炉电极的电极导体组件5的最高处。
[0026]需要说明的是，所述内护筒2固定到所述外护筒1的内壁上。还有，所述硅棒承接件3固定在所述内护筒2顶部的内上。优选地，内护筒2采用氩弧焊接方式固定到外护筒1内壁上，硅棒承接件3采用氩弧焊的方式固定在内护筒2顶部的内上。
[0027]另外，所述内护筒2和所述外护筒1之间利用不锈钢板填充，且将不锈钢板内外边缘固定在所述内护筒2的外壁和所述外护筒1的内壁上。较佳的，将不锈钢板内外边缘采用氩弧焊接在内护筒2的外壁和外护筒1的内壁上进行固定。
[0028]作为优选地实施例，所述多晶硅还原炉电极防护装置的材质等级采用与多晶硅还原炉基座材质等级相同，从而这样可避免在使用过程中引进新杂质、影响产品质量，同时多晶硅还原炉电极防护装置在每次多晶硅棒收割完成后，可集中清洗，重复回收利用。
[0029]作为本技术进一步的实施例，如图1、图2和图3所示，所述多晶硅还原炉电极防护装置还可以包括设置于所述外护筒1侧壁上的连接件4，且通过所述连接件4将两个多晶硅还原炉电极防护装置安装在一起。较佳地，所述连接件4可以至少包括两个。
[0030]在更进一步的实施例中，所述连接件4为开合部件，该开合部件能够水平方向转动，即将两个多晶硅还原炉电极防护装置之间形成合页式连接。
[0031]作为本技术的再一些实施例，多晶硅还原炉电极防护装置外形既可以采用开合式结构，即利用合页式方式将两个多晶硅还原炉电极防护装置进行连接，从而可以在硅棒收割前临时放置在多晶硅还原炉底盘。以及，多晶硅还原炉电极防护装置外形也可以采用固定式套筒结构(即所述固定式套筒结构为内护筒2和所述外护筒1之间利用不锈钢板填充，且将不锈钢板内外边缘固定在所述内护筒2的外壁和所述外护筒1的内壁上。)，从而可以在多晶硅还原炉运行前固定在其底盘。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉电极防护装置，其特征在于，包括外护筒、内护筒和硅棒承接件；其中，所述的外护筒放置在多晶硅还原炉底盘上，所述的内护筒放置在多晶硅还原炉紧固电极的法兰上，且在所述内护筒上端设置有所述硅棒承接件。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极防护装置，其特征在于，包括：所述内护筒的高度高于多晶硅还原炉电极的电极导体组件的最高处。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极防护装置，其特征在于，包括：所述多晶硅还原炉电极防护装置的材质等级采用与多晶硅还原炉基座材质等级相同。4.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极防护装置，其特征在于，包括：设置于所述外护筒侧壁上的连接件，且通过所述连接件将两个多晶硅还原炉电极防护装置安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨凡，曹得财，陈文凯，马维庆，张江涛，王杰，李星月，刘禹劭，乔亮，雷雨，邵开文，刘赵博，
申请(专利权)人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：