本实用新型专利技术公开了一种多晶硅还原炉电极气密检测装置，包括主体、底部机构和连接机构；其中，所述主体上端固定设置有所述连接机构，且所述主体下端固定设置有所述底部机构；并且，所述底部机构与外置的多晶硅还原炉底座接触，所述的主体将多晶硅还原炉电极罩在其内，同时所述的连接机构外接正压进气管线或负压抽真空管线。该实施方式能够通过对多晶硅还原炉电极进行单独隔离密封，实现对多晶硅还原炉电极单独进行气密检测的目的。电极单独进行气密检测的目的。电极单独进行气密检测的目的。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉电极气密检测装置
[0001]本技术涉及机械领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉电极气密检测装置。
技术介绍
[0002]在实现本技术过程中，发现现有的多晶硅还原炉电极进行气密检测时，大多依赖于还原炉本体进行正压和负压检测，完全没有针对于多晶硅还原炉电极单独进行气密检测的装置。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本技术实施例提供一种多晶硅还原炉电极气密检测装置，能够通过对多晶硅还原炉电极进行单独隔离密封，实现对多晶硅还原炉电极单独进行气密检测的目的。
[0004]为实现上述目的，根据本技术实施例提供了一种多晶硅还原炉电极气密检测装置，包括主体、底部机构和连接机构；其中，所述主体上端固定设置有所述连接机构，且所述主体下端固定设置有所述底部机构；并且，所述底部机构与外置的多晶硅还原炉底座接触，所述的主体将多晶硅还原炉电极罩在其内，同时所述的连接机构外接正压进气管线或负压抽真空管线。
[0005]可选地，包括：所述底部机构的直径大于所述主体的直径，且所述主体的直径大于所述连接机构的直径。
[0006]可选地，包括：所述底部机构设置有密封环。
[0007]可选地，包括：在所述底部机构的底面设置有凹槽，在所述凹槽中安装有密封环。
[0008]可选地，包括：所述连接机构设置有与外接的正压进气管线或负压抽真空管线连接的连接头。
[0009]可选地，包括：所述连接头为螺纹连接头。
[0010]可选地，包括：在外接的正压进气管线或负压抽真空管线上加装阀门。
[0011]可选地，包括：所述的连接机构呈折线形。
[0012]可选地，包括：所述主体的上部分直径小于下部分直径。
[0013]上述技术中的一个实施例具有如下优点或有益效果：本技术提供一种设计合理、结构简单、制造成本低廉、方便操作的多晶硅还原炉电极气密检测的装置，提高了多晶硅还原炉电极气密检测效率，降低生产成本，且避免频繁移动多晶硅还原炉，缩短了多晶硅还原炉电极的维修时间，提高生产效率，实现了降低原有多晶硅还原炉电极气密检测过程因频繁移动多晶硅还原炉产生的工作量，减少原有多晶硅还原炉电极气密检测过程各种检测气的消耗，实现快速完成电极气密检测的目的，同时本技术不参与多晶硅生产制造过程不会对多晶硅产品带入新杂质。
[0014]上述的非惯用的可选方式所具有的进一步效果将在下文中结合具体实施方式加以说明。
附图说明
[0015]附图用于更好地理解本技术，不构成对本技术的不当限定。其中：
[0016]图1是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极气密检测装置的结构示意图；
[0017]图2是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极气密检测装置的检测示意图；
[0018]图3是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极气密检测装置的俯视图；
[0019]图4是根据本技术实施例的多晶硅还原炉电极气密检测装置的底部机构仰视图。
具体实施方式
[0020]以下结合附图对本技术的示范性实施例做出说明，其中包括本技术实施例的各种细节以助于理解，应当将它们认为仅仅是示范性的。因此，本领域普通技术人员应当认识到，可以对这里描述的实施例做出各种改变和修改，而不会背离本技术的范围和精神。同样，为了清楚和简明，以下的描述中省略了对公知功能和结构的描述。
[0021]本技术的至少一个实施例提供了一种多晶硅还原炉电极气密检测装置，如图1所示，所述多晶硅还原炉电极气密检测装置可以包括主体1、底部机构3和连接机构2。其中，所述主体1上端固定设置有所述连接机构2，且所述主体1下端固定设置有所述底部机构3。并且，所述底部机构3与外置的多晶硅还原炉底座接触，所述的主体1将多晶硅还原炉电极罩在其内，同时所述的连接机构2外接正压进气管线或负压抽真空管线。
[0022]可以看出，如图2所示，所述底部机构3直接放置在多晶硅还原炉底座上，可以将需要气密检测的电极罩在所述主体1内，多晶硅还原炉电极气密检测装置与笼罩在内的电极形成一个密封环境。从而，本技术通过前述所述的多晶硅还原炉电极气密检测装置可以克服行业内依赖于多晶硅还原炉对多晶硅还原炉电极进行整体正压测试或者负压检测，实现快速对多晶硅还原炉内多个电极中的某一特定电极进行气密检测，且避免频繁移动多晶硅还原炉带来的工作量，减少在电极气密检测过程中检测气的消耗，缩短了多晶硅还原炉电极的维修时间。
[0023]另外，多晶硅还原炉电极气密检测装置结构可根据还原炉电极实际外形进行调整，制造可选用材质为普通不锈钢材质或其他材质。
[0024]在一些较佳的实施例中，如图1和2所示，所述底部机构3的直径大于所述主体1的直径，且所述主体1的直径大于所述连接机构2的直径。从而，可以使得所述多晶硅还原炉电极气密检测装置实现效果更为好的密封环境。
[0025]作为优选地实施例，所述主体1的上部分直径小于下部分直径，不仅可以使得所述底部机构3与外置的多晶硅还原炉底座接触的更为充分，且密封效果更好。
[0026]作为本技术进一步的实施例，如图1和2所示，所述多晶硅还原炉电极气密检测装置的所述连接机构3设置有与外接的正压进气管线或负压抽真空管线连接的连接头。较佳的，所述连接头可以设计为螺纹连接头4。
[0027]值得说明的是，在外接的正压进气管线或负压抽真空管线上加装阀门。
[0028]在更进一步的实施例中，所述的连接机构3可以呈折线形。例如，所述连接机构3可以设计为具有一个折线的通道。
[0029]根据上面所述的各个实施例，所述螺纹连接头4可外接正压进气管线或负压抽真
空管线并在管线上加装阀门，从而多晶硅还原炉电极气密检测装置的螺纹连接头4外接阀门配合，使内部笼罩电极的空间形成密封环境，达到快速完成电极气密检测的目的。
[0030]作为本技术的另一些实施例，如图1所示，所述底部机构3设置有密封环5。进一步的实施例，在所述底部机构3的底面设置有凹槽，在所述凹槽中安装有密封环5，参见图3和图4所示，密封环5置于所述底部机构的外边缘31和内边缘32之间，多晶硅还原炉电极气密检测装置在自身重力或外加重力下依靠密封环5与多晶硅还原炉底座直接接触。
[0031]需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”等内容可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0032]上述具体实施方式，并不构成对本技术保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，取决于设计要求和其他因素，可以发生各种各样的修改、组合、子组合和替代。任何在本技术的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术保护范围之内。
本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉电极气密检测装置，其特征在于，包括主体、底部机构和连接机构；其中，所述主体上端固定设置有所述连接机构，且所述主体下端固定设置有所述底部机构；并且，所述底部机构与外置的多晶硅还原炉底座接触，所述的主体将多晶硅还原炉电极罩在其内，同时所述的连接机构外接正压进气管线或负压抽真空管线。2.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极气密检测装置，其特征在于，包括：所述底部机构的直径大于所述主体的直径，且所述主体的直径大于所述连接机构的直径。3.根据权利要求1所述的多晶硅还原炉电极气密检测装置，其特征在于，包括：所述底部机构设置有密封环。4.根据权利要求3所述的多晶硅还原炉电极气密检测装置，其特征在于，包括：在所述底部机构的底面设置...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凡，曹得财，陈文凯，马维庆，王杰，李星月，刘禹劭，乔亮，何鹏，雷雨，邵开文，刘赵博，
申请(专利权)人：陕西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。