高频装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能抑制成本的高频装置的制造方法。高频装置的制造方法包括如下工序：在金属基底(10)上搭载第一芯片(20a)，该第一芯片(20a)在上表面设有第一柱(16a)；在所述金属基底(10)上形成覆盖所述第一芯片(20a)的绝缘体层(12)；使所述第一柱(16a)的上表面从所述绝缘体层(12)露出；以及在所述绝缘体层(12)上形成与所述第一柱(16a)连接并传输高频信号的第一布线(18a、18b)。18b)。18b)。

【技术实现步骤摘要】
高频装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及高频装置的制造方法。

技术介绍

[0002]已知一种高频装置，将芯片面朝上安装于在金属基底上设有绝缘性框体的封装件中的金属基底上，并使用接合线将绝缘性框体上的图案与芯片电连接(例如专利文献1、专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2019－176149号公报
[0006]专利文献2：日本特开2001－196865号公报
[0007]在专利文献1中，高频信号在接合线中传输，因此高频特性会劣化。可以考虑使用微带线路来作为传输线路。但是，在芯片与线路的对位精度差的情况下，使得芯片上的电极变大，从而芯片的成本会增大。

技术实现思路

[0008]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种能抑制成本的高频装置的制造方法。
[0009]本公开的一个实施方式是高频装置的制造方法，包括如下工序：在金属基底上搭载第一芯片，该第一芯片在上表面设有第一柱；在所述金属基底上形成覆盖所述第一芯片的绝缘体层；使所述第一柱的上表面从所述绝缘体层露出；以及在所述绝缘体层上形成与所述第一柱连接并传输高频信号的第一布线。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，能提供一种能抑制成本的高频装置的制造方法。
附图说明
[0012]图1是实施例1中的高频装置的剖视图。
[0013]图2是实施例1中的芯片22a和芯片20a附近的电路图。/>[0014]图3是实施例1中的芯片22a附近的俯视图。
[0015]图4是图3的A
‑
A剖视图。
[0016]图5是实施例1中的芯片20a附近的俯视图。
[0017]图6是图5的A
‑
A剖视图。
[0018]图7A是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0019]图7B是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0020]图8A是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0021]图8B是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0022]图9A是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0023]图9B是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0024]图10A是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0025]图10B是表示实施例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0026]图11是表示实施例1的放大装置的例子的框图。
[0027]图12是比较例1中的芯片20a附近的俯视图。
[0028]图13是实施例1中的芯片20a附近的俯视图。
[0029]图14A是表示实施例1的变形例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0030]图14B是表示实施例1的变形例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0031]图15A是表示实施例1的变形例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0032]图15B是表示实施例1的变形例1的高频装置的制造方法的剖视图。
[0033]图16A是表示实施例1的变形例2的高频装置的制造方法的剖视图。
[0034]图16B是表示实施例1的变形例2的高频装置的制造方法的剖视图。
[0035]图17A是表示实施例1的变形例2的高频装置的制造方法的剖视图。
[0036]图17B是表示实施例1的变形例2的高频装置的制造方法的剖视图。
[0037]附图标记说明：
[0038]10：金属基底；
[0039]10a：端子；
[0040]11：引线框架；
[0041]12、26：绝缘体层；
[0042]13a～13e：激光；
[0043]14a：贯通电极(第二贯通电极)；
[0044]14b、14e、29：贯通电极；
[0045]14c：贯通电极(第一贯通电极)；
[0046]15a：贯通孔(第二贯通孔)；
[0047]15b、15d、15e：贯通孔；
[0048]15c：贯通孔(第一贯通孔)；
[0049]16a：柱(第一柱)；
[0050]16b：柱(第二柱)；
[0051]18、28、32、34、38、39：金属层；
[0052]18a、18b：布线(第一布线)；
[0053]18c、18d：布线(第二布线)；
[0054]18e、18f：布线(第三布线)；
[0055]18g：布线(第四布线)；
[0056]18h：布线；
[0057]18i：线路；
[0058]20a：芯片(第一芯片)；
[0059]20b：芯片(第三芯片)；
[0060]20c：层叠体；
[0061]21a、21b：电极(第一电极)；
[0062]23a、23b：电极(第二电极)；
[0063]22a：芯片(第二芯片)；
[0064]24：电子部件；
[0065]25：电极；
[0066]30：电介质基板；
[0067]35：接合材料；
[0068]36：基板；
[0069]37：半导体层；
[0070]40：目标搭载位置；
[0071]60～65：匹配电路；
[0072]66：分配器；
[0073]67：合成器；
[0074]68、69：移相器；
[0075]100：高频装置；
[0076]102：放大装置。
具体实施方式
[0077][本公开的实施方式的说明][0078]首先，列举本公开的实施方式的内容来进行说明。
[0079](1)本公开的一个实施方式是高频装置的制造方法，包括如下工序：在金属基底上搭载第一芯片，该第一芯片在上表面设有第一柱；在所述金属基底上形成覆盖所述第一芯片的绝缘体层；使所述第一柱的上表面从所述绝缘体层露出；以及在所述绝缘体层上形成与所述第一柱连接并传输高频信号的第一布线。由此，能提供一种能抑制成本的高频装置的制造方法。
[0080](2)优选的是，所述高频装置的制造方法包括如下工序：在所述金属基底上搭载第二芯片；在所述绝缘体层形成到达所述第二芯片的上表面的第一贯通孔；在所述第一贯通孔内形成连接于所述第二芯片的上表面的第一贯通电极；以及在所述绝缘体层上形成与所述第一贯通电极连接的第二布线，其中，形成所述绝缘体层的工序包括形成覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的所述绝缘体层的工序。
[0081](3)优选的是，所述第二芯片是具备电介质基板和设于所述电介质基板的上表面的电极的无源元件。
[0082](4)优选的是，所述第一芯片具备晶体管。
[0083](5)优选的是，所述无源元件是连接于所述晶体管的匹配电路中的至少一部分。
[008本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频装置的制造方法，包括如下工序：在金属基底上搭载第一芯片，该第一芯片在上表面设有第一柱；在所述金属基底上形成覆盖所述第一芯片的绝缘体层；使所述第一柱的上表面从所述绝缘体层露出；以及在所述绝缘体层上形成与所述第一柱连接并传输高频信号的第一布线。2.根据权利要求1所述的高频装置的制造方法，包括如下工序：在所述金属基底上搭载第二芯片；在所述绝缘体层形成到达所述第二芯片的上表面的第一贯通孔；在所述第一贯通孔内形成连接于所述第二芯片的上表面的第一贯通电极；以及在所述绝缘体层上形成与所述第一贯通电极连接的第二布线，其中，形成所述绝缘体层的工序包括形成覆盖所述第一芯片和所述第二芯片的所述绝缘体层的工序。3.根据权利要求2所述的高频装置的制造方法，其中，所述第二芯片是具备电介质基板和设于所述电介质基板的上表面的电极的无源元件。4.根据权利要求3所述的高频装置的制造方法，其中，所述第一芯片具备晶体管。5.根据权利要求4所述的高频装置的制造方法，其中，所述无源元件是连接于所述晶体管的匹配电路中的至少一部分。6.根据权利要求2至5中任一项所述的高频装置的制造方法，其中，所述第一芯片具备接合了所述第一柱的第一电极，所述第二芯片具备接合了所...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥长达也，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：