一种封装基板制作方法、NANDFlash封装基板及存储颗粒技术

本申请提出一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒，封装基板制作方法包括：提供覆盖有第一金属层的第一介质层，在第一金属层制作第一线路图形；在第一金属层的设定区域沉积第一线路保护层，在第一线路保护层上沉积第一铜块；在第一金属层上层压形成第二介质层；在第二介质层上形成第二金属层，在第二金属层制作第二线路图形；制作连通第一线路图形和第二线路图形的导通孔；在第二介质层上开槽，暴露第一铜块；在第二金属层上覆盖第二干膜，蚀刻第一铜块；暴露并电镀位于设定区域的第一线路图形和第二线路图形，形成第一金手指和第二金手指。封装基板制作方法能够简化制成的封装基板的线路图形，同时有助于减小封装基板的尺寸。装基板的尺寸。装基板的尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造领域，特别是一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒。

技术介绍

[0002]NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，NAND Flash具有容量大，改写速度快等特点，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。根据每个存储单元存储的数据数量，NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC，NAND Flash主要的生产厂家有三星、铠侠、西数、美光等。
[0003]由于各家生产厂家生产的NAND Flash的引脚的功能都不一样，因此在相关技术中，将NAND Flash封装成存储颗粒时，需要为每款NAND Flash设计专门的封装基板。一方面这导致需要重复开发多款封装基板，延长产品开发时间，另一方面这也为产线上封装基板的备料带来麻烦，增大管理成本，甚至可能影响产线的正常运行。
[0004]一些相关技术中在基板的表面设置多组金手指，各组金手指分别与不同型号的NAND Flash匹配，从而实现NAND Flash兼容，但是这样的设计会导致线路复杂，设计难度增大，金手指之间还需要保证最小距离，导致基板的尺寸增大。

技术实现思路

[0005]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种封装基板制作方法、NAND Flash封装基板及存储颗粒，封装基板制作方法用于制作兼容不同型号的NAND Flash的封装基板，封装基板制作方法能够简化封装基板的线路图形，并且有助于减小封装基板的尺寸。
[0006]根据本申请提供的封装基板制作方法，包括以下步骤：
[0007]提供覆盖有第一金属层的第一介质层，在所述第一金属层制作第一线路图形；
[0008]在所述第一金属层的设定区域沉积第一线路保护层，在所述第一线路保护层上沉积第一铜块，其中，所述设定区域指与待形成的阶梯槽相匹配的区域；
[0009]在所述第一金属层上层压形成第二介质层，所述第二介质层的厚度大于所述第一铜块的厚度，以使所述第一铜块内埋于所述第二介质层；
[0010]在所述第二介质层上形成第二金属层，在所述第二金属层制作第二线路图形；
[0011]制作连通所述第一线路图形和所述第二线路图形的导通孔；
[0012]在所述第二介质层上开槽，暴露所述第一铜块；
[0013]在所述第二金属层上覆盖第二干膜，蚀刻所述第一铜块；
[0014]暴露并电镀位于所述设定区域的所述第一线路图形和所述第二线路图形，形成第一金手指和第二金手指。
[0015]根据本申请提供的封装基板制作方法，至少具有如下技术效果：第一金手指和第二金手指分别用于匹配不同型号的NAND Flash，因此封装基板制作方法能够制作兼容不同
型号的NAND Flash的封装基板，通过采用多层设计并以阶梯槽的方式暴露第一金手指和第二金手指，能够简化制成的封装基板的线路图形，同时有助于减小封装基板的尺寸。
[0016]根据本申请的一些实施例，所述提供覆盖有第一金属层的第一介质层，在所述第一金属层制作第一线路图形，包括：在所述第一金属层上沉积铜箔；在所述铜箔上覆盖第一干膜，曝光显影以暴露所述设定区域；在所述设定区域电镀沉积所述第一线路保护层；在所述第一线路保护层上电镀沉积所述第一铜块；其中，所述铜箔的厚度在1μm至2μm之间。
[0017]根据本申请的一些实施例，所述在所述第一线路保护层上电镀沉积所述第一铜块之后，还包括：退膜去除所述第一干膜；闪蚀去除所述铜箔。
[0018]根据本申请的一些实施例，所述暴露并电镀位于所述设定区域的所述第一线路图形和所述第二线路图形，包括：去除所述第一线路保护层；闪蚀去除所述铜箔；退膜去除所述第二干膜；在所述第二金属层上形成第二线路保护层；在所述第二线路保护层上开窗，以暴露所述设定区域。
[0019]根据本申请的一些实施例，所述第一铜块的边界相对于所述特定区域的边界内缩至少100μm。
[0020]根据本申请的一些实施例，所述第一铜块的厚度大于或等于30μm，所述第一铜块为实心的块体或者中空的环体。
[0021]根据本申请的一些实施例，所述第二线路图形与所述特定区域的最小距离大于或等于200μm。
[0022]根据本申请的一些实施例，使用激光工艺在所述第二介质层上开槽，开槽完成后进行desmear处理。
[0023]根据本申请提供的NAND Flash封装基板，由本申请提供的封装基板制作方法制成。
[0024]根据本申请提供的存储颗粒，包括本申请提供的NAND Flash封装基板。
[0025]本申请提供的NAND Flash封装基板以及本申请提供的存储颗粒相应具有前述的封装基板制作方法带来的有益效果，在此不再赘述。
附图说明
[0026]本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0027]图1是本申请实施例的封装基板制作方法的流程示意图；
[0028]图2至图4是根据本申请实施例的封装基板制作方法制作封装基板的流程示意图；
[0029]图5是本申请实施例的存储颗粒的结构示意图；
[0030]图6是本申请实施例的存储颗粒的结构示意图。
[0031]附图标记：
[0032]第一介质层110、第一线路图形120、第一金手指121、第二介质层130、第二线路图形140、第二金手指141、第三介质层150、第三线路图形160、第四线路图形170、阻焊层180、第一铜块190、NAND flash900。
具体实施方式
[0033]下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
[0034]在本申请的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0035]在本申请的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0036]本申请的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本申请中的具体含义。
[0037]参照图1至图4，根本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装基板制作方法，其特征在于，所述封装基板制作方法包括以下步骤：提供覆盖有第一金属层的第一介质层，在所述第一金属层制作第一线路图形；在所述第一金属层的设定区域沉积第一线路保护层，在所述第一线路保护层上沉积第一铜块，其中，所述设定区域指与待形成的阶梯槽相匹配的区域；在所述第一金属层上层压形成第二介质层，所述第二介质层的厚度大于所述第一铜块的厚度，以使所述第一铜块内埋于所述第二介质层；在所述第二介质层上形成第二金属层，在所述第二金属层制作第二线路图形；制作连通所述第一线路图形和所述第二线路图形的导通孔；在所述第二介质层上开槽，暴露所述第一铜块；在所述第二金属层上覆盖第二干膜，蚀刻所述第一铜块；暴露并电镀位于所述设定区域的所述第一线路图形和所述第二线路图形，形成第一金手指和第二金手指。2.根据权利要求1所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一金属层的设定区域沉积第一线路保护层，包括：在所述第一金属层上沉积铜箔；在所述铜箔上覆盖第一干膜，曝光显影以暴露所述设定区域；在所述设定区域电镀沉积所述第一线路保护层；在所述第一线路保护层上电镀沉积所述第一铜块；其中，所述铜箔的厚度在1μm至2μm之间。3.根据权利要求2所述的封装基板制作方法，其特征在于，所述在所述第一线路保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：王闻师，胡秋勇，赖鼐，龚晖，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：