【技术实现步骤摘要】
一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置
[0001]本申请实施例涉及半导体
,具体而言,涉及一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置。
技术介绍
[0002]芯片贴合膜(Die Attach Film,DAF)是一种常用于半导体制造中的封装材料,通常由一层基材、一层粘合剂以及一层保护膜组成。它的主要作用是固定芯片和基板之间的位置,并提供电气和热传导路径。DAF膜是一种非常方便的封装材料,因为它可以在生产过程中快速、准确地定位芯片,并且可以在高温下快速粘合。
[0003]然而,大部分的DAF膜主要由粘性强热导率差的有机材料制成,导致利用DAF膜封装的芯片在工作中产生的热量无法得到有效地传输,容易造成局部积热、温度升高等问题。
[0004]因此,如何在封装晶圆的过程中提高DAF膜的热导率成为本领域技术人员当前亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本申请实施例在于提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置,旨在提高晶圆封装过程中的DAF膜的热导率,提高晶圆封装结构的散热效果。< ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于DAF膜的晶圆封装方法,其特征在于,所述方法包括:将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面;对所述DAF膜进行刻蚀,制备得到多个盲孔,所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度;在所述DAF膜的表面沉积种子层,使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁;在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料,直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔;去除所述DAF膜表面多余的金属材料,得到所述晶圆的DAF膜封装结构;利用所述DAF膜封装结构,将所述晶圆封装至基板上。2.根据权利要求1所述的晶圆封装方法,其特征在于,所述对所述DAF膜进行刻蚀,包括:采用激光烧蚀的方式,对所述DAF膜进行微纳加工。3.根据权利要求1所述的晶圆封装方法,其特征在于,所述在所述DAF膜的表面沉积种子层,包括:采用磁控溅射的方式,在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。4.根据权利要求1所述的晶圆封装方法,其特征在于,所述在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料,包括:采用电镀的方式,向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。5.根据权利要求1所述的晶圆封装方法,其特征在于,所述去除所述DAF膜表面多余的金属材料,包括:通过研磨和抛光,去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料,和所述第一金属材料,使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。6.根据权利要求1所述的晶圆封装方法,其特征在于,所述将DAF膜覆盖在晶圆...
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