本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。的热导率。的热导率。
【技术实现步骤摘要】
一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置
[0001]本申请实施例涉及半导体
，具体而言，涉及一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置。
技术介绍
[0002]芯片贴合膜（Die Attach Film，DAF）是一种常用于半导体制造中的封装材料，通常由一层基材、一层粘合剂以及一层保护膜组成。它的主要作用是固定芯片和基板之间的位置，并提供电气和热传导路径。DAF膜是一种非常方便的封装材料，因为它可以在生产过程中快速、准确地定位芯片，并且可以在高温下快速粘合。
[0003]然而，大部分的DAF膜主要由粘性强热导率差的有机材料制成，导致利用DAF膜封装的芯片在工作中产生的热量无法得到有效地传输，容易造成局部积热、温度升高等问题。
[0004]因此，如何在封装晶圆的过程中提高DAF膜的热导率成为本领域技术人员当前亟待解决的问题。
技术实现思路
[0005]本申请实施例在于提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，旨在提高晶圆封装过程中的DAF膜的热导率，提高晶圆封装结构的散热效果。
[0006]本申请实施例第一方面提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法，所述方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
[0007]在一种可选的实施方式中，所述对所述DAF膜进行刻蚀，包括：采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。
[0008]在一种可选的实施方式中，所述在所述DAF膜的表面沉积种子层，包括：采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
[0009]在一种可选的实施方式中，所述在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，包括：采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
[0010]在一种可选的实施方式中，所述去除所述DAF膜表面多余的金属材料，包括：通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材
料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
[0011]在一种可选的实施方式中，所述将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面，包括：采用真空贴膜的方式，将所述DAF膜覆盖在所述晶圆的所述第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面。
[0012]在一种可选的实施方式中，所述第一金属材料为铜，所述种子层的材料为铜和/或钛。
[0013]本申请实施例第二方面提供了一种基于DAF膜的晶圆封装结构，所述晶圆封装结构包括：晶圆和DAF膜封装结构；所述DAF膜封装结构覆盖在所述晶圆的第一表面；所述DAF膜封装结构为嵌入多个金属柱的DAF膜结构，所述金属柱的高度与所述DAF膜结构的厚度相同。
[0014]在一种可选的实施方式中，所述DAF膜封装结构是通过本申请实施例第一方面中任一项所述的基于DAF膜的晶圆封装方法制备得到的。
[0015]本申请实施例第三方面还提供了一种基于DAF膜的晶圆封装装置，所述装置包括：DAF膜覆盖模块，用于将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；盲孔生成模块，用于对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；种子层生成模块，用于在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；第一金属材料填充模块，用于在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；去除模块，用于去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；封装模块，用于利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
[0016]在一种可选的实施方式中，所述盲孔生成模块，包括：激光烧蚀子模块，用于采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。
[0017]在一种可选的实施方式中，所述种子层生成模块，包括：磁控溅射子模块，用于采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。
[0018]在一种可选的实施方式中，所述第一金属材料填充模块，包括：电镀子模块，用于采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。
[0019]在一种可选的实施方式中，所述去除模块，包括：平整化处理子模块，用于通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。
[0020]在一种可选的实施方式中，所述DAF膜覆盖模块，包括：真空贴膜子模块，用于采用真空贴膜的方式，将所述DAF膜覆盖在所述晶圆的所述第一表面，所述晶圆为加工后的晶圆，所述第一表面为所述晶圆的加工面的背面。
[0021]本申请实施例提出的一种基于DAF膜的晶圆封装方法，所述方法包括：将DAF膜覆
盖在晶圆的第一表面；对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。
[0022]具体有益效果在于：本申请通过在DAF膜上进行刻蚀，得到多个盲孔，通过向盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF中嵌入多个金属柱。利用金属材料导热性能好的特点，通过DAF膜中的金属柱，将热量从晶圆底部导出，提升了晶圆封装结构中DAF膜的导热性能。此外，本申请所提出的提升DAF膜热导率的方法，适用于任意类型的DAF膜，不受DAF膜产品型号的限制，扩大了应用范围，降低了实践成本。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本申请一实施例提出的一种基于DAF膜的晶圆封装方法的步骤流程图；图2是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的DAF膜覆盖晶圆的结构示意图；图3是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的盲孔的结构示意图；图4是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的种子层的结构示意图；图5是本申请一实施例提出的一种晶圆封装方法中形成的填充第一金属材料后的结构示意图本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于DAF膜的晶圆封装方法，其特征在于，所述方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对所述DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，所述盲孔的深度为所述DAF膜的厚度；在所述DAF膜的表面沉积种子层，使所述种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至所述第一金属材料完全填充所述盲孔；去除所述DAF膜表面多余的金属材料，得到所述晶圆的DAF膜封装结构；利用所述DAF膜封装结构，将所述晶圆封装至基板上。2.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述对所述DAF膜进行刻蚀，包括：采用激光烧蚀的方式，对所述DAF膜进行微纳加工。3.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述在所述DAF膜的表面沉积种子层，包括：采用磁控溅射的方式，在所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面上沉积种子层。4.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述在所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，包括：采用电镀的方式，向所述盲孔中填充与所述种子层的材料相同或匹配的所述第一金属材料。5.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述去除所述DAF膜表面多余的金属材料，包括：通过研磨和抛光，去除所述DAF膜表面上的所述种子层的材料，和所述第一金属材料，使所述DAF膜背离所述第一表面的一侧的表面平整。6.根据权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，所述将DAF膜覆盖在晶圆...
【专利技术属性】
技术研发人员：王玮，陈浪，杜建宇，张驰，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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