半导体结构及其制备方法、电子设备技术

本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体器件技术领域，用于解决GaN基HEMT器件的2DEG浓度和电子迁移率低的问题。半导体结构，包括：衬底；势垒层，设置在衬底上；沟道层，设置在势垒层远离衬底的表面，且与势垒层相接触。且与势垒层相接触。且与势垒层相接触。且与势垒层相接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩东，申健，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：