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本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体器件技术领域，用于解决GaN基HEMT器件的2DEG浓度和电子迁移率低的问题。半导体结构，包括：衬底；势垒层，设置在衬底上；沟道层，设置在势垒层远离衬底的表面，且与势垒层相接触...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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