本实用新型专利技术公开一种集成电路高温工作寿命试验系统，属于测试技术领域；该系统包括FPGA模块、微控制器ARM、电源模块和老化箱；所述老化箱中设置被测器件DUT；所述FPGA模块和微控制器ARM均与电平转换电路连接；所述被测器件DUT的VDD引脚和GND引脚与电源模块对应的引脚连接；所述FPGA模块与上位机连接。本实用新型专利技术对于Scan、Mbist试验，采用FPGA模块根据pattern文件数据给被测器件DUT施加激励信号，并回读DUT的scanout，与原始pattern做比对，确认输出符合预期；对于Function试验，采用微控制器ARM做主控，可分别单独对每颗DUT进行固件烧录和寄存器值读取。烧录和寄存器值读取。烧录和寄存器值读取。
【技术实现步骤摘要】
一种集成电路高温工作寿命试验系统
[0001]本技术涉及测试
，具体涉及一种集成电路高温工作寿命试验系统。
技术介绍
[0002]老化集成电路器件或模块时，除了提供工作电源外，同时又对其施加外部激励信号，其老化过程称为动态老化，集成电路高温动态老化系统可用于对各种数字、模拟、数模混合集成电路和SOC电路、微处理器、存储器等微电子电路进行高温动态老化试验。现有国外的ICHTOL无法对单颗DUT进行电流监测，对于MCU器件无法读取内部寄存器值，scan试验无法实时回读DUT的输出状态。现有技术方案无法监测单颗器件电流，只能监测总的电压电流，也无法读寄存器值及状态回读。现有方案只能做常规的组合逻辑电路的老化，对于集成电路，如MCU，并不能有效检测其老化的状态，不利于老化筛选及测试认证等。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于提供一种高效的集成电路高温工作寿命试验系统。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种集成电路高温工作寿命试验系统，包括FPGA模块、微控制器ARM、电源模块和老化箱；
[0005]所述老化箱中设置被测器件DUT；
[0006]所述FPGA模块和微控制器ARM均与电平转换电路连接；
[0007]所述电源模块为FPGA模块、微控制器ARM和被测器件DUT供电；
[0008]被测器件DUT包括SCAN_IN引脚、SCAN_OUT引脚、SCAN_EN引脚、SCAN_COM引脚、NRST引脚、SCAN_CLK引脚、SWCLK引脚、SWDIO引脚、VDD引脚和GND引脚；
[0009]所述被测器件DUT的SCAN_IN引脚、SCAN_OUT引脚、SCAN_EN引脚、SCAN_COM引脚、NRST引脚、SCAN_CLK引脚、SWCLK引脚和SWDIO引脚均与电平转换电路对应的引脚连接；
[0010]所述被测器件DUT的VDD引脚和GND引脚与电源模块对应的引脚连接；
[0011]所述FPGA模块与上位机连接。
[0012]优选地，所述电源模块包括直流电源DC和分布式电源组；
[0013]所述直流电源DC直接为电平转换电路供电；
[0014]所述直流电源DC通过第一电压转换电路后为FPGA模块供电；
[0015]所述直流电源DC通过第二电压转换电路后为微控制器ARM供电；
[0016]所述直流电源DC连接分布式电源组，分布式电源组通过电源控制模块为被测器件DUT供电；
[0017]所述被测器件DUT的VDD引脚和GND引脚与电源控制模块对应的引脚连接。
[0018]优选地，所述分布式电源组包括若干分布式电源DPS。
[0019]优选地，所述电源控制模块包括DPS电源管理模块、电流采集模块、电源开关控制模块和过压过流保护电路；
[0020]所述分布式电源DPS依次通过DPS电源管理模块、电流采集模块和过压过流保护电
路后与被测器件DUT的VDD引脚和GND引脚连接；
[0021]所述电流采集模块与电源开关控制模块连接；
[0022]所述电源开关控制模块与DPS电源管理模块连接。
[0023]优选地，所述直流电源DC为36V直流电源。
[0024]优选地，所述第一电压转换电路和第二电压转换电路均为36V转5V的转换电路。
[0025]优选地，所述微控制器ARM为STM32F429芯片。
[0026]优选地，所述FPGA模块通过百兆网口与上位机连接。
[0027]与现有技术相比，本技术的有益效果为：
[0028]本技术对于Scan、Mbist试验，采用FPGA模块根据pattern文件数据给被测器件DUT施加激励信号，并回读DUT的scanout,与原始pattern做比对，确认输出符合预期；对于Function试验，采用微控制器ARM做主控，可分别单独对每颗DUT进行固件烧录和寄存器值读取。
附图说明
[0029]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细说明。
[0030]图1是一种集成电路高温工作寿命试验系统的单通道系统框图；
[0031]图2是被测器件DUT的结构示意图；
[0032]图3是实施例1四个被测器件DUT的固件烧录与寄存器值的示意图；
[0033]图4是实施例1实时scanout波形回检的示意图。
具体实施方式
[0034]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0035]在本说明书一个或多个实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本说明书一个或多个实施例。在本说明书一个或多个实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本说明书一个或多个实施例中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0036]应当理解，尽管在本说明书一个或多个实施例中可能采用术语第一、第二等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本说明书一个或多个实施例范围的情况下，第一也可以被称为第二，类似地，第二也可以被称为第一。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
[0037]下面结合附图对本技术做进一步的详细描述：
[0038]本技术提供一种集成电路高温工作寿命试验系统，包括FPGA模块、微控制器ARM、电源模块和老化箱；
[0039]所述老化箱中设置被测器件DUT；
[0040]所述FPGA模块和微控制器ARM均与电平转换电路连接；
[0041]所述电源模块为FPGA模块、微控制器ARM和被测器件DUT供电；
[0042]被测器件DUT包括SCAN_IN引脚、SCAN_OUT引脚、SCAN_EN引脚、SCAN_COM引脚、NRST引脚、SCAN_CLK引脚、SWCLK引脚、SWDIO引脚、VDD引脚和GND引脚；
[0043]所述被测器件DUT的SCAN_IN引脚、SCAN_OUT引脚、SCAN_EN引脚、SCAN_COM引脚、NRST引脚、SCAN_CLK引脚、SWCLK引脚和SWDIO引脚均与电平转换电路对应的引脚连接；
[0044]所述被测器件DUT的VDD引脚和GND引脚与电源模块对应的引脚连接；
[0045]所述FPGA模块与上位机连接。
[0046]优选地，所述电源模块包括直流电源DC和分布式电源组；
[0047]所述直流电源DC直接为本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路高温工作寿命试验系统，其特征在于：包括FPGA模块、微控制器ARM、电源模块和老化箱；所述老化箱中设置被测器件DUT；所述FPGA模块和微控制器ARM均与电平转换电路连接；所述电源模块为FPGA模块、微控制器ARM和被测器件DUT供电；被测器件DUT包括SCAN_IN引脚、SCAN_OUT引脚、SCAN_EN引脚、SCAN_COM引脚、NRST引脚、SCAN_CLK引脚、SWCLK引脚、SWDIO引脚、VDD引脚和GND引脚；所述被测器件DUT的SCAN_IN引脚、SCAN_OUT引脚、SCAN_EN引脚、SCAN_COM引脚、NRST引脚、SCAN_CLK引脚、SWCLK引脚和SWDIO引脚均与电平转换电路对应的引脚连接；所述被测器件DUT的VDD引脚和GND引脚与电源模块对应的引脚连接；所述FPGA模块与上位机连接。2.根据权利要求1所述的集成电路高温工作寿命试验系统，其特征在于：所述电源模块包括直流电源DC和分布式电源组；所述直流电源DC直接为电平转换电路供电；所述直流电源DC通过第一电压转换电路后为FPGA模块供电；所述直流电源DC通过第二电压转换电路后为微控制器ARM供电；所述直流电源DC连接分布式电源组，分布式...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡久恒，许卫，胡久旺，安浙文，
申请(专利权)人：杭州高坤电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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