存储器装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及存储器技术领域，公开了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括多个节点接触结构以及电容器结构，电容器结构设置在多个节点接触结构上，且电容器结构包括多个下电极、上电极以及介电层。多个下电极分别设置在多个节点接触结构上，上电极设置在多个下电极上，且介电层设置在上电极与多个下电极之间。上电极包括第一导电层以及第二导电层，第一导电层设置在介电层上，第二导电层设置在第一导电层上，且至少一空隙设置在第二导电层中。如此，可提高存储器装置的制造方法的生产能力。能力。能力。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器
，特别涉及一种包括具有空隙的电容器结构的存储器装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]存储器，例如动态随机存储器(dynamic random access memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电连接存储电容器的存储晶体管，存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，而存储晶体管可通过节点接触结构电连接存储电容器。因应产品需求，存储单元的密度需持续提高，造成相关制造工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加，从而造成生产成本增加。因此，仍需要通过结构设计和/或制造工艺的改善来提高生产效率而降低生产成本。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本公开实施例提供了存储器装置及其制造方法，以解决现有技术中制造工艺与设计上的困难度与复杂度不断增加，从而造成生产成本增加的问题。
[0004]本专利技术提供了一种存储器装置及其制造方法，本专利技术一实施例提供一种存储器装置，其包括多个节点接触结构以及电容器结构。电容器结构设置在多个节点接触结构上，且电容器结构包括多个下电极、上电极以及介电层。多个下电极分别设置在多个节点接触结构上，上电极设置在多个下电极上，而介电层设置在上电极与多个下电极之间。上电极包括第一导电层以及第二导电层。第一导电层设置在介电层上，第二导电层设置在第一导电层上，且至少一空隙设置在第二导电层中。
[0005]本专利技术一实施例提供一种存储器装置的制造方法，其包括下列步骤。在节点接触结构上形成电容器结构，且电容器结构包括下电极、上电极以及介电层。下电极设置在节点接触结构上，上电极设置在下电极上，而介电层设置在下电极与上电极之间。上电极包括第一导电层以及第二导电层。第一导电层设置在介电层上，第二导电层设置在第一导电层上，且至少一空隙形成在第二导电层中。
[0006]有益效果
[0007]本专利技术实施例与现有技术相比存在的有益效果至少包括：通过在电容器结构中设置空隙，并使空隙位于具有多层结构的上电极中的一个导电层中，从而在提高制造方法的生产能力的状况下降低空隙对上电极的负面影响。
附图说明
[0008]所附图示提供对于本专利技术实施例更深入的了解，并纳入此说明书成为其中一部分。这些图示与描述，用来说明一些实施例的原理。需注意的是所有图示均为示意图，以说明和制图方便为目的，相对尺寸及比例都经过调整。相同的符号在不同的实施例中代表相对应或类似的特征。
[0009]图1为本专利技术第一实施例的存储器装置的示意图。
[0010]图2到图9为本专利技术一实施例的存储器装置的制造方法示意图，其中图3为图2之后的状况示意图，图4为图3之后的状况示意图，图5为图4之后的状况示意图，图6为图5之后的状况示意图，图7为图6之后的状况示意图，图8为图7之后的状况示意图，图9为图8之后的状况示意图。
[0011]图10为本专利技术第二实施例的存储器装置的示意图。
[0012]图11为本专利技术第三实施例的存储器装置的示意图。
[0013]图12为本专利技术第四实施例的存储器装置的示意图。
[0014]图13为本专利技术第五实施例的存储器装置的示意图。
[0015]图14为本专利技术第六实施例的存储器装置的示意图。
[0016]图15为本专利技术第七实施例的存储器装置的示意图。
[0017]其中，附图标记说明如下：
[0018][0019]具体实施方式
[0020]为使熟悉本专利技术所属
的一般技术者能进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的数个优选实施例，并配合附图，详细说明本专利技术的技术方案以及所欲达成的功效。本专利技术所属领域的技术人员能在不脱离本专利技术的精神下，参考以下所举实施例，而将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。
[0021]在下文中使用术语“形成”或“设置”来描述将材料层施加到目标物上的行为。这些术语旨在描述任何可行的层形成技术，包括但不限于热生长、溅射、蒸发、化学气相沉积、磊晶生长、电镀等。
[0022]需要注意，当部件被称为“固定于”或“设置于”另一个部件，它可以直接或者间接位于该另一个部件上。当一个部件被称为“连接于”另一个部件，它可以是直接或者间接连接至该另一个部件上。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置为基于附图所示的方位或位置，仅是为了便于描述，不能理解为对本技术方案的限制。
[0023]请参阅图1。图1为本专利技术第一实施例的存储器装置101的示意图。如图1所示，存储器装置101包括节点接触结构22以及电容器结构CP，电容器结构CP设置在节点接触结构22上，且电容器结构CP包括下电极BE、上电极TE以及介电层DL。下电极BE设置在节点接触结构22上，上电极TE设置在下电极BE上，而介电层DL设置在上电极TE与下电极BE之间。上电极TE包括第一导电层T1以及第二导电层T2，第一导电层T1设置在介电层DL上，第二导电层T2设置在第一导电层T1上，且至少一空隙VD设置在第二导电层T2中。由于空隙VD是位于上电极TE的第二导电层T2中而不影响上电极TE的第一导电层T1与介电层DL之间的连接状况，故可
在不影响电容器结构CP的操作以及电容值的状况下允许在电容器结构CP的上电极TE中形成有空隙，从而可利用较快速的制造工艺形成电容器结构CP，故可提高对应工艺设备的生产能力(throughput)、提高产能和/或相对地降低生产成本。
[0024]在一些实施例中，存储器装置101可包括多个节点接触结构22，而电容器结构CP可包括多个下电极BE，但并不以此为限。电容器结构CP可设置在多个节点接触结构22上，且多个下电极BE可分别设置在多个节点接触结构22上。举例来说，多个下电极BE可彼此互相分离而未直接相连，各下电极BE可与多个节点接触结构22中的一个相连且与此对应的节点接触结构22电连接。此外，上电极TE可设置在多个下电极BE上，而介电层DL可设置在上电极TE与多个下电极BE之间。此外，在一些实施例中，存储器装置101可还包括隔离结构24与多个节点接触结构22相邻设置，隔离结构24可在垂直方向D1上部分位于各节点接触结构22上，且隔离结构24可部分位于相邻的节点接触结构22之间。
[0025][0026]在一些实施例中，隔离结构24与节点接触结构22可设置在半导体衬底(未图示)上，而晶体管结构(未图示)可设置在半导体衬底上且与节点接触结构22电连接，但并不以此为限。此外，上述的垂直方向D1可被视为半导体衬底和/或隔离结构24的厚度方向，而水平方向(例如但并不限于水平方向D2)可大体上与垂直方向D1正交。在本文中所述在垂直方向D1上相对较高的位置和/或部件与节点接触结构22的上表面22TS之间在垂直方向D1上的距离可大于在垂直方向D1上相对较低的位置和/或部件与节点接触结构22的上表面22TS之间在垂直方向D1上的距离，且各部件的下部或底部可比此部件的上部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：多个节点接触结构；以及电容器结构，设置在该多个节点接触结构上，该电容器结构包括：多个下电极，分别设置在该多个节点接触结构上；上电极，设置在该多个下电极上；以及介电层，设置在该上电极与该多个下电极之间，其中该上电极包括：第一导电层，设置在该介电层上；以及第二导电层，设置在该第一导电层上，其中，该第二导电层中设置有至少一空隙。2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该上电极部分设置在任意两个相邻下电极之间，且该至少一空隙设置在该两个下电极之间。3.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，设置在任意两个相邻下电极之间的该至少一空隙包括互相分离的第一空隙与第二空隙，该第二空隙位于该第一空隙之上，且该第二空隙小于该第一空隙。4.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙直接接触该第一导电层。5.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙与该第一导电层互相分离，且该至少一空隙被该第二导电层围绕。6.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，还包括：隔离结构，与该多个节点接触结构相邻设置；以及第一支撑层，沿垂直方向设置在该隔离结构之上，其中该介电层与该上电极部分设置在该第一支撑层与该隔离结构之间。7.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙设置在位于该第一支撑层与该隔离结构之间的上电极的第二导电层中。8.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙在该垂直方向上低于该第一支撑层。9.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，还包括：第二支撑层，沿该垂直方向设置在该第一支撑层之上，其中该介电层与该上电极部分设置在该第二支撑层与该第一支撑层之间。10.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙的至少一部分在该垂直方向上高于该第一支撑层且低于该第二支撑层。11.如权利要求9所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙设置在位于该第二支撑层与该第一支撑层之间的上电极的第二导电层中。12.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空隙的上部宽度小于下部宽度。13.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该至少一空...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴冰星，陈荣华，萧伟明，童宇诚，徐强伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：