晶片表面保护膜分离装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种晶片表面保护膜分离装置，包括壳体，其中，壳体的内壁设有支撑件，支撑件的至少一侧具有分离空间，被晶片表面保护膜覆盖的晶片被放置在该分离空间中，晶片靠置在支撑件上，使晶片能够处于竖直状态，从而有利于晶片表面保护膜借助其重力自晶片上脱落，提高晶片表面保护膜自晶片上的分离效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
晶片表面保护膜分离装置


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶片表面保护膜分离装置。

技术介绍

[0002]晶片是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶片的生产过程中需要对晶片的半成品进行多次加工处理，例如对晶片进行抛光处理、离子注入处理等。为了保证使晶片具有较好的TTV(totalthicknessvariation，总厚度变化)数值，部分晶片(例如60微米厚度的晶片)在加工时需要在其表面粘贴保护膜，例如UV(UltravioletRays，紫外线)膜，待晶片加工完成后，需要将其表面的晶片表面保护膜去除。该UV膜是一种将特殊配方涂料涂布于PET(PolyesterFilm，聚酯薄膜)、PO(polyolefin，聚烯烃)、PVC(Polyvinylchloride，聚氯乙烯)、EVA(EthyleneVinylAcetate，乙烯基乙酸乙酯)等薄膜基材表面形成的膜，能够起到阻隔紫外线及短波长可见光的效果。
[0003]目前，在晶片加工完成后，工作人员主要依靠化学试剂去除晶片表面的晶片表面保护膜(例如UV膜)，去除效率低。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种晶片表面保护膜分离装置，用以辅助去除晶片表面的晶片表面保护膜。
[0005]本申请实施例提供了一种晶片表面保护膜分离装置，包括壳体，
[0006]壳体的内壁设有支撑件，支撑件的至少一侧具有分离空间，分离空间用于放置被晶片表面保护膜覆盖的晶片，晶片靠置在支撑件上，以使晶片表面保护膜利用其重力自晶片上分离。
[0007]在一种可行的实现方式中，壳体的内壁上均匀间隔设有多个支撑件，相邻两个支撑件之间的空间被配置为分离空间。
[0008]在一种可行的实现方式中，支撑件的至少一侧与壳体的高度方向存在夹角，以用于晶片靠置。
[0009]在一种可行的实现方式中，壳体包括底壁和围设在底壁外沿的侧壁，底壁和侧壁围合出晶片处理空间，分离空间位于晶片处理空间中；
[0010]侧壁包括两个第一侧壁和两个第二侧壁，两个第一侧壁设置在底壁相对的两侧，两个第二侧壁设置在底壁另一相对的两侧；
[0011]多个支撑件设置在至少一个第二侧壁朝向晶片处理空间的一侧，且多个支撑件沿第二侧壁的长度方向均匀间隔分布。
[0012]在一种可行的实现方式中，还包括限位件，限位件设置在底壁朝向分离空间的一侧，限位件沿壳体的宽度方向延伸，晶片的一端抵接在限位件上，限位件用于阻挡晶片的移动。
[0013]在一种可行的实现方式中，靠近第一侧壁的支撑件的厚度大于其他支撑件的厚
度。
[0014]在一种可行的实现方式中，底壁设有通道，通道用于连通底壁的两侧。
[0015]在一种可行的实现方式中，还包括提拉件，第一侧壁远离底壁的一端伸出于第二侧壁，提拉件设置于第一侧壁远离底壁的一端。
[0016]在一种可行的实现方式中，提拉件包括至少一个第一杆件和至少两个第二杆件，至少两个第二杆件分别活动设置在两个第一侧壁远离底壁的一端，所有第一杆件均沿第二侧壁的长度方向延伸，且所有第一杆件的两端分别与位置相对的至少两个第二杆件连接。
[0017]在一种可行的实现方式中，晶片表面保护膜分离装置为特氟龙材质件。
[0018]本申请实施例提供了一种晶片表面保护膜分离装置，包括壳体，其中，壳体的内壁设有支撑件，支撑件的至少一侧具有分离空间，被晶片表面保护膜覆盖的晶片被放置在该分离空间中，晶片靠置在支撑件上，使晶片能够处于竖直状态，从而有利于晶片表面保护膜借助其重力自晶片上脱落，提高晶片表面保护膜自晶片上的分离效率。
附图说明
[0019]图1是本申请一实施例提供的晶片表面保护膜分离装置的结构示意图；
[0020]图2是本申请一实施例提供的晶片表面保护膜分离装置的另一结构示意图。
[0021]附图标记说明：
[0022]100
‑
壳体；200
‑
支撑件；300
‑
分离空间；400
‑
限位件；500
‑
通道；600
‑
提拉件；
[0023]110
‑
底壁；120
‑
侧壁；130
‑
晶片处理空间；410
‑
限位空间；610
‑
第一杆件；620
‑
第二杆件；
[0024]121
‑
第一侧壁；122
‑
第二侧壁；
[0025]A
‑
倾斜平面。
具体实施方式
[0026]为了使本
的人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
[0027]在本申请实施例的描述中，术语“第一”“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0028]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”“相连”“连接”“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0029]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以
是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]为便于对申请的技术方案进行，以下首先在对本申请所涉及到的一些概念进行说明。
[0031]晶片是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶片的生产过程中需要对晶片的半成品进行多次加工处理，例如对晶片进行抛光处理、离子注入处理等。晶片是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶片的生产过程中需要对晶片的半成品进行多次加工处理，例如对晶片进行抛光处理、离子注入处理等。为了保证使晶片具有较好的TTV(totalthicknessvariation，总厚度变化)数值，部分晶片(例如60微米厚度的晶片)在加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，包括壳体(100)，所述壳体(100)的内壁设有支撑件(200)，所述支撑件(200)的至少一侧具有分离空间(300)，所述分离空间(300)用于放置被晶片表面保护膜覆盖的晶片，所述晶片靠置在所述支撑件(200)上，以使所述晶片表面保护膜利用其重力自所述晶片上分离。2.根据权利要求1所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，所述壳体(100)的内壁上均匀间隔设有多个支撑件(200)，相邻两个所述支撑件(200)之间的空间被配置为所述分离空间(300)。3.根据权利要求1所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，所述支撑件(200)的至少一侧与所述壳体(100)的高度方向存在夹角，以用于所述晶片靠置。4.根据权利要求2所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，所述壳体(100)包括底壁(110)和围设在所述底壁(110)外沿的侧壁(120)，所述底壁(110)和所述侧壁(120)围合出晶片处理空间(130)，所述分离空间(300)位于所述晶片处理空间(130)中；所述侧壁(120)包括两个第一侧壁(121)和两个第二侧壁(122)，两个所述第一侧壁(121)设置在所述底壁(110)相对的两侧，两个所述第二侧壁(122)设置在所述底壁(110)另一相对的两侧；多个所述支撑件(200)设置在至少一个所述第二侧壁(122)朝向所述晶片处理空间(130)的一侧，且多个所述支撑件(200)沿所述第二侧壁(122)的长度方向均匀间隔分布。5.根据权利要求4所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜科君，薛海蛟，刘亚明，胡文，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：