晶片表面保护膜分离装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种晶片表面保护膜分离装置，包括壳体，其中，壳体的内壁设有支撑件，支撑件的至少一侧具有分离空间，被晶片表面保护膜覆盖的晶片被放置在该分离空间中，晶片靠置在支撑件上，使晶片能够处于竖直状态，从而有利于晶片表面保护膜借助其重力自晶片上脱落，提高晶片表面保护膜自晶片上的分离效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
晶片表面保护膜分离装置


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种晶片表面保护膜分离装置。

技术介绍

[0002]晶片是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。在晶片的生产过程中需要对晶片的半成品进行多次加工处理，例如对晶片进行抛光处理、离子注入处理等。为了保证使晶片具有较好的TTV(totalthicknessvariation，总厚度变化)数值，部分晶片(例如60微米厚度的晶片)在加工时需要在其表面粘贴保护膜，例如UV(UltravioletRays，紫外线)膜，待晶片加工完成后，需要将其表面的晶片表面保护膜去除。该UV膜是一种将特殊配方涂料涂布于PET(PolyesterFilm，聚酯薄膜)、PO(polyolefin，聚烯烃)、PVC(Polyvinylchloride，聚氯乙烯)、EVA(EthyleneVinylAcetate，乙烯基乙酸乙酯)等薄膜基材表面形成的膜，能够起到阻隔紫外线及短波长可见光的效果。
[0003]目前，在晶片加工完成后，工作人员主要依靠化学试剂去除晶片表面的晶片表面保护膜(例如UV膜)，去除效率低。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，包括壳体(100)，所述壳体(100)的内壁设有支撑件(200)，所述支撑件(200)的至少一侧具有分离空间(300)，所述分离空间(300)用于放置被晶片表面保护膜覆盖的晶片，所述晶片靠置在所述支撑件(200)上，以使所述晶片表面保护膜利用其重力自所述晶片上分离。2.根据权利要求1所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，所述壳体(100)的内壁上均匀间隔设有多个支撑件(200)，相邻两个所述支撑件(200)之间的空间被配置为所述分离空间(300)。3.根据权利要求1所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，所述支撑件(200)的至少一侧与所述壳体(100)的高度方向存在夹角，以用于所述晶片靠置。4.根据权利要求2所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征在于，所述壳体(100)包括底壁(110)和围设在所述底壁(110)外沿的侧壁(120)，所述底壁(110)和所述侧壁(120)围合出晶片处理空间(130)，所述分离空间(300)位于所述晶片处理空间(130)中；所述侧壁(120)包括两个第一侧壁(121)和两个第二侧壁(122)，两个所述第一侧壁(121)设置在所述底壁(110)相对的两侧，两个所述第二侧壁(122)设置在所述底壁(110)另一相对的两侧；多个所述支撑件(200)设置在至少一个所述第二侧壁(122)朝向所述晶片处理空间(130)的一侧，且多个所述支撑件(200)沿所述第二侧壁(122)的长度方向均匀间隔分布。5.根据权利要求4所述的晶片表面保护膜分离装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜科君，薛海蛟，刘亚明，胡文，
申请(专利权)人：济南晶正电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：