发光封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种发光封装结构，其包括发光单元、透光层以及金属层。发光单元包括一顶表面以及连接于顶表面的一侧表面。透光层设置于发光单元上，并且覆盖发光单元的顶表面及侧表面。金属层设置于透光层上。本实用新型专利技术的发光封装结构能够借由金属层的设计来抑制正向发光，并且达到薄型化的效果。并且达到薄型化的效果。并且达到薄型化的效果。

【技术实现步骤摘要】
发光封装结构


[0001]本技术涉及发光封装结构，特别是涉及一种能够抑制正向发光且达到薄型化的发光封装结构。

技术介绍

[0002]利用次毫米发光二极管(mini
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LED)作为背光源的显示器，其所产生的光型需具备均匀柔和的发光效果。为此，现有的背光显示器一般是利用二次光学透镜来抑制mini
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LED所发出的正向光，而仅让mini
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LED所发出的侧向光射至显示面板上，借此来增加显示器整面发光的均匀性。然而，利用二次光学透镜来调整光型的背光显示器在亮度、体积、发光角度设计等各方面的性能表现，都还有很大的改善空间。
[0003]此外，现有技术中，亦有针对mini
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LED的封装结构的进行改良来获得更佳的区域控光，然而，现有的mini
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LED封装结构的设计，对于正向发光的抑制效果相当有限，无法完全遮挡正向光。另一方面，即使能够达到抑制正向光的功效，但现有的mini
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LED封装结构较厚，背离了目前朝向轻薄化发展的趋势。

技术实现思路

[0004]本技术实施例提供一种发光封装结构，来解决现有的发光封装结构无法抑制正向发光而造成亮度不均匀的技术问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术所采用的其中一技术方案是提供一种发光封装结构，其包括发光单元、透光层以及金属层。发光单元包括相对的顶表面以及连接于顶表面的侧表面。透光层设置于发光单元上并且覆盖顶表面。金属层设置于透光层上。
[0006]优选地，金属层的厚度介于10nm～50μm。
[0007]优选地，透光层进一步覆盖发光单元的侧表面。
[0008]优选地，发光封装结构还包括一反射树脂层，设置于透光层与金属层之间。
[0009]优选地，反射树脂层的光反射率小于金属层的光反射率。
[0010]优选地，反射树脂层具有透光度。
[0011]优选地，金属层的厚度小于反射树脂层的厚度。
[0012]优选地，发光封装结构还包括一墙体，墙体设置于发光单元的侧表面。
[0013]优选地，透光层进一步延伸至墙体上方，墙体的顶部切齐发光单元的顶表面，墙体的侧边切齐透光层的侧边。
[0014]优选地，发光封装结构还包括一吸光层，设置于金属层上。
[0015]优选地，金属层的厚度小于吸光层的厚度。
[0016]本技术的其中一有益效果在于，本技术所提供的发光封装结构，能通过金属层设置于透光层上的结构设计来抑制正向发光，并且达到薄型化的效果。
[0017]为使能更进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本技术加
以限制。
附图说明
[0018]图1表示本技术第一实施例的发光封装结构的剖视示意图；
[0019]图2表示本技术第二实施例的发光封装结构的剖视示意图；
[0020]图3表示本技术第三实施例的发光封装结构的剖视示意图；
[0021]图4表示本技术第四实施例的发光封装结构的剖视示意图；
[0022]图5表示本技术第五实施例的发光封装结构的剖视示意图；
[0023]图6表示本技术第一实施例的发光封装结构与现有技术的发光封装结构的亮度比较图；
[0024]图7表示图6中的比较例二的发光强度分布图；
[0025]图8表示图6中的比较例三的发光强度分布图；
[0026]图9表示本技术第一实施例的发光封装结构的发光强度分布图。
具体实施方式
[0027]以下是通过特定的具体实施例来说明本技术所公开有关“发光封装结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本技术的优点与效果。本技术可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本技术的保护范围。
[0028]应当可以理解的是，虽然本文中可能会使用到“第一”、“第二”、“第三”等术语来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语主要是用以区分一元件与另一元件。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0029]实施例
[0030]参阅图1所示，图1为本技术第一实施例的发光封装结构的剖视示意图。本技术第一实施例提供一种发光封装结构M，其包括发光单元1、透光层2以及金属层3。发光单元1包括相对的顶表面11与底表面12，以及连接于顶表面11及底表面12之间的侧表面13。透光层2设置于发光单元1上并且覆盖顶表面11，而金属层3设置于透光层2上并且直接接触透光层2。举例来说，发光单元1为可发出蓝光的发光二极管芯片，但本技术不以此为限。另外，举例来说，在本技术的实施例中，发光单元1还具有两个电极部10。两个电极部10是设置在发光单元1的底表面12，发光单元1通过两个电极部10来电性连接一电路板(图未示出)，也就是说，发光单元1可为倒装式芯片(Flip chip)，而本技术的发光封装结构可为芯片级封装(Chip Scale Package，CSP)结构，然而本技术不以此为限。
[0031]透光层2较佳为一胶层，例如硅胶层。此外，在图1中，透光层2还能够进一步围绕发光单元1并且覆盖发光单元1的侧表面13。在部分实施态样中，透光层2具有于荧光粉，透光层2能够提供波长转换的效果，为发光封装结构提供多种不同于发光单元1所发出光的颜色。因此，当发光单元1发出光线(例如蓝光)后，光线会通过透光层2而激发其内部的荧光粉
来产生其他颜色的光(例如绿光、红光等等)。
[0032]金属层3是由金属材料制成，组成材料包括但不限于银(Ag)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、锌(Zn)、金(Au)及铂(Pt)等。然而，本技术不以上述所举的例子为限。金属层3能够遮蔽发光单元1所发出的光线进行正向出光(或者说能够抑制发光单元1正向发光)，进一步来说，金属层3的光反射率可达98％以上，由发光单元1的发光面(即顶表面11)发出的光线通过透光层2后会被金属层3反射而从发光单元1两侧方向射出，以进行侧向出光。此外，在本技术的实施例中，金属层的厚度H介于10nm～50μm。相较于现有技术需要在透光层上堆栈多层结构而增加整体厚度，本技术的发光封装结构M仅需在透光层2上设置一薄金属层，因此能够有效缩减发光封装结构M的整体尺寸，符合显示器朝向薄型化的设计趋势。
[0033]此外，本技术不以金属层3的形成方式为限。举例来说，可利用物理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光封装结构，其特征在于，所述发光封装结构包括：一发光单元，包括一顶表面以及连接于所述顶表面的侧表面；一透光层，设置于所述发光单元上并且覆盖所述顶表面；以及一金属层，设置于所述透光层上。2.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，所述金属层的厚度介于10nm～50μm。3.根据权利要求1所述的发光封装结构，其特征在于，所述透光层进一步覆盖所述发光单元的所述侧表面。4.根据权利要求3所述的发光封装结构，其特征在于，所述发光封装结构还包括一反射树脂层，设置于所述透光层与所述金属层之间。5.根据权利要求4所述的发光封装结构，其特征在于，所述反射树脂层的光反射率小于所述金属层的光反射率。6.根据权利要求4所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈若昀，陈志源，黄建栋，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：