封装结构及封装结构的封装方法技术

本公开实施例提供一种封装结构及封装结构的封装方法，封装结构包括：基板，基板具有相对的第一面和第二面，第一面上具有第一焊盘；叠层结构，位于第一面上，叠层结构包括朝向远离基板方向堆叠设置且相间隔的多个芯片，芯片具有相对的第三面和第四面，第三面背离基板，第三面具有第二焊盘，芯片的边缘区域具有缺口，缺口由第三面所处平面延伸至芯片中；保护膜，保护膜位于缺口中；导线，导线的一端与第二焊盘相接触，导线的另一端与第一焊盘相接触，导线邻近芯片的部分还与保护膜固定接触。本公开实施例至少有利于降低封装结构出现漏电或短路的可能性。短路的可能性。短路的可能性。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装结构的封装方法


[0001]本公开实施例涉及封装领域，特别涉及一种封装结构及封装结构的封装方法。

技术介绍

[0002]随着电子装置设备的集成度越来越高，半导体封装领域提出了堆叠式半导体封装技术(Package on Package，PoP)和晶片堆叠封装技术(Stacked Die Package)。此类封装是多个封装体或者裸芯片在高度方向上予以重叠达到减小封装体占用面积的目的。目前采用的芯片堆叠方式包括引线键合(Wire Bond，WB)，引线键合包括使用细金属线，利用热、压力、超声波能量为使金属引线与芯片焊盘、基板焊盘紧密焊合，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通。然而，随着堆叠的芯片数量的增加，且封装体的总厚度并不能同比例增加，会压缩预留给引线进行键合的空间，从而可能会出现漏电或者短路等问题。
[0003]因此，亟需对半导体封装技术进行改进。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供一种封装结构及封装结构的封装方法，至少有利于降低封装结构出现漏电或短路的可能性。
>[0005]根据本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有相对的第一面和第二面，所述第一面上具有第一焊盘；叠层结构，位于所述第一面上，所述叠层结构包括朝向远离所述基板方向堆叠设置且相间隔的多个芯片，所述芯片具有相对的第三面和第四面，所述第三面背离所述基板，所述第三面具有第二焊盘，所述芯片的边缘区域具有缺口，所述缺口由所述第三面所处平面延伸至所述芯片中；保护膜，所述保护膜位于所述缺口中；导线，所述导线的一端与所述第二焊盘相接触，所述导线的另一端与所述第一焊盘相接触，所述导线邻近所述芯片的部分还与所述保护膜固定接触。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述导线邻近所述芯片的部分位于所述保护膜内。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护膜的顶面不高于所述第三面。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述保护膜还覆盖所述第三面，且所述第三面上的所述保护膜的厚度小于所述缺口中的所述保护膜的厚度。5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述缺口的内壁面为斜切面，或者，所述缺口的内壁面由与所述第三面连接的侧面和与所述侧面连接的底面构成，所述侧面与所述底面之间的角度大于或等于90
°
。6.一种封装结构的封装方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括多个芯片区以及位于相邻所述芯片区之间的划片道区域，所述划片道区域沿预设方向延伸，所述晶圆具有相对的第三面和第四面，所述第三面上形成有第二焊盘；沿所述划片道区域对所述晶圆进行第一次开槽，以形成第一沟槽，所述第一沟槽深度小于所述晶圆的厚度，所述第一沟槽侧壁与所述第三面相连；沿所述划片道区域对所述晶圆进行第二次开槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄凌艺，刘莹，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：