带支撑体的基板单元、基板单元以及带支撑体的基板单元的制造方法技术

提供无需能量高的UV激光且在支撑体剥离之后也不易产生剥离层的残渣的带支撑体的基板单元、基板单元、半导体装置以及它们的制造方法。一种带支撑体的基板单元，其特征在于，按顺序设置有支撑体、剥离层、吸收激光的激光吸收层、以及第1配线基板，在第1配线基板的第1面，设置有能够与至少一个半导体元件接合的第1电极，在第1配线基板的第2面，设置有能够与第2配线基板接合的第2电极。2配线基板接合的第2电极。2配线基板接合的第2电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】带支撑体的基板单元、基板单元以及带支撑体的基板单元的制造方法


[0001]本专利技术涉及带支撑体的基板单元、基板单元以及带支撑体的基板单元的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，在半导体装置的高速、高度集成化的发展过程中，对于FC
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BGA(Flip Chip
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Ball Grid Array)基板也要求相对于半导体元件的接合端子的窄间距化、基板内的配线的微细化。另一方面，对于FC
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BGA基板与主板的接合，要求利用与当前相比几乎未改变的间距的接合端子的接合。为了应对这种相对于半导体元件的接合端子的窄间距化、FC
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BGA基板内的配线的微细化，研究了几种应对策略。其中之一为如下方式，即，制作在硅基板上形成有微细的配线的半导体元件接合用的基板(硅中介层：silicon interposer)并使其与FC
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BGA基板接合。另外，在专利文献1中公开了如下方式，即，不利用硅中介层，而通过CMP(Chemical Mechanical Polishing、化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种带支撑体的基板单元，其特征在于，按顺序设置有支撑体、剥离层、吸收激光的激光吸收层、以及第1配线基板，在所述第1配线基板的第1面，设置有能够与至少一个半导体元件接合的第1电极，在所述第1配线基板的第2面，设置有能够与第2配线基板接合的第2电极。2.根据权利要求1所述的带支撑体的基板单元，其特征在于，所述剥离层使得大于或等于50％的所述激光透过。3.根据权利要求1或2所述的带支撑体的基板单元，其特征在于，所述激光为红外光。4.根据权利要求1至3中任一项所述的带支撑体的基板单元，其特征在于，所述激光吸收层设置于所述剥离层的俯视时的内侧。5.根据权利要求1至4中任一项所述的带支撑体的基板单元，其特征在于，所述激光吸收层为金属，所述剥离层为有机树脂。6.根据权利要求1至5中任一项所述的带支撑体的基板单元，其特征在于，所述激光吸收层为与上层的晶种层的一部分相同的材料。7.一种基板单元，其是利用权利要求1至6中任一项所述的带支撑体的基板单元而制造的基板单元，该基板单元的特征在于，所述第2配线...

【专利技术属性】
技术研发人员：木津贵志，小林茜，新田祐干，
申请(专利权)人：凸版印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：