陶瓷刻画基板、陶瓷基板、陶瓷刻画基板的制造方法、陶瓷基板的制造方法、陶瓷电路基板的制造方法、半导体元件的制造方法技术

实施方式陶瓷划线基板，在用于形成陶瓷基板的刻画线的表面侧具备多个槽通过光纤激光的照射而连接而成的连续槽，连续槽的深度大于50[μm]，且在陶瓷基板的厚度的0.15倍以上0.55倍以下的范围内。0.55倍以下的范围内。0.55倍以下的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷刻画基板、陶瓷基板、陶瓷刻画基板的制造方法、陶瓷基板的制造方法、陶瓷电路基板的制造方法、半导体元件的制造方法


[0001]实施方式大致涉及陶瓷刻画基板、陶瓷基板、陶瓷刻画基板的制造方法、陶瓷基板的制造方法、陶瓷电路基板的制造方法、以及半导体元件的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着功率电子、下一代功率半导体等需要大电流的半导体元件的发展，兼具散热性和电绝缘性的陶瓷基板的需求逐年增加。特别是，伴随着小型化及高性能化，随着元件的发热增加，为了高效地进行散热，陶瓷基板的厚度有变薄的倾向。
[0003]另一方面，为了降低陶瓷基板的制造成本，进行以更大的形状进行制造的处理。关于陶瓷基板中具有高强度、高韧性且兼具高散热性的氮化硅基板，公开了220[mm]×
220[mm]×
0.32[mm]的大小的基板(专利文献1)。
[0004]作为将为了降低制造成本而较大地制造的氮化硅基板分割为要使用的产品尺寸的方法之一，公开了利用通过激光加工形成的刻画线而进行多件同时加工的方法(专利文献2)。根据专利文献2，在伴随基于激本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种陶瓷刻画基板，其特征在于，在形成陶瓷基板的刻画线的表面侧具备多个槽通过光纤激光的照射连接而成的连续槽，所述连续槽的深度大于50μm，且在所述陶瓷基板的厚度的0.15倍以上0.55倍以下的范围内。2.根据权利要求1所述的陶瓷刻画基板，其特征在于，在所述刻画线的深部侧具备多个槽未通过光纤激光的照射而连接的非连续槽组。3.根据权利要求2所述的陶瓷刻画基板，其特征在于，所述非连续槽组的深度超过所述陶瓷基板的厚度的0倍且为0.45倍以下。4.根据权利要求2或3所述的陶瓷刻画基板，其特征在于，所述非连续槽组的相邻的槽间的距离为10[μm]以上100[μm]以下。5.根据权利要求2至4中任一项所述的陶瓷刻画基板，其特征在于，所述非连续槽组的各槽的宽度为5[μm]以上50[μm]以下。6.根据权利要求1至4中任一项所述的陶瓷刻画基板，其特征在于，所述连续槽的激光照射痕的亮度与所述陶瓷基板的表面的亮度之差为5以下。7.根据权利要求1至5中任一项所述的陶瓷刻画基板，其特征在于，所述陶瓷基板为氮化硅基板或氮化铝基板。8.一种陶瓷基板，其特征在于，在四边的刻画线的至少一边的刻画线的表面侧具备多个槽通过光纤激光的照射连接而成的连续槽，所述连续槽的深度大于50[μm]，并且在陶瓷基板的厚度的0.15倍以上0.55倍以下的范围内。9.根据权利要求8所述的陶瓷基板，其特征在于，在所述刻画...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本幸久，星野尚人，
申请(专利权)人：东芝高新材料公司，
类型：发明
国别省市：