半导体发光装置及半导体发光元件的支承基板制造方法及图纸

具有半导体发光层叠体和SOI基板，半导体发光层叠体由n型半导体层、发光层及p型半导体层层叠而成，在一个面侧具有至少1个p

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体发光装置及半导体发光元件的支承基板


[0001]本专利技术涉及半导体发光装置及半导体发光元件的支承基板，尤其涉及具有发光二极管(LED)等半导体发光元件的半导体发光装置及半导体发光元件的支承基板。

技术介绍

[0002]近年来，为了实现高输出化、配光控制，将发光二极管(LED)等半导体发光元件配置在多个器件内来进行使用。
[0003]例如，已知有在汽车用前照灯中配合行驶环境来控制配光的配光可变型前照灯(ADB：Adaptive Driving Beam)。另外，还已知具有高输出的照明用LED封装体、高密度地配置有LED的用于信息通信设备的LED封装体等。
[0004]但是，进一步要求实现发光效率高、能够获得均匀的发光的高输出半导体发光元件。另外，还被要求一种能够在防止发光元件的性能下降的同时具备保护元件等附加功能的元件不易发生破坏的半导体发光装置。
[0005]例如，在专利文献1中公开了一种半导体发光装置，该半导体发光装置具备搭载在树脂制的载体上的在背面形成有保护元件的发光元件。另外，在专利文献2中公开了将保护元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光装置，其特征在于，具有：半导体发光层叠体，其由第一导电型的第一半导体层、发光层以及第二导电型的第二半导体层层叠而成，在所述第一半导体层侧的面设置有与所述第一半导体层连接的至少1个第一元件电极以及与所述第二半导体层连接的至少1个第二元件电极，和SOI基板，其由上层半导体层、下层半导体层以及设置在所述上层半导体层与所述下层半导体层之间的层间绝缘膜构成，所述SOI基板具有：至少1个第一布线电极，其经由绝缘膜设置在所述上层半导体层上，并与所述半导体发光元件的所述至少1个第一元件电极对应；至少1个第二布线电极，其在所述上层半导体层上与所述上层半导体层连接地设置，并与所述半导体发光层叠体的所述至少1个第二元件电极对应；第一安装电极，其设置在所述下层半导体层上，通过贯穿所述SOI基板的第一通孔电极与所述至少1个第一布线电极连接；和第二安装电极，其经由绝缘膜设置在所述下层半导体层上，通过贯穿所述下层半导体层及所述层间绝缘膜而到达所述上层半导体层的第二通孔电极与所述上层半导体层连接，所述半导体发光层叠体的所述至少1个第一元件电极及所述至少1个第二元件电极分别与所述SOI基板的所述至少1个第一布线电极及所述至少1个第二布线电极接合。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，所述上层半导体层及所述下层半导体层是n
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Si层，所述下层半导体层与所述第一安装电极连接，所述半导体发光装置具有杂质扩散区域，该杂质扩散区域设置于所述下层半导体层表面，与所述第二安装电极连接，并与所述下层半导体层pn接合。3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一导电型和所述第二导电型分别为p型和n型，所述至少1个第二元件电极设置在从所述第一半导体层的表面到达所述第二半导体层的通孔露出的所述第二半导体层上。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述第一导电型和所述第二导电型分别为p型和n型，所述至少1个第一元件电极具有透光性导电膜和反射膜。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光装置，其特征在于，所述半导体发光层叠体具有多个所述第二元件电极，所述多个所述第二元件电极在所述第一半导体层侧的面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：河野圭真，市川幸治，神原大蔵，堀尾直史，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：