固化性树脂膜、半导体装置制造用膜材料、半导体装置制造用固化性树脂组合物、及制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种固化性树脂膜，其用于制造半导体装置且具有粘性。固化性树脂膜对波长355nm的光显示20％以下的透射率。半导体装置通过包括如下工序的方法制造：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具有载体及设置于载体主面上的密封结构体；及从临时固定层叠体去除所述载体的工序。临时固定层叠体通过包括将固化性树脂膜与载体贴合的工序的方法形成。通过将固化的固化性树脂膜即保护层从载体分离，从临时固定层叠体去除载体。从临时固定层叠体去除载体。从临时固定层叠体去除载体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固化性树脂膜、半导体装置制造用膜材料、半导体装置制造用固化性树脂组合物、及制造半导体装置的方法


[0001]本专利技术涉及一种固化性树脂膜、半导体装置制造用膜材料、半导体装置制造用固化性树脂组合物、及制造半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]扇出封装等半导体装置的制造方法包括如半导体芯片的加工、及再配线层(RDL)的形成等工序，这些工序在半导体芯片临时固定于载体的状态下进行。
[0003]以往技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2003
‑
306653号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术课题
[0007]本专利技术涉及一种通过包括将半导体芯片临时固定于载体的工序的方法来有效地制造半导体装置的方法、以及为此使用的固化性树脂膜。
[0008]用于解决技术课题的手段
[0009]本专利技术的一方面涉及一种用于制造半导体装置且具有粘性的固化性树脂膜。该固化性树脂膜对波长355nm的光显示20％以下的透射率。所述半导体装置通过包括如下工序的方法制造：形成临时固定层叠体的工序，该临时固定层叠体具备载体及密封结构体，该密封结构体包含多个半导体芯片和密封多个所述半导体芯片的密封部；及从所述临时固定层叠体去除所述载体的工序。所述半导体芯片具有：具有第1面及其相反侧的第2面的芯片主体部；及设置于所述第1面上的连接端子。所述密封部具有：覆盖多个所述半导体芯片的所述第2面的一体型的保护层；及与所述保护层一起密封多个所述半导体芯片的密封材料层。所述保护层为固化的该固化性树脂膜。所述临时固定层叠体通过包括将该固化性树脂膜与所述载体贴合的工序的方法形成。通过将所述保护层从所述载体分离，从所述临时固定层叠体去除所述载体。
[0010]本专利技术的另一方面涉及一种具备支撑膜及设置于该支撑膜上的上述固化性树脂膜的半导体装置制造用膜材料。
[0011]本专利技术的又一方面涉及一种包含光吸收剂且用于形成上述固化性树脂膜的半导体装置制造用固化性树脂组合物。
[0012]本专利技术的又一方面涉及一种通过上述方法制造半导体装置的方法。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本专利技术的一方面，通过包括将半导体芯片临时固定于载体的工序的方法，能够有效地制造半导体装置。
附图说明
[0015]图1是表示具有固化性树脂膜的膜材料的一实施方式的剖面图。
[0016]图2是表示半导体装置的一实施方式的剖面图。
[0017]图3(a)、图3(b)、图3(c)及图3(d)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。
[0018]图4(a)、图4(b)、图4(c)及图4(d)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。
[0019]图5(a)、图5(b)、图5(c)及图5(d)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。
[0020]图6(a)、图6(b)、图6(c)及图6(d)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。
[0021]图7(a)、图7(b)、图7(c)、图7(d)及图7(e)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。
[0022]图8(a)、图8(b)、图8(c)、图8(d)及图8(e)是表示制造半导体装置的方法的一实施方式的工序图。
[0023]图9是固化性树脂膜的紫外可见吸收光谱。
具体实施方式
[0024]以下，根据需要而参考附图对本专利技术的几个实施方式进行详细说明。但是，本专利技术并不限定于以下实施方式。在以下说明中，有时会对相同或相应部分标注相同符号，并省略重复说明。关于上下左右等位置关系，若无特别说明，则基于附图中所示的位置关系。附图的尺寸比率并不限定于图示的比率。由“～”表示的数值范围是指，将上限值及下限值包括在内的范围。
[0025]图1是表示具有固化性树脂膜的膜材料的一实施方式的剖面图。图1所示的膜材料5具有：支撑膜3A、设置于支撑膜3A上的固化性树脂膜22、及覆盖固化性树脂膜22的与支撑膜3A相反侧的面的保护膜3B。
[0026]固化性树脂膜22可以具有粘性。固化性树脂膜22可以具有在25℃的环境下贴合于玻璃基板的程度的粘性。具有粘性的固化性树脂膜22能够在室温、或比较低温的温度条件下与后述载体贴合。而且，能够在比较低温下在固化性树脂膜22上的规定位置配置半导体芯片。
[0027]固化性树脂膜22在25℃的温度条件下贴合于玻璃基板时，固化性树脂膜22与玻璃基板之间的90度剥离强度在25℃下可以为10N/m以上、20N/m以上、30N/m以上或40N/m以上，也可以为200N/m以下。“25℃的温度条件”是指，固化性树脂膜22及玻璃基板的温度成为25℃的条件。
[0028]当将贴合于玻璃基板的固化性树脂膜22固化，然后从玻璃基板侧对固化的固化性树脂膜22照射激光时，固化性树脂膜22与玻璃基板之间的黏合强度可以为5MPa以下。
[0029]固化性树脂膜22可以是透光性低的膜。具体而言，固化后的固化性树脂膜22对波长355nm的光的透射率可以为20％以下、15％以下、10％以下、9％以下、8％以下、7％以下、6％以下、5％以下、4％以下、3％以下、2％以下、1％以下或0.5％以下，也可以为0％以上。透
光性低的固化性树脂膜22由于有效地吸收光，因此通过光(例如激光)的照射能够容易从载体分离。此处的透射率是指，使具有规定波长的光从一个主面侧入射于固化性树脂膜22时，透射光的强度相对于入射光的强度的比例。固化前的固化性树脂膜22对波长355nm的光的透射率可以为20％以下、15％以下、10％以下、9％以下、8％以下、7％以下、6％以下、5％以下、4％以下、3％以下、2％以下、1％以下或0.5％以下，也可以为0％以上。
[0030]固化性树脂膜22的剪切粘度在100℃下可以为5000Pa
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s以上、6000Pa
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s以上、7000Pa
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s以上或8000Pa
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s以上，也可以为100000Pa
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s以下、90000Pa
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s以下或80000Pa
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s以下。固化性树脂膜22的剪切粘度在该范围内时，尤其容易获得保持被黏合体的充分的效果。
[0031]固化性树脂膜22的固化后的储能模量在25℃下可以为300MPa以上、400MPa以上或500MPa以上，也可以为6000MPa以下、5500MPa以下或5000MPa以下。固化性树脂膜22的固化后的储能模量在250℃下可以为0.1MPa以上、0.5MPa以上或1.0MPa以上，也可以为200MPa以下、190MPa以下、180MPa以下、170MPa以下、160MPa以下、150MPa以下、140MPa以下、130MPa以下或120MPa以下。固化性树脂膜22的固化后的储能模量在上述范围内时，获得保护半导体元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固化性树脂膜，其用于制造半导体装置且具有粘性，固化的所述固化性树脂膜对波长355nm的光显示20％以下的透射率，所述半导体装置通过包括如下工序的方法制造：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具备载体及密封结构体，所述密封结构体设置于所述载体的主面上且包含多个半导体芯片和密封多个所述半导体芯片的密封部；及从所述临时固定层叠体去除所述载体的工序，所述半导体芯片具有：具有第1面及其相反侧的第2面的芯片主体部；及设置于所述第1面上的连接端子，所述密封部具有：覆盖多个所述半导体芯片的所述第2面的一体型的保护层；及与所述保护层一起密封多个所述半导体芯片的密封材料层，所述保护层为固化的所述固化性树脂膜，所述临时固定层叠体通过包括将所述固化性树脂膜与所述载体贴合的工序的方法形成，通过将所述保护层从所述载体分离，从所述临时固定层叠体去除所述载体。2.根据权利要求1所述的固化性树脂膜，其中，所述保护层为设置于所述半导体装置的永久膜。3.根据权利要求1或2所述的固化性树脂膜，其中，所述半导体装置通过还包括如下工序的方法制造：对具备所述多个半导体芯片及包括所述保护层的密封部的所述密封结构体进行切割，由此形成多个半导体装置的工序。4.根据权利要求1至3中任一项所述的固化性树脂膜，其中，所述半导体装置通过还包括如下工序的方法制造：通过激光的照射在所述保护层的表面进行刻印的工序。5.根据权利要求1至4中任一项所述的固化性树脂膜，其中，所述固化性树脂膜在25℃温度条件下贴合于玻璃基板时，所述固化性树脂膜与所述玻璃基板之间的90度剥离强度在25℃下为10N/m以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的固化性树脂膜，其中，所述临时固定层叠体通过还依次包括如下工序的方法形成：在贴合于所述载体的所述固化性树脂膜的与所述载体相反侧的面上，将多个所述半导体芯片以所述第2面与所述固化性树脂膜接触的朝向配置的工序；通过固化所述固化性树脂膜，将多个所述半导体芯片固定于固化的所述固化性树脂膜即所述保护层上的工序；及将所述密封材料层形成于所述保护层上，由此形成具有所述保护层及所述密封材料层的所述密封部的工序。7.根据权利要求1至5中任一项所述的固化性树脂膜，其中，所述临时固定层叠体通过还依次包括如下工序的方法形成：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具有临时固定材料、以所述第1面朝向所述临时固定材料侧的朝向临时固定于所述临时固定材料上的多个所述半导体芯片、及将多个所述半导体芯片密封在所述临时固定材料上的所述密封材料层，且所述多个半导体
芯片的所述第2面从所述密封材料层露出；设置覆盖所述第2面及所述密封材料层的所述固化性树脂膜的工序；固化所述固化性树脂膜而形成所述保护层的工序；及从所述临时固定层叠体去除所述临时固定材料的工序，覆盖所述第2面及所述密封材料层的所述固化性树脂膜与所述载体贴合。8.根据权利要求1至7中任一项所述的固化性树脂膜，其包含光吸收剂。9.根据权利要求1至8中任一项所述的固化性树脂膜，其包含热塑性树脂。10.根据权利要求9所述的固化性树脂膜，其中，所述热塑性树脂的玻璃化转变温度为
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40～40℃。11.根据权利要求1至10中任一项所述的固化性树脂膜，其包含二氧化硅填料。12.根据权利要求1至11中任一项所述的固化性树脂膜，其实质上不包含具有聚硅氧烷链的硅酮化合物。13.根据权利要求1至12中任一项所述的固化性树脂膜，其中，该固化性树脂膜的剪切粘度在100℃下为5000～100000Pa
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s。14.根据权利要求1至13中任一项所述的固化性...

【专利技术属性】
技术研发人员：祖父江省吾，中村祐树，小川纱瑛子，池田大助，大河原奎佑，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：