半导体结构及其制造方法技术

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构的制造方法包括：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括基底和多晶硅层；在所述初始半导体结构上形成有第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一离子注入窗口，所述第一离子注入窗口定义出第一晶体管的栅极位置；进行第一离子注入工艺，通过所述第一离子注入窗口对所述第一晶体管的栅极进行功函数调节，以形成半导体结构。本公开提供的半导体结构的制造方法，能够对晶体管的栅极进行功函数调节。函数调节。函数调节。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路技术的迅速发展，MOS(Metal Oxide Semiconductor)晶体管的尺寸在不断减小，通常包括MOS晶体管沟道长度的减小，栅氧化层厚度的减薄等以获得更快的器件速度。
[0003]MOS晶体管根据导电沟道的类型可分为P型MOS晶体管和N型MOS晶体管。由于NMOS和PMOS的阈值电压不同，NMOS和PMOS需要使用不同的功函数调节层。
[0004]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0005]本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
[0006]根据本公开实施例的一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，该制造方法包括：
[0007]提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括基底和多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供初始半导体结构，所述初始半导体结构包括基底和多晶硅层；在所述初始半导体结构上形成有第一掩膜层，所述第一掩膜层具有第一离子注入窗口，所述第一离子注入窗口定义出第一晶体管的栅极位置；进行第一离子注入工艺，通过所述第一离子注入窗口对所述第一晶体管的栅极进行功函数调节，以形成半导体结构。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体结构还形成有绝缘氧化层，所述绝缘氧化层形成于所述基底与所述多晶硅层之间。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述进行第一离子注入工艺后，所述制造方法还包括：使用第一溶剂去除所述第一掩膜层，以形成所述半导体结构，其中，所述第一溶剂为氨水和双氧水的混合水溶液。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一溶剂中，氨水的浓度为第一范围，双氧水的浓度为第二范围，水的浓度为第三范围，所述第三范围大于所述第二范围，所述第二范围大于所述第一范围。5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述第一溶剂中，所述水的浓度与所述氨水和双氧水的浓度之和的比值大于5。6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述使用第一溶剂去除所述第一掩膜层包括：使用第一溶剂与第二溶剂同时去除所述第一掩膜层，其中，第二溶剂为硫酸和双氧水的混合水溶液。7.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通过所述第一溶剂多次清洗所述第一掩膜层。8.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，通过所述第一溶剂清洗所述第一掩膜层时的温度为25℃～30℃。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王翔宇，张书浩，李宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：