半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种用于增强半导体衬底与覆盖其背表面的背表面电极之间的粘附性的技术。特别地，该增强粘附性技术包括：提供具有主表面和与主表面相对的背表面的半导体衬底SB，背表面包括n型硅；在半导体衬底SB的背表面上形成第一金属层，第一金属层包括镍和钒，钒的热扩散系数小于镍的热扩散系数；对半导体衬底执行热处理，以使半导体衬底中包含的硅与第一金属层中包含的镍反应以形成与半导体衬底的背表面接触的NiSiV；以及在NiSiV层上形成包含钛的第二金属。金属。金属。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2022年2月18日提交的日本专利申请号2022
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024161的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过整体引用并入本文。


[0003]本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，并且例如涉及在半导体衬底的背表面上包括电极的半导体器件以及通过应用于制造该半导体器件的方法而有效的技术。

技术介绍

[0004]由于功率器件(功率模块)的电极的背表面侧的配置需要高击穿电压，例如，日本未审查专利申请公开2012
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251214公开了在半导体衬底的背表面上的依次包括硅化镍层、钛层、镍层和金层的堆叠层，并且还公开了与电极接触的半导体衬底的背表面由n型硅制成。

技术实现思路

[0005]随着功率器件的小型化(高功率密度)和高结温，功率循环或温度循环操作中的温度变化也增加，由于膜应力导致的每个电极接头的机械应力趋于增加。作为对背表面电极的要求，为了抑制电极分离，需要不断提高背表面电极的粘附性。
[0006]如日本未审查专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括主表面和与所述主表面相对的背表面，所述背表面包括n型硅；(b)在步骤(a)之后，在所述半导体衬底的所述背表面上形成包括镍和第一金属的第一金属层，所述第一金属的热扩散系数小于所述镍的热扩散系数；(c)在步骤(b)之后，通过对所述半导体衬底执行热处理，使所述半导体衬底中所包含的所述n型硅与所述第一金属层中所包含的所述镍反应以形成与所述半导体衬底的所述背表面接触的硅化物层；以及(d)在步骤(c)之后，在所述硅化物层上形成包括第二金属的第二金属层。2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其中在步骤(b)中，所述第一金属层通过溅射方法来形成，所述溅射方法使用包含所述第一金属的Ni溅射靶。3.根据权利要求2所述的制造半导体器件的方法，其中所述第一金属在作为所述第二金属层与所述硅化物层之间的界面的第二表面上的比率大于所述第一金属在作为所述硅化物层与所述半导体衬底之间的界面的第一表...

【专利技术属性】
技术研发人员：中西翔，小泽航大，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：