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本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。公开了一种用于增强半导体衬底与覆盖其背表面的背表面电极之间的粘附性的技术。特别地，该增强粘附性技术包括：提供具有主表面和与主表面相对的背表面的半导体衬底SB，背表面包括n型硅；在半导体衬底SB的背表面上...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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