SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法技术

本申请提供了一种SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，方法包括：SiC器件包括一SiC芯片和设置于芯片的合金层，SiC芯片具有背面和与背面相反的正面，背面经过金属溅射处理和激光退火处理，以在背面上形成合金层；在SiC芯片的正面上设置保护膜；将合金层进行氧气等离子处理，氧气与合金层上析出的碳反应，以除去合金层析出的碳，得到去除析出的碳的SiC器件。本申请中，在SiC器件正面使用保护膜对其进行保护，随后通过氧气等离子处理释放氧等离子体，氧等离子体与合金层上的碳(反应生成碳的气体化合物，并以气体方式排出)从而通过化学反应的方式彻底地清除去合金层上析出的碳，以解决SiC器件背面激光退火后碳析出的问题。解决SiC器件背面激光退火后碳析出的问题。解决SiC器件背面激光退火后碳析出的问题。

【技术实现步骤摘要】
SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法


[0001]本申请涉及半导体器件制备的
，尤其涉及一种SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)作为第三代半导体中的典型代表，由于其热导率高、击穿场强高、载流子饱和迁移率高等优良的物理特性，使其能够替代硅(Si)材料制备高温、高压等功率电子器件，并在新能源汽车、光伏发电等领域具有广阔的应用前景。
[0003]SiC背面工序是SiC结势垒肖特基二极管(JBS)和金属
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氧化物
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半导体场效应晶体管(MOS)等功率器件制备过程中的关键工序。SiC背面工序包括贴UV膜/解UV膜、背面减薄、背面清洗、背面金属蒸镀、激光退火等工艺。为了降低SiC衬底减薄后的碎片风险，SiC功率器件在进行SiC背面工序之前已经完成了正面工艺制备，且在SiC功率器件的正面贴UV膜以防止正面被划伤。
[0004]将正面粘贴有UV膜的SiC功率器件再进行减薄处理。目前国内外主要的减薄技术为砂轮减薄，首先使用低目数金刚砂轮对SiC衬底的背面进行粗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，其特征在于，所述方法包括：SiC器件包括一SiC芯片和设置于所述芯片的合金层，所述SiC芯片具有背面和与所述背面相反的正面，所述背面经过金属溅射处理和激光退火处理，以在所述背面上形成所述合金层；在所述正面上设置保护膜；将所述合金层进行氧气等离子处理，氧气与所述合金层上析出的碳反应，以除去所述合金层析出的碳，得到去除析出的碳的SiC器件。2.如权利要求1所述的SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，其特征在于，所述方法还包括：将去除碳析出的所述SiC器件浸入刻蚀液，除去所述合金层上的氧化物。3.如权利要求1所述的SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，其特征在于，所述保护膜包括光刻胶层。4.如权利要求3所述的SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帅，张良关，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：