温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种SiC器件背面激光退火后碳析出去除方法，方法包括：SiC器件包括一SiC芯片和设置于芯片的合金层，SiC芯片具有背面和与背面相反的正面，背面经过金属溅射处理和激光退火处理，以在背面上形成合金层；在SiC芯片的正面上设置保护膜...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。