多功能半导体装置衬底、使用其的半导体装置组合件及其形成方法制造方法及图纸

本公开涉及多功能半导体装置衬底、使用其的半导体装置组合件及其形成方法。提供一种半导体装置组合件。所述组合件包含：衬底，其具有上表面，在所述上表面上安置第一装置触点；阻进区域，其从所述衬底的第一侧表面延伸到所述衬底的与第一侧表面相对的第二侧表面；及至少一个迹线，其耦合到所述第一装置触点并跨所述阻进区域朝向所述衬底的第三侧表面延伸。所述组合件进一步包含至少一个半导体装置，所述至少一个半导体装置安置在所述衬底的所述上表面上方并耦合到所述第一装置触点。除了所述至少一个迹线之外，所述衬底的所述阻进区域没有导电结构。导电结构。导电结构。

【技术实现步骤摘要】
多功能半导体装置衬底、使用其的半导体装置组合件及其形成方法


[0001]本公开大体来说涉及半导体装置组合件，且更特定来说涉及多功能半导体装置衬底、使用其的半导体装置组合件及其形成方法。

技术介绍

[0002]微电子装置通常具有裸片(即，芯片)，所述裸片包含具有非常小组件的高密度的集成电路系统。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的非常小的接合焊盘的阵列。接合焊盘为外部电触点，通过所述外部电触点将电源电压、信号等传输到集成电路系统并从集成电路系统传输。在形成裸片之后，将其“封装”以将接合焊盘耦合到更大的电端子阵列，所述电端子阵列可更容易地耦合到各种电源线、信号线及接地线。封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合焊盘电耦合到引线、球形焊盘或其它类型的电端子阵列，且囊封裸片以保护其免受环境因素影响(例如，水分、颗粒、静电，及物理影响)。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本公开涉及一种半导体装置组合件，其包括：衬底，其包含：上表面，其上安置有第一装置触点，阻进区域，其从所述衬底的第一侧表面延伸到所述衬底的与所述第一侧表面相对的第二侧表面，及至少一个迹线，其耦合到所述第一装置触点，并跨所述阻进区域朝向所述衬底的第三侧表面延伸；及至少一个半导体装置，其安置在所述衬底的所述上表面上方并耦合到所述第一装置触点，其中除了所述至少一个迹线之外，所述衬底的所述阻进区域没有导电结构。
[0004]在另一方面中，本公开涉及一种经配置用于不同半导体装置封装的衬底，所述衬底包括：上表面，其上安置有第一装置触点；阻进区域，其从所述衬底的第一侧表面延伸到所述衬底的与所述第一侧表面相对的第二侧表面；及至少一个迹线，其耦合到所述第一装置触点，并跨所述阻进区域朝向所述衬底的第三侧表面延伸，其中除了所述至少一个迹线之外，所述衬底的所述阻进区域没有导电结构。
[0005]在又一方面中，本公开涉及一种用于封装半导体装置组合件的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包含：上表面，其上安置有第一装置触点及第二装置触点；阻进区域，从所述衬底的第一侧表面延伸到所述衬底的与所述第一侧表面相对的第二侧表面并在所述第一装置触点与所述第二装置触点之间通过；及至少一个迹线，其将所述第一装置触点耦合到所述第二装置触点，并跨所述阻进区域延伸，其中除了所述至少一个迹线之外，所述衬底的所述阻进区域没有导电结构；确定所述半导体装置组合件将根据第一配置还是第二配置形成；如果确定所述半导体装置组合件将根据所述第二配置来形成，那么移除所述衬底的包含所述第二装置触点的部分，并在所述衬底的第三侧表面处暴露所述至少一个迹线；及将至少一个半导体装置安置在所述衬底上方并耦合到所述第一装置触点，其中如果确定所述半导体装置组合件将根据所述第一配置形成，那么所述至少一个半导体装置通过所述第二
装置触点及所述至少一个迹线耦合到所述第一装置触点，且其中如果确定所述半导体装置组合件将根据所述第二配置形成，那么所述至少一个半导体装置直接耦合到所述第一装置触点。
附图说明
[0006]图1为根据本公开的一个实施例的多功能半导体装置衬底的简化示意俯视平面图。
[0007]图2为根据本公开的一个实施例的适用于替代配置的多用途半导体装置衬底的简化示意俯视平面图。
[0008]图3为根据本公开的一个实施例的多功能半导体装置衬底的简化示意俯视平面图。
[0009]图4为根据本公开的一个实施例的适用于替代配置的多用途半导体装置衬底的简化示意俯视平面图。
[0010]图5A及5B为根据本公开的各种实施例的半导体装置组合件的简化示意性截面图，该半导体装置组合件包含适用于两种替代配置的多功能半导体装置衬底。
[0011]图6为说明根据本公开的实施例的用于封装半导体装置组合件的方法的流程图。
[0012]图7为展示包含根据本公开的实施例配置的半导体装置组合件的系统的示意图。
具体实施方式
[0013]下文描述半导体装置的若干实施例以及相关联系统及方法的具体细节。所属领域的技术人员将认识到，本文中所描述方法的合适阶段可以晶片级或裸片级执行。因此，取决于使用的上下文，术语“衬底”可指晶片级衬底或经单个化裸片级衬底。此外，除非上下文另有指示，否则可使用常规半导体制造技术形成本文中所公开的结构。可例如使用化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、电镀、化学镀、旋涂及/或其它合适的技术来沉积材料。类似地，可例如使用等离子蚀刻、湿法蚀刻、化学机械平面化或其它合适的技术来移除材料。
[0014]半导体装置组合件具有各种各样的配置，具有不同的尺寸，其中封装有不同数目及种类的半导体裸片，且具有各种外部连接方案。尽管一些配置在某些方面重叠(例如，具有不同尺寸及/或其中封装不同数目及种类的半导体装置的两种配置可共享相同的外部连接方案，例如具有相同尺寸、间距及脚位布置的球栅阵列)，对于每一种可能的配置，传统上需要单独的衬底设计。传统上所需的各种各样的衬底设计极大地增加了制造及库存管理的成本及复杂性。
[0015]为了解决这些及其它缺点，本申请案的各种实施例提供了多用途衬底，其中单个衬底设计与多于一个半导体装置组合件配置兼容(例如，具有共用外部连接方案的多个组合件配置)。多功能衬底可包含多个冗余触点，不同的半导体装置可不同地连接到所述冗余触点，其中冗余触点由衬底的阻进区(keep
‑
out zone)分开，其中仅有的导电元件是连接阻进区的相对侧上的冗余触点的迹线。在一个配置中，可通过沿着阻进区中的一或多个锯切/切割来移除承载一些冗余触点的衬底的一或多个外侧区域，从而减小衬底的大小。当由迹线连接的触点是接地触点时，通过锯切/切割穿过阻进区而暴露的迹线可任选地连接到封装的电磁干扰(EMI)屏蔽，以改进电气性能。
[0016]图1为根据本公开的一个实施例的多功能半导体装置衬底的简化示意俯视平面图。衬底100包含衬底主体101(例如，印刷电路板(PCB)等等)，在其上表面上安置有各种电触点，所述电触点经配置以将信号路由到衬底主体101的下表面上的外部封装触点(未说明)。在当前所说明的实施例中，触点包含一或多个非冗余触点102(示意性地说明为区，其可包括各种离散接触焊盘、接合指，等)及多个冗余触点。冗余触点可包含一或多个内侧触点，例如触点103a及103b，以及一或多个外侧触点，例如触点104a、104b、105a、105b、106a及106b，每一触点通过对应一或多个迹线(例如，迹线108)电耦合到其对应内侧触点。尽管示意性地说明为单个大区域，但内侧触点103a及103b可替代地提供多个离散内侧触点，每一触点单独地连接到对应的外侧触点。在另一实施例中，内侧触点103a及103b可为大接地平面触点，各触点都冗余地连接到多个其它外侧触点。迹线108可安置在衬底主体101的上表面处，或可替代地安置在衬底主体101的中间深度处，或甚至可安置在衬底主体101的下表面处(或其任一组合)。
[0017]内侧触点103a及103b通过阻进区与经由迹线108连接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置组合件，其包括：衬底，其包含：上表面，其上安置有第一装置触点，阻进区域，其从所述衬底的第一侧表面延伸到所述衬底的与所述第一侧表面相对的第二侧表面，及至少一个迹线，其耦合到所述第一装置触点，并跨所述阻进区域朝向所述衬底的第三侧表面延伸；及至少一个半导体装置，其安置在所述衬底的所述上表面上方并耦合到所述第一装置触点，其中除了所述至少一个迹线之外，所述衬底的所述阻进区域没有导电结构。2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括安置在所述上表面上并通过所述至少一个迹线耦合到所述第一装置触点的第二装置触点。3.根据权利要求2所述的半导体装置组合件，其中所述第二装置触点位于所述阻进区域的与所述第一装置触点相对的一侧上。4.根据权利要求3所述的半导体装置组合件，其中所述至少一个半导体装置通过第二接地及所述至少一个迹线耦合到所述第一装置触点。5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述阻进区域延伸到所述衬底的所述第三侧表面。6.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述至少一个迹线在所述衬底的所述第三侧表面处暴露。7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其进一步包括电磁干扰EMI屏蔽，所述电磁干扰屏蔽电耦合到所述衬底的所述第三侧表面处的所述暴露的至少一个迹线。8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括安置在所述衬底的与所述上表面相对的下表面上的至少一个外部触点，所述至少一个外部触点通过所述衬底耦合到所述第一装置触点。9.一种经配置用于不同半导体装置封装的衬底，所述衬底包括：上表面，其上安置有第一装置触点；阻进区域，其从所述衬底的第一侧表面延伸到所述衬底的与所述第一侧表面相对的第二侧表面；及至少一个迹线，其耦合到所述第一装置触点，并跨所述阻进区域朝向所述衬底的第三侧表面延伸，其中除了所述至少一个迹线之外，所述衬底的所述阻进区域没有导电结构。10.根据权利要求9所述的衬底，其进一步包括安置在所述上表面上并通过所述至少一个迹线耦合到所述第一装置触点的第二装置触点。11.根据权利要求10所述的衬底，其中所述第二装置触点位于所述阻进区域的与所述第一装置触点相对的一侧上。12.根据权利要求9所述的衬底，其中所述阻进区域延伸到所述衬底的所述第三侧表面。13.根据权利要求9所述的衬底，其中所述至少一个迹线在所述衬底的所述第三侧表面
处暴露。14.根据权利要求9所述的衬底，其进一步包括安置在所述衬底的与所述上表面相对的下表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宏远，张振辉，陈奕武，倪胜锦，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：