一种多芯片的封装方法及多芯片封装结构技术

本申请公开了一种多芯片的封装方法及多芯片封装结构，其中，多芯片的封装方法包括：提供一种基板；在基板上制作至少两个并列的凸台；分别在每个凸台的表面放置有芯片，并分别露出每个凸台的部分表面；在露出的所述凸台的表面焊接铜柱，以使所述铜柱通过所述凸台与所述芯片的底部焊盘连接；对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片的表面焊盘，得到第一塑封层；在所述第一塑封层表面制作连接铜层；对所述凸台表面的芯片进行二次封装，以对所述连接铜层进行封装。通过上述方法，将原有的底部焊盘引出电极改为顶部引出，提高了多芯片合封的可靠性。提高了多芯片合封的可靠性。提高了多芯片合封的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片的封装方法及多芯片封装结构


[0001]本专利技术属于封装
，具体涉及一种多芯片的封装方法及多芯片封装结构。

技术介绍

[0002]随着电子产品向功能集成化方向发展，封装基板向高密度趋势发展，FOPLP(扇出型板级封装)作为先进封装的一种，在分立式器件中得到大规模应用。
[0003]现有的封装技术还存在一定的不足，现有的封装技术存在的局限性主要包括：1、在装片的时候对对位精度具有极高的要求，由于设备的不稳定性会增加芯片在封装的时候失效率；2、当多芯片封装的时候，若两款芯片尺寸的差异较大，现有的封装结构会给封装带来极大的挑战，不利于多芯片进行合封。
[0004]因此，针对上述问题亟需采用一种全新的封装结构来提高产品可靠性。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种多芯片的封装方法及多芯片封装结构，以将原有的底部焊盘引出电极改为顶部引出，提高多芯片合封的可靠性。
[0006]为解决上述问题，本申请提供一种多芯片的封装方法，包括：提供一种基板；在所述基板上制作至少两个并列的凸台；分别在每个所述凸台的表面放置有芯片，并露出每个所述凸台的部分表面；其中，所述芯片包括远离所述凸台一侧的表面焊盘以及与所述凸台连接的底部焊盘；在露出的所述凸台的表面焊接铜柱，以使所述铜柱通过所述凸台与所述芯片的底部焊盘连接；对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片的表面焊盘，得到第一塑封层；在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接；对所述凸台表面的芯片进行二次封装，以对所述连接铜层进行封装。
[0007]其中，所述凸台为第一凸台和第二凸台，所述第一凸台表面放置有第一芯片，所述第二凸台表面放置有第二芯片；所述在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接的步骤，还包括：在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将所述第一芯片的表面焊盘通过所述连接铜层与所述第二凸台表面的铜柱进行电连接。
[0008]其中，所述凸台包括第一凸台，第二凸台以及第三凸台，所述凸台表面分别放置有第一芯片、第二芯片以及第三芯片；所述在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接的步骤，包括：在所述第一塑封层表面制作第一连接铜层，将所述第一芯片的表面焊盘通过所述连接铜层与所述第二凸台表面的铜柱进行连接；以及，在所述第一塑封层表面制作第二连接铜层，将所述第二芯片的表面焊盘通过所述连接铜层与第三凸台表面的铜柱进行连接。
[0009]其中，所述在露出的所述凸台的表面焊接铜柱，以使所述铜柱通过所述凸台与所述芯片的底部焊盘连接的步骤，还包括：在所述芯片的表面焊盘上焊接表面铜柱；所述对所
述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片的表面焊盘，得到第一塑封层的步骤，包括：对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片表面的所述表面铜柱。
[0010]其中，所述对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片的表面焊盘，得到第一塑封层的步骤，包括：在对应所述芯片的表面焊盘的位置进行钻孔，以露出所述芯片的表面焊盘。
[0011]其中，所述对所述凸台表面的芯片进行二次封装，以对所述连接铜层进行封装的步骤，包括：露出所述其中一个凸台表面的芯片的表面焊盘，以及所述另一个所述凸台表面的铜柱。
[0012]其中，所述基板包括底部铜层和树脂层；其中，所述凸台设置于所述树脂层表面；所述在所述基板上制作至少两个并列的凸台的步骤之前，包括：对所述树脂层钻孔，以露出部分所述底部铜层，以使所述凸台与所述底部铜层形成连接；所述对所述凸台表面的芯片进行二次封装的步骤，包括：对所述底部铜层进行封装。
[0013]其中，所述基板包括树脂层以及位于所述树脂层相对两侧表面的第一铜层和第二铜层；所述在所述基板上制作至少两个并列的凸台的步骤，包括：对所述第二铜层以及所述树脂层进行钻孔，以露出所述第一铜层靠近所述树脂层设置的部分表面；在所述第二铜层的表面以及所述树脂层的孔内制作铜层，以将所述第一铜层与所述第二铜层连接；利用蚀刻工艺将所述第二铜层或所述第一铜层蚀刻成两个并列的凸台；其中，所述凸台的面积大于所述第一芯片和所述第二芯片的底面积。
[0014]其中，其中一个所述凸台表面的铜柱高于另一个所述凸台表面的铜柱。
[0015]其中，所述在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接的步骤，包括：在所述第一塑封层表面制作薄铜层；其中，所述薄铜层的厚度低于其中一个所述凸台表面的铜柱的高度，且高于另一个所述凸台表面的铜柱的高度；利用蚀刻工艺对所述薄铜层进行蚀刻，得到连接其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱的连接铜层。
[0016]其中，所述铜柱包括7字型铜柱和1字型铜柱。
[0017]本申请还提供一种多芯片封装结构，其中，所述多芯片封装结构由上述任一实施方法中的多芯片的封装方法制作而成。
[0018]本申请的有益效果是：通过在基板上分别制作多个并列的凸台以放置芯片，并在凸台上制作铜柱，使芯片的底部焊盘通过铜柱引出至与芯片的表面焊盘至少在同等高度，对芯片进行一次封装，并露出铜柱的表面和芯片的表面，然后在第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个凸台表面的铜柱进行铜层连接，从而实现并列放置的芯片之间的互连，最后对芯片进行二次封装，以封装连接铜层，从而得到多芯片串连的封装结构，提高了多芯片合封的可靠性，解决了FC工艺带来的精度高而对装片设备精度要求高的难题。
附图说明
[0019]图1为本申请多芯片的封装方法第一实施例的流程示意图；
[0020]图2a为本申请基板第一实施例的结构示意图；
[0021]图2b为本申请基板第二实施例的结构示意图；
[0022]图2c为本申请基板第三实施例的结构示意图；
[0023]图3a为图1中步骤S12第一实施方式的结构示意图；
[0024]图3b为图1中步骤S12第二实施方式的结构示意图；
[0025]图4为图1步骤S13一实施例的结构示意图；
[0026]图5为图1中步骤S14一实施例的结构示意图；
[0027]图6为图1中步骤S15一实施例的结构示意图；
[0028]图7为图1中步骤S16一实施例的结构示意图；
[0029]图8为图1中步骤S17一实施例的结构示意图；
[0030]图9为本申请多芯片的封装方法第二实施例的流程示意图；
[0031]图10为图9中步骤S31
‑
S37的多芯片封装的结构变化示意图；
[0032]图11为本申请多芯片的封装方法第三实施例的流程示意本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片的封装方法，其特征在于，包括：提供一种基板；在所述基板上制作至少两个并列的凸台；分别在每个所述凸台的表面放置有芯片，并露出每个所述凸台的部分表面；其中，所述芯片包括远离所述凸台一侧的表面焊盘以及与所述凸台连接的底部焊盘；在露出的所述凸台的表面焊接铜柱，以使所述铜柱通过所述凸台与所述芯片的底部焊盘连接；对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片的表面焊盘，得到第一塑封层；在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接；对所述凸台表面的芯片进行二次封装，以对所述连接铜层进行封装。2.根据权利要求1所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述凸台为第一凸台和第二凸台，所述第一凸台表面放置有第一芯片，所述第二凸台表面放置有第二芯片；所述在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接的步骤，还包括：在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将所述第一芯片的表面焊盘通过所述连接铜层与所述第二凸台表面的铜柱进行电连接。3.根据权利要求1所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述凸台包括第一凸台，第二凸台以及第三凸台，所述凸台表面分别放置有第一芯片、第二芯片以及第三芯片；所述在所述第一塑封层表面制作连接铜层，将其中一个所述凸台表面的芯片的表面焊盘与另一个所述凸台表面的铜柱进行铜层连接的步骤，包括：在所述第一塑封层表面制作第一连接铜层，将所述第一芯片的表面焊盘通过所述第一连接铜层与所述第二凸台表面的铜柱进行连接；以及，在所述第一塑封层表面制作第二连接铜层，将所述第二芯片的表面焊盘通过所述第二连接铜层与第三凸台表面的铜柱进行连接。4.根据权利要求1所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述在露出的所述凸台的表面焊接铜柱，以使所述铜柱通过所述凸台与所述芯片的底部焊盘连接的步骤，还包括：在所述芯片的表面焊盘上焊接表面铜柱；所述对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片的表面焊盘，得到第一塑封层的步骤，包括：对所述凸台表面的芯片进行一次封装，并露出所述铜柱的表面以及所述芯片表面的所述表面铜柱。5.根据权利要求1所述的多芯片的封装方法，其特征在于，所述对所述凸台表面的芯片进行一次封...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟仕杰，高宸山，江京，李俞虹，宋关强，
申请(专利权)人：天芯互联科技有限公司，
类型：发明
国别省市：