太阳能电池及其制备方法技术

本申请属于电池制备技术领域，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池的制备方法包括，依次在基片的正面沉积钝化层和掺硼减反射层；对掺硼减反射层进行激光掺杂处理，以在基片的正面形成P型掺杂层。在制备基片的正面结构时，本申请实施例在基片上沉积钝化层和掺硼减反射层，并对掺硼减反射层进行激光掺杂处理，以驱使掺硼减反射层中的硼渗透过钝化层到达基片的正面，进而形成P型掺杂层，而激光掺杂处理的温度低于高温硼扩散的温度，因此采用本申请的制备方法可降低对基片的要求，且可减小基片翘曲变高的风险，进而防止基片碎裂，利于电池片的薄片化。利于电池片的薄片化。利于电池片的薄片化。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制备方法


[0001]本申请属于电池制备
，具体涉及一种太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池行业对电池效率的要求越来越高，太阳能电池制造的工序也变得越来越复杂且制备难度也越来越高，例如TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化层钝化接触)电池需要通过至少两次高温扩散形成两种不同的掺杂层，即：在制备基片的正面结构时，需要对基片的正面进行高温硼扩散，以形成P型掺杂层；在制备基片的背面结构时，需要对非晶硅层进行高温磷扩散，以形成多晶硅层。但这种制备方法对基片的要求较高，如要求基片具有高寿命，低杂质等特性；同时，在对基片进行高温扩散的过程中可能会造成基片翘曲度变高，这可能会导致基片碎裂，且不利于电池片的薄片化。

技术实现思路

[0003]本申请实施例的目的是提供一种太阳能电池及其制备方法，能够解决采用目前的太阳能电池制备方法在制备太阳能电池的过程中，易造成基片翘曲度变高，进而导致基片碎裂，不利于电池片的薄片化的问题。
[0004]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：
[0006]依次在基片的正面沉积钝化层和掺硼减反射层；
[0007]对掺硼减反射层进行激光掺杂处理，以在基片的正面形成P型掺杂层。
[0008]在一种可选的实施例中，对掺硼减反射层进行激光掺杂处理，以在基片的正面形成P型掺杂层的步骤具体为：
[0009]对掺硼减反射层的局部进行激光掺杂处理，以在基片的正面的局部区域形成P型掺杂层。
[0010]第二方面，本申请实施例还提供了一种太阳能电池，由上述的制备方法制备而成。
[0011]在制备基片的正面结构时，本申请实施例在基片上沉积钝化层和掺硼减反射层，并对掺硼减反射层进行激光掺杂处理，以驱使掺硼减反射层中的硼渗透过钝化层到达基片的正面，进而形成P型掺杂层，而激光掺杂处理的温度低于高温硼扩散的温度，因此采用本申请的制备方法可降低对基片的要求，且可减小基片翘曲变高的风险，进而防止基片碎裂，利于电池片的薄片化。
附图说明
[0012]图1为本申请实施例公开的太阳能电池的制备方法的流程示意图；
[0013]图2为本申请另一实施例公开的太阳能电池的制备方法的流程示意图；
[0014]图3为本申请实施例公开的太阳能电池的结构示意图。
[0015]附图标记说明：
[0016]100
‑
基片、200
‑
钝化层、300
‑
掺硼减反射层、400
‑
P型掺杂层、500
‑
隧穿氧化层、600
‑
多晶硅层、700
‑
钝化减反层、800
‑
电极。
具体实施方式
[0017]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0018]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0019]下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法进行详细地说明。
[0020]如图1至图2所示，本申请实施例公开了一种太阳能电池的制备方法，包括：
[0021]S100、依次在基片100的正面沉积钝化层200和掺硼减反射层300。
[0022]可选地，基片100可以为硅片，可使用ALD(Atomic Layer Deposition，原子层沉积)技术或者PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体气相沉积)技术在基片100的正面沉积钝化层200；而后再使用PECVD技术在钝化层200的远离基片100的一面上沉积掺硼减反射层300。具体来讲，钝化层200的厚度为1～10nm，钝化层200与掺硼减反射层300的总厚度为60～90nm，这可分别将钝化层200的厚度和掺硼减反射层300的厚度控制在合理的范围之内，从而使钝化层200对基片100有良好的钝化作用，且可保证基片100不被氧化，且可提高掺硼减反射层300的减反射吸能。进一步地，钝化层200可为氧化铝层。
[0023]S200、对掺硼减反射层300进行激光掺杂处理，以在基片100的正面形成P型掺杂层400，也就是说，经过激光掺杂处理后，基片100的正面形成了PN结。可选地，可使用波长为1030nm、脉冲为300～1200ns、激光能量为3～15w、光斑大小为30～80um的激光对掺硼减反射层300进行激光掺杂处理，并控制激光掺杂后的基片100的正面的方阻10～100Ω/sq。
[0024]在制备基片100的正面结构时，本申请实施例在基片100上沉积钝化层200和掺硼减反射层300，并对掺硼减反射层300进行激光掺杂处理，以驱使掺硼减反射层300中的硼渗透过钝化层200到达基片100的正面，进而形成P型掺杂层400，而激光掺杂处理的温度低于高温硼扩散的温度，因此采用本申请的制备方法可降低对基片100的要求，且可减小基片100翘曲变高的风险，进而防止基片100碎裂，利于电池片的薄片化。
[0025]在一种可选的实施例中，步骤S200具体为：
[0026]S210、对掺硼减反射层300的局部进行激光掺杂处理，以在基片100的正面的局部区域形成P型掺杂层400。可选地，掺硼减反射层300具有多个间隔设置的掺杂区域，可对各掺杂区域均进行激光掺杂处理，此时激光器可采用线间距为0.5～3cm的阵列排布方式进行
排布。
[0027]本实施例中，对掺硼减反射层300的局部进行激光掺杂处理，也就是说，激光只是照射于掺硼减反射层300的部分区域，该部分区域内的硼在激光的作用下渗透过钝化层200，以在基片100的正面的部分区域形成P型掺杂层400，而激光未照射的区域可保持原有的钝化、减反射性能，进而可保证钝化层200的钝化性能和掺硼减反射层300的减反射性能。此外，对掺硼减反射层300的局部进行激光掺杂可减小激光的能量。
[0028]在一种可选的实施例中，掺硼减反射层300为掺硼氮化硅层，沉积掺硼氮化硅层时所用的工艺气体为硅烷气体、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：依次在基片(100)的正面沉积钝化层(200)和掺硼减反射层(300)；对所述掺硼减反射层(300)进行激光掺杂处理，以在所述基片(100)的正面形成P型掺杂层(400)。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对所述掺硼减反射层(300)进行激光掺杂处理，以在所述基片(100)的正面形成P型掺杂层(400)的步骤具体为：对所述掺硼减反射层(300)的局部进行激光掺杂处理，以在所述基片(100)的正面的局部区域形成P型掺杂层(400)。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺硼减反射层(300)为掺硼氮化硅层，沉积所述掺硼氮化硅层时所用的工艺气体为硅烷气体、氨气和乙硼烷气体的混合气体。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述乙硼烷气体与所述氨气和所述硅烷气体的混合气体的体积比为1～5。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺硼减反射层(300)的折射率为1.95～2.1。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛卫平，付少剑，郭小飞，高芳丽，柳冉冉，戴欣欣，
申请(专利权)人：滁州捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：