太阳能电池、太阳能电池组件与太阳能电池制造方法技术

技术编号:38680719 阅读:16 留言:0更新日期:2023-09-02 22:53
本申请涉及一种太阳能电池、太阳能电池组件以及太阳能电池制造方法。太阳能电池包括:硅基底层;发射极层,位于所述硅基底层沿第一方向一侧,其中,所述第一方向为所述太阳能电池的厚度方向;钝化层,位于所述发射极层沿所述第一方向背离所述硅基底层的一侧;正面电极,包括阻挡部与外金属部,所述阻挡部沿所述第一方向靠近所述硅基底层的一端穿过所述钝化层且与所述发射极层接触,所述外金属部位于所述阻挡部沿所述第一方向背离所述硅基底层的一端,所述阻挡部的成分包括镍与硅,所述外金属部的成分包括铝和银。上述太阳能电池能够降低生产成本,同时阻挡铝朝硅基底穿透,减少金属复合,提高电池效率。提高电池效率。提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池、太阳能电池组件与太阳能电池制造方法


[0001]本申请涉及太阳能电池
,特别是涉及太阳能电池、太阳能电池组件以及太阳能电池制造方法。

技术介绍

[0002]当煤炭、石油等不可再生能源频频告急,能源问题逐渐成为制约社会经济发展的瓶颈时,越来越多的国家开始实行“阳光计划”,开发太阳能资源,寻求经济发展的新动力。在这种大环境下,太阳能电池具有更加广阔的发展前景。
[0003]太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的电池,目前的太阳能电池中,晶硅电池发展相对成熟,应用也更广泛。相关技术中,晶硅电池的正面电极通常为银电极,通过银浆烧结制成。但银浆成本较高,因此一些厂家开始使用银浆与铝浆复合的方式来烧结出正面电极。然而,这种方式虽然能降低成本,但铝浆在高温烧结过程中会朝硅基底穿透,造成严重的金属复合,影响电池效率。

技术实现思路

[0004]基于此,有必要提供一种太阳能电池,能够降低生产成本,同时阻挡铝朝硅基底穿透,减少金属复合,提高电池效率。
[0005]一种太阳能电池,包括:
[0006]硅基底层;
[0007]发射极层,位于所述硅基底层沿第一方向一侧,其中,所述第一方向为所述太阳能电池的厚度方向;
[0008]钝化层,位于所述发射极层沿所述第一方向背离所述硅基底层的一侧;
[0009]正面电极,包括阻挡部与外金属部,所述阻挡部沿所述第一方向靠近所述硅基底层的一端穿过所述钝化层且与所述发射极层接触,所述外金属部位于所述阻挡部沿所述第一方向背离所述硅基底层的一端,所述阻挡部的成分包括镍与硅,所述外金属部的成分包括铝和银。
[0010]在其中一个实施例中,所述外金属部包括铝层与银层,所述铝层位于所述阻挡部沿所述第一方向背离所述硅基底层的一端,所述银层位于所述铝层沿所述第一方向背离所述阻挡部的一端。
[0011]在其中一个实施例中,所述阻挡部与所述铝层的厚度比范围为0.3

1.2,所述铝层与所述银层的厚度比范围为0.5

1.3。
[0012]在其中一个实施例中,所述阻挡部的成分为镍硅合金,且镍与硅的成分比范围为0.5

1.2。
[0013]在其中一个实施例中,所述阻挡部的成分为镍铁硅合金,且镍与铁的成分比范围为1.3

2.2,铁与硅的成分比范围为0.3

0.9。
[0014]在其中一个实施例中,所述外金属部的成分为铝银合金,且铝与银的成分比范围
为0.5

1.3。
[0015]在其中一个实施例中,所述阻挡部与所述外金属部的厚度比范围为0.5

0.9。
[0016]在其中一个实施例中,所述硅基底层为N型基底,所述发射极层为硼发射极层,所述太阳能电池还包括隧穿氧化层与掺杂多晶硅层,所述隧穿氧化层位于所述硅基底层沿所述第一方向背离所述发射极层的一侧,所述掺杂多晶硅层位于所述隧穿氧化层沿所述第一方向背离所述硅基底层的一侧。
[0017]上述太阳能电池,正面电极包括阻挡部与外金属部,外金属部的成分包括铝和银,阻挡部的成分包括镍和硅。可见,正面电极的成分除了银,还包括镍、硅、铝。与正面电极的成分仅包括银相比,由于银的比例降低,因此可以降低生产成本。此外,由于外金属部与发射极层之间被阻挡部阻隔,因此可以抑制外金属部中的铝在高温烧结过程中朝硅基底层穿透,从而减少因此导致的金属复合,提高电池效率。因此,本申请提供的太阳能电池能够在降低生产成本的同时阻挡铝朝硅基底层穿透,减少金属复合,提高电池效率。
[0018]本申请还提出一种太阳能电池组件,包括上述的太阳能电池,还包括透明盖板、上封装层、下封装层与背板,多个所述太阳能电池封装于所述上封装层与所述下封装层之间,所述背板位于所述下封装层背离所述太阳能电池的一侧,所述透明盖板位于所述上封装层背离所述太阳能电池的一侧。
[0019]上述太阳能电池组件,通过应用上述的太阳能电池,能够在降低生产成本的同时提高电池效率。
[0020]本申请还提出一种太阳能电池制造方法,包括:
[0021]在硅基底层表面扩散形成发射极层;
[0022]在所述发射极层背离所述硅基底层的表面形成钝化层;
[0023]在所述钝化层上开孔;
[0024]在开孔区域形成与所述发射极层接触的阻挡部,所述阻挡部的成分包括镍与硅;
[0025]在所述阻挡部上背离所述发射极层的表面形成外金属部,所述外金属部的成分包括铝与银。
[0026]上述太阳能电池制造方法,在钝化层的开孔区域形成与发射极层接触的阻挡部,在阻挡部背离发射极层的表面形成外金属部,外金属部的成分包括铝和银,阻挡部的成分包括镍和硅。可见,正面电极的成分除了银,还包括镍、硅、铝。与正面电极的成分仅包括银相比,由于银的比例降低,因此可以降低生产成本。此外,由于外金属部与发射极层之间被阻挡部阻隔,因此可以抑制外金属部中的铝在高温烧结过程中朝硅基底层穿透,从而减少因此导致的金属复合,提高电池效率。因此,本申请提供的太阳能电池能够在降低生产成本的同时阻挡铝朝硅基底层穿透,减少金属复合,提高电池效率。
附图说明
[0027]图1为本申请一实施例中的太阳能电池的结构示意图。
[0028]图2为本申请一实施例中的太阳能电池组件的结构示意图。
[0029]附图标记:
[0030]硅基底层100;发射极层200;钝化层300;正面电极400、阻挡部410、外金属部420、铝层421、银层422;隧穿氧化层500;掺杂多晶硅层600;背面钝化层700;背电极800;透明盖
板910、上封装层920、太阳能电池930、下封装层940、背板950。
具体实施方式
[0031]为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
[0032]在本申请的描述中,需要理解的是,若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等,这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
[0033]此外,若有出现这些术语“第一”、“第二”,这些术语仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:硅基底层(100);发射极层(200),位于所述硅基底层(100)沿第一方向一侧,其中,所述第一方向为所述太阳能电池的厚度方向;钝化层(300),位于所述发射极层(200)沿所述第一方向背离所述硅基底层(100)的一侧;正面电极(400),包括阻挡部(410)与外金属部(420),所述阻挡部(410)沿所述第一方向靠近所述硅基底层(100)的一端穿过所述钝化层(300)且与所述发射极层(200)接触,所述外金属部(420)位于所述阻挡部(410)沿所述第一方向背离所述硅基底层(100)的一端,所述阻挡部(410)的成分包括镍与硅,所述外金属部(420)的成分包括铝和银。2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述外金属部(420)包括铝层(421)与银层(422),所述铝层(421)位于所述阻挡部(410)沿所述第一方向背离所述硅基底层(100)的一端,所述银层(422)位于所述铝层(421)沿所述第一方向背离所述阻挡部(410)的一端。3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻挡部(410)与所述铝层(421)的厚度比范围为0.3

1.2,所述铝层(421)与所述银层(422)的厚度比范围为0.5

1.3。4.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻挡部(410)的成分为镍硅合金,且镍与硅的成分比范围为0.5

1.2。5.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述阻挡部(410)的成分为镍铁硅合金,且镍与铁的成分比范围为1.3

2.2,铁与硅的成分比范围为0.3

0.9。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴昊
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1