【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种背接触太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、随着perc电池（钝化发射极和背面触电池）技术的不断挖掘与成熟，p型电池已经在逐步逼近其理论的转换效率，因此n型电池技术的发展成为了未来晶硅电池提效降本的关键途径。目前主流的n型电池技术主要有topcon（隧穿氧化层钝化接触电池）、hjt（异质结电池）和ibc（叉指背接触电池）等。
2、对于当前大规模量产的topcon电池，其特点是在背面的半导体衬底和金属电极之间叠加超薄隧穿层和掺杂多晶硅层，超薄遂穿层用于钝化衬底背表面，掺杂多晶硅层用于和金属电极之间形成欧姆接触。这种结构降低了背面金属接触区的载流子复合，提高了电池的开路电压和转换效率。为了进一步提高ibc电池的转换效率，钝化接触结构被应用到ibc电池上，即在背面p和n区的晶硅衬底和金属电极之间都叠加超薄隧穿层和掺杂多晶硅层，对金属接触区进行分别钝化接触，该接触结构可以提高ibc电池的开路电压，从而提高转换效率。
3、由于现有技术中的ibc电池背面的p、n区均采用钝化接触结构，现有主流技...
【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池的制备方法还包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在半导体衬底的背面依次制备超薄隧穿层以及多晶硅层时，采用化学气相沉积法，沉积温度范围500℃~600℃。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池的制备方法还包括如下步骤：
3.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，在半导体衬底的背面依次制备超薄隧穿层以及多晶硅层时，采用化学气相沉积法，沉积温度范围500℃~600℃。
4.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背接触太阳能电池的制备方法还满足下述条件中的至少一种：
5.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为50nm~500nm。
6.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硼硅玻璃层总厚度为30nm~300nm。
7.根据权利要求1~6任意一项所述的背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，采用硼磷共扩散工艺同时实现所述第一极性区域的掺杂形成第一掺杂层及第二极性区...
【专利技术属性】
技术研发人员：宗建鹏，胡匀匀，王宇航，柳伟，陈达明，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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