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本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法。制备方法包括如下步骤：在半导体衬底的背面依次制备超薄隧穿层以及多晶硅层；在多晶硅层的至少部分位置沉积硼硅玻璃层，硼硅玻璃层包括交替分布的第一极性区域以及第二极性区域；对硼硅玻璃层的第一极性区域进...
该专利属于天合光能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能股份有限公司授权不得商用。

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