近红外探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种近红外探测器件，包括：衬底，包括掺杂区域和非掺杂区域，所述衬底的材料包括锑化镓，所述掺杂区域设置于衬底表面，并从衬底表面向下延伸至第一深度，所述掺杂区域所掺杂的离子包括锗和/或硅离子，所述非掺杂区域为所述衬底去除所述掺杂区域的剩余部分，通过从衬底表面向下注入离子形成一种平面型近红外探测器结构。该器件结构简单实用，具有良好的光响应度，能够广泛运用于各种实际场景。景。景。

【技术实现步骤摘要】
近红外探测器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体光电子器件
，特别涉及一种近红外探测器。

技术介绍

[0002]III
‑
V族半导体化合物是半导体光电子器件的核心材料，在激光器、探测器等半导体光电子芯片中得到很好的应用。目前的半导体探测器常采用在衬底之上生长外延结构作为探测器的光吸收层，而生长材料会导致晶格失配问题，并且在器件结构上，外延生长的台面结构在膜层台阶覆盖层上存在厚度不均等问题，在高分辨率、小尺寸器件台面刻蚀上存在线宽限制等问题，还会导致高表面符合速率和高漏电流问题的发生。

技术实现思路

[0003](一)技术方案
[0004]本专利技术的实施例提供一种近红外探测器，包括：衬底，包括掺杂区域和非掺杂区域，所述衬底的材料包括锑化镓，所述掺杂区域设置于衬底的表面，并从衬底表面向下延伸至第一深度，所述掺杂区域所掺杂的离子包括锗和/或硅离子，所述非掺杂区域为所述衬底去除所述掺杂区域的剩余部分。
[0005]可选地，近红外探测器还包括：钝化层，覆盖于所述衬底表面上方，并从衬底表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外探测器，其特征在于，包括：衬底(1)，包括掺杂区域(2)和非掺杂区域，所述衬底(1)的材料包括锑化镓，所述掺杂区域(2)设置于所述衬底(1)的表面，并从衬底表面向下延伸至第一深度，所述掺杂区域(2)所掺杂的离子包括锗和/或硅离子，所述非掺杂区域为所述衬底(1)去除所述掺杂区域的剩余部分。2.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，还包括：钝化层(3)，覆盖于所述衬底表面上方，并从衬底表面向上生长至第一高度，所述钝化层(3)的材料包括SiO2，所述第一高度的范围包括200nm至500nm。3.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，还包括：欧姆接触电极(4)，所述欧姆接触电极(4)设置于所述衬底表面上方，并与衬底表面直接接触，所述欧姆接触电极的材料包括：Ti、Pt、Au、Cu、Ni。4.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述掺杂区域(2)的离子掺杂浓度包括重掺结或轻掺结。5.根据权利要求1所述近红外探测器，其特征在于，所述掺杂区域(2)设置于衬底中心区域，并从衬底表面向下延伸至第一深度还包括：所述第一深度的范围包括10nm到100nm。6.一种如权利要求1至5任一项所述的近红外探测器的制备方法，其特征在于，包括：制备衬底(1)，所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：成毅凡，李明明，宋志刚，李树深，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：